Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Bercha A$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| | | | |
1. |
Bercha A. I. Energy states and type of (GaAs)sub; in/i; /sub/(AlAs)sub; im/i; /sub short-period superlattices = Енергетичні стани і тип короткоперіодичних надграток (GaAs)sub; in/i; /sub/(AlAs)sub; im/i; /sub / A. I. Bercha, R. Bogdan, K. Glukhov // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика. - 2000. - Вип. 8, ч. 2. - С. 75-79. - Библиогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Bercha A. I. Low-temperature photoluminescence spectra and nature of the lowest energy state of conduction band of asymmetrical short period superlattices GaAs/AlAs / A. I. Bercha, D. V. Korbutyak, S. Krylyuk, V. G. Litovchenko, G. Tamulaitis, A. Zukauskas // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 545-549. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.Досліджено спектри низькотемпературної фотолюмінесценції асиметричних надграток GaAs/AlAs за високих рівнів накачки. Показано, що надгратки GaAs/AlAs з 6/3, 8/4 та 10/5 моношарами - прямозонні. Це припущення підтверджується теоретичними обчисленнями, проведеними в наближенні огинаючих функцій. Отримано стимульоване випромінювання світла в 6/3 GaAs/AlAs, котре також підтверджує прямозонний характер щілини. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Bercha I. V. Mixing of the heavy and lidht holestates and polarized luminescence in strained superlattics GaAs/AlAs / I. V. Bercha, A. I. Bercha, L. Yu. Kharkhalis // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 514-520. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.Досліджено виникаючі деформації неузгодженості та їх вплив на валентну зону тонкого шару GaAs в структурі AlAs - GaAs - AlAs за різної геометрії підкладок. Для орієнтації (001) отримано мінізони в надгратці GaAs/AlAs з врахуванням деформації неузгодженості. Аналізуються результати поляризації фотолюмінесценції надгратки GaAs/AlAs. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Bercha D. M. Electron structure and imitation of one-dimentionality in three-dimentional crystals Insub4/subSesub3/sub / D. M. Bercha, A. I. Bercha, L. Yu. Kharkhalis, K. Z. Rushchanskii, M. Sznajder // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 497-500. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|