Large thermal mismatch between GaN surface and sapphire results in compressive stress in Gallium Nitride (GaN) layer which degrades the device performance. Nanostructuring the GaN can reduce this stress leading to reduction in Quantum Confined Stark Effect. Aligned GaN nanorods based nanodevices have potential applications in electronics and optoelectronics. This paper describes the fabrication of GaN nanorods using Ni nanomasking and reactive ion etching. The morphology of GaN nanorods was studied by field emission scanning electron microscopy. The optical properties of GaN nanorods were studied by Cathodoluminescence (CL) spectroscopy. CL results revealed the existence of characteristic band-edge luminescence and yellow band luminescence.

Добре відомий негативний вплив промислових стічних вод на погіршення якості життя через утворення та викид небезпечних забруднюючих речовин, таких як поліциклічні ароматичні вуглеводні (PAHs), у водойми. У роботі описано різні підходи до виявлення та моніторингу PAHs (таких як фенантрен, антрацен, флуорантен, аценафтен, хризен, пірен і перилен) у промислових стічних водах. Сенсорні методи є найбільш можливим і широко поширеним підходом для виявлення та аналізу PAHs у промислових стічних водах. Ефективність датчика порівнюється з альтернативними методами, такими як високоефективна рідинна хроматографія (HPLC) і газова хроматографія та мас-спектрометрія (GC - MS). Відносна продуктивність різних методів виявлення на основі датчиків оцінюється в основній гарантії якості. Крім того, висвітлюються поточні обмеження та майбутні розробки методологічних підходів для їх виявлення.