Розглянуто основні біологічні особливості та окремі технологічні прийоми культивування деяких перспективних для прісноводної аквакультури України нетрадиційних і малопоширених об'єктів рибництва, а саме: веслоноса, щуки, судака, піленгаса, чорного амура, лина, ляща, золотого карася тощо.

Розглянуто соціально-економічні та організаційно-правові засади фермерського рибного господарства. Всебічно досліджено технологічні прийоми культивування коропа та рослиноїдних риб. Проаналізовано основні хвороби ставових риб, а також наведено заходи щодо їх профілактики та лікування. Значну увагу приділено промисловому вирощуванню лососевих та осетрових риб, транспортуванню, зберіганню та переробці риби.

Исследованы защитные покрытия на основе модифицированных епоксидных олигомеров с добавками отходов ЧПО "Химволокно" и РГХП "Азот" и синергистов - производных бензамидазола. Показано, что утилизация отходов дает 50%-ю экономию дефицитных эпоксидных смол, а разработанна рецептура ингибированных защитных покрытий (ИЗП) обеспечивает повышение их противокоррозионной активности за счет увеличения частных эффектов ингибирования, в особенности - блокировочного. Рост химического сопротивления стали с ИЗП малоцикловой усталости связан с пластификацией образующихся на поверхности металла полимерных металлохелатных пленок.

Розглянуто особливості використання методів електрорушійної сили та струму Холла для дослідження процесів переносу вільних носіїв заряду в тонких струмопровідних каналах напівпровідникових гетероструктур. Запропоновано коректну методику визначення рухливості mu і концентрації GAMMA електронів двовимірного (2B) газу за умов, коли ефекти, пов'язані з квантуванням Ландау, проявляються у струмоперенесенні на макроскопічному рівні.

Індекс рубрикатора НБУВ: З970.31А/Я

Шифр НБУВ: Ж14024 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.715

Рубрики:

Електричні явища при контакті металів

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено нові напрямки досліджень координаційних сполук на кафедрі неорганічної хімії Київського національного університету ім. Т.Г.Шевченка. Проаналізовано особливості фазоформування складних фосфатів у розчин-розплавах. Наведено результати дослідження з термодинаміки та структури металічних та оксидних розплавів. Розглянуто питання агрегативної стійкості дисперсних систем з часточками мікронних розмірів у розчинах неіоногенного полімера полиоксиетилену.

Освещены новые направления исследований координационных соединений на кафедре неорганической химии Киевского национального университета им. Т.Г.Шевченка. Проанализированы особенности фазоформирования сложных фосфатов в растворах-расплавлениях. Приведены результаты исследования по термодинамике и структуре металлических и оксидных расплавлений. Рассмотрены вопросы агрегативной устойчивости дисперсных систем с частицами микронных размеров в растворах неионогенного полимера полиоксиетилена.

Висвітлено історію розвитку уявлень про магнетизм електронних систем і спін електрона. Наведено основні відомості з квантової механіки, теорії магнетизму та магнітного резонансу. Розглянуто статистику електронно-діркового газу в напівпровідниках і введено уявлення про спін-залежну рекомбінацію електронів і дірок. Подано результати досліджень спін-залежної рекомбінації носіїв струму та електрично детектованого магнітного резонансу в напівпровідниках.

Індекс рубрикатора НБУВ: П729.49 + Е623.334.233Pol*80

Рубрики:

Інші осетрові

Шифр НБУВ: ВА641736 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто історію розвитку уявлень про магнетизм електронних систем і спін електрона. Подано основні відомості з квантової механіки, теорії магнетизму та фізики твердого тіла, необхідні для розгляду спін-залежних явищ у напівпровідниках і металах. Наведено основні результати досліджень спін-залежної рекомбінації носіїв струму та електрично детектованого магнітного резонансу в напівпровідниках. Розглянуто спін-залежні ефекти, які базуються на принципах дії приладів спінової електроніки. Запропоновано схеми реальних приладів.

Рассмотрена история развития представлений о магнетизме электронных систем и спин электрона. Представлены основные сведения по квантовой механике, теории магнетизма и физике твердого тела, необходимые для рассмотрения спин-зависимых явлений в полупроводниках и металлах. Приведены основные результаты исследований спин-зависимой рекомбинации носителей тока и электрически детектированного магнитного резонанса в полупроводниках. Рассмотрены спин-зависимые эффекты, лежащие в основе принципов действия приборов спиновой электроники. Предложены схемы реальных приборов.

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока, приводящего к резкому неоднородному разогреву кристалла. Проведены исследования изменения характеристик кристаллов промышленных диодов КД105-КД209. Определены энергетические параметры вводимых новых центров рекомбинации.

Regulated change of time of a life of nonbasic carriers of a charge in base diode crystal of the semiconductor under action of a short modifying pulse of the current resulting to sharp non-uniform warming up of a crystal is offered. Researches of change of the characteristics crystals of industrial diodes КД105-КД209 are lead. Power parameters of the entered new recombination centres are determined.

Наведено матеріали про репресивні заходи щодо селянства, про злочинні дії тоталітарного режиму СРСР, спрямовані на організацію голодомору 1932 - 1933 рр. в Україні. В історичних дослідженнях, свідченнях, спогадах і документах розкрито історичну правду, показано трагедію українського народу, який внаслідок голодомору втратив мільйони людей.

Приведены материалы о репрессивных мерах в отношении крестьянства, о преступных действиях тоталитарного режима СССР, направленных на организацию голодомора 1932 - 1933 гг. в Украине. В исторических исследованиях, свидетельствах и документах раскрыта историческая правда, показана трагедия украинского народа, потерявшего вследствие голодомора миллионы людей.

Висвітлено теоретичні засади фізики твердого тіла та фізики напівпровідників. Розглянуто елементи кристалографії, статистику електронів і дірок, кінетичні явища та явища перенесення. Описано ефекти, обумовлені наявністю домішок і дефектів у напівпровідниках. Охарактеризовано механізми розсіювання носіїв заряду, процеси дифузії та дрейфу. Увагу приділено явищам нестійкості у напівпровідниках. Наведено інформацію про методи псевдопотенціалу, приєднаних і ортогоналізованих плоских хвиль, рівні Ландау, ефект Холла, квазірівні Фермі, теорему Блоха.

Освещены теоретические основы физики твердого тела и физики полупроводников. Рассмотрены элементы кристаллографии, статистика электронов и дыр, кинетические явления и явления переноса. Описаны эффекты, обусловленные наличием примесей и дефектов в полупроводниках. Охарактеризованы механизмы рассеивания носителей заряда, процессы диффузии и дрейфа. Уделено внимание неустойчивости в полупроводниках. Приведена информация о методах псевдопотенциала, присоединенных и ортогонализированных плоских волнах, уровнях Ландау, эффекте Холла, квазиуровнях Ферми, теореме Блоха.

Описан автоматизированный спектрометр для исследования параметров примесных и дефектных центров в полупроводниках и полупроводниковых структурах методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Разработка набора программ для управления и обработки данных позволяет автоматизировать процессы измерения и увеличить точность полученных результатов.

The automatіc spectrometer for investigation parameters of deep levels related to impurities and defects in semiconductors and semiconducting structures by deep level transіent spectroscopy method has been presented. Application of computer for control and data processing allows to automate measurements and to increase accuracy.

Розглянуто системи та засоби автоматизації, що використовуються для забезпечення обміну інформацією між комп'ютерами та вимірювальними системи під час проведення наукових експериментів. Подано класифікацію, технічні характеристики й апаратні рішення основних системами автоматизації. Увагу приділено питанням стандартизації засобів автоматизації, принципам організації інтерфейсів, цифро-аналоговим перетворювачам, апаратним засобам збирання даних, програмованим логічним контролерам, мезонінним технологіям, процесорам цифрової обробки сигналів.

Рассмотрены системы и средства автоматизации, используемые для обеспечения обмена информацией между компьютерами и измерительными системами при проведении научных экспериментов. Поданы классификация, технические характеристики и аппаратные решения основных систем автоматизации. Уделено внимание вопросам стандартизации средств автоматизации, принципам организации интерфейсов, цифро-аналоговым преобразователям, аппаратным средствам сбора данных, программированным логическим контроллерам, мезонинным технологиям, процессорам цифровой обработки сигналов.

Запропоновано архітектуру програмного забезпечення СНРОХ, яка дозволяє проводити збереження стану виконання процесів у файлах контрольних точок і відновлення виконання процесів зі створених файлів в операційній системі Linux. Основні переваги запропонованої системи - ефективність, максимальна апаратна незалежність. Наведено порівняння запропонованої системи з аналогами та результати її тестування на обчислювальному кластері для штучно створених тестів і задач моделювання.

Досліджено механізми розсіяння електронів у розмірно-квантованих каналах МДН-структур на кремнії. Виходячи із співвідношення між транспортним і квантовим часами релаксації, зроблено висновок про превалювання розсіяння двовимірних електронів на кулонівських центрах. Одержані експериментальні значення транспортної рухливості зіставлено з розрахунковими, зробленими у борнівському наближенні. Показано, що узгодження експериментальних і розрахункових значень рухливості може бути досягнуте в разі врахування ефекту інтерференції електричних полів центрів розсіяння.

Описано автоматизовану установку для безконтактного контролю результатів технологічних обробок (ТО) напівпровідникових пластин і фізичні основи її функціонування. Можливості установки базуються на вимірюваннях зарядового стану поверхні за допомогою методу контактної різниці потенціалів і дозволяють вимірювати величину дифузійної довжини неосновних носіїв заряду. На прикладі пластин кремнію, що пройшли технологічні етапи виробництва сонячних елементів, показано основні можливості установки та надано результати досліджень, що характеризують якість ТО.

За допомогою методу термостимульованого струму проведено оцінки енергетичного положення центрів рекомбінації, введених у заборонену зону напівпровідникового діода за рахунок різкого неоднорідного термічного розігріву, створеного протіканням поодиноких коротких потужних імпульсів струму. Оцінено концентрацію створених центрів рекомбінації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З325-5

Рубрики:

Вимірювання швидкості потоку

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ