Предложена методика, позволяющая с достаточной точностью измерить параметры p-i-n диодов в открытом и закрытом состояниях. Метод не требует установки референсной плоскости и позволяет провести измерения непосредственно в электродинамической системе проектируемой гибридно-интегральной схемы (ГИС). Предложенная методика применима также для детекторных и смесительных диодов и даёт возможность с приемлемой точностью и быстро найти характеристики, адекватные условия их работы в составе разрабатываемых устройств.

Приведены результаты разработки широкополосного волноводно-щелевого p-i-n диодного переключателя 8-миллиметрового диапазона с малыми потерями и высокой развязкой с изолированным плечом. Высокие качественные показатели переключателя - прямые потери 1,5 дБ, развязка не менее 29,5 дБ - получены благодаря последовательной тщательной разработке каждого из узлов переключателя, включающей измерение параметров используемых диодов непосредственно в линии интегральной схемы переключателя, электродинамический анализ переключающего узла и цепей питания диодов. Все это позволило реализовать переключатель с высокими качественными параметрами при использовании доступных и недорогих диодов. Параметры устройства позволили с успехом использовать его в качестве переключателя Дика в высокочувствительном радиометре миллиметрового диапазона длин волн.