Проаналізовано механізм конверсії геліконних хвиль в електростатичні хвилі, що виникає завдяки надлишковій поляризації плазми на межі з непровідною стінкою або на різкому градієнті густини. На підставі напівякісних міркувань обчислено ефективну частоту зіткнень для геліконних хвиль, що зумовлена цим механізмом, а також опір, що його вносить плазмове навантаження у коло збуджуючої антени геліконного джерела плазми. Показано добре якісне і кількісне узгодження теоретичних результатів з експериментальними даними.

Показано, що характерна для геліконних джерел немонотонна залежність опору плазмового навантаження від густини плазми приводить до виникнення критичних точок рівноваги розряду. Поблизу цих точок можуть відбуватися стрибкоподібні зміни густини, яким властива гістерезисна поведінка. Розглянуто можливість досягнення критичної рівноваги в разі плавної зміни різних зовнішніх параметрів, таких, як потужність, що вноситься в розряд, частота збудження тощо. Проведено якісне порівняння результатів з експериментальними даними.

The plant for ionic-plasma formation carbon nanotubes and other nanostructures is created. The plant contains highvacuum-pump system, working gases letting system, helicon discharge chamber, drift chamber, vacuum-arc sources, power sources and monitoring system with a small-sized optical spectrometer. The plant integrates processes plasma-enhanced chemical vapour-phase deposition, plasma clearing and activation of a substrate surface, deposition of transitive adhesive layers and metal-catalyst, direct formation process of carbon nanostructure.

Здійснено теоретичне дослідження лінійних процесів збудження електромагнітних хвиль і поглинання високочастотної (ВЧ) потужності, а також певних нелінійних процесів у плазмі геліконних джерел трьох різних типів. Для джерела з внутрішньою антеною встановлено резонансний характер поглинання потужності на квазігеліконних модах. Для джерела з зовнішньою антеною з'ясовано, що ефективне поглинання ВЧ потужності забезпечується колективним механізмом лінійної конверсії геліконних хвиль у квазіелектростатичні хвилі. Утановлено резонансні й антирезонансні властивості збудження джерела. Одержано просторові характеристики поглинання залежності імпедансу плазми від конструкції антени та різних фізичних параметрів. Для джерела з плоскою антеною знайдено характеристики збуджуваних електромагнітних хвиль і залежності поглинання потужності від фізичних і геометричних параметрів. На підставі балансу потужності у геліконному розряді з'ясовано причини різних стрибків густини плазми за плавної зміни різних зовнішніх параметрів. Для умов геліконної плазми проаналізовано лінійний і параметричних механізми збудження іонно-звукових хвиль, пондеромоторні явища та процес стохастичного прискорення електронів. Здійснено порівняння результатів експериментальних досліджень для геліконних джерел різних типів.

The vacuum-plasma module - specialized technological unit of precision size etching and multifunction ion-plasma treatment is created. It is based on the two-figure system, consisting of high selective plasma-chemical and high anisotropic reactively-ionic etch sources. The module is intended for element base structures forming of nanoelectronics and nanodevice topology, thermal emission sources, elements converting sun and thermal energy into electrical energy.

Разработаны гибридные ионно-плазменные разрядные системы технологического вакуумного оборудования, предназначенного для формирования многослойных и многокомпонентных каталитических слоев, выращивания углеродных наноструктур, нанесения покрытий с уникальными физико-техническими характеристиками, а также для прецизионного размерного травления структур нано- и субмикронной микроэлектроники.