Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (12)
Пошуковий запит: (<.>A=Стрельцов Е$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5

      
Категорія:    
1.

Иванова Ю. А. 
Электрохимическое и фотоэлектрохимическое осаждение-окисление атомных слоев кадмия на поверхности гетероструктур IBnD-Si/Te и IBnD-Si/CdTe / Ю. А. Иванова, Д. К. Иванов, Е. А. Стрельцов // Теорет. и эксперим. химия. - 2009. - 45, № 1. - С. 27-31. - Библиогр.: 15 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.63 + Г576.73

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Стрельцов Е. А. 
Фотоэлектрохимические процессы на TiOVB2D-электродах, сенсибилизированных наноразмерными частицами селенида свинца / Е. А. Стрельцов, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, С. К. Позняк, А. И. Кулак // Теорет. и эксперим. химия. - 2012. - 48, № 1. - С. 29-33. - Библиогр.: 15 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Малащенок Н. В. 
Электрохимическое осаждение наночастиц PbSe и CdSe в порах анодного оксида алюминия из диметилсульфоксидных электролитов / Н. В. Малащенок, Е. А. Стрельцов, А. И. Кулак // Теорет. и эксперим. химия. - 2012. - 48, № 2. - С. 107-111. - Библиогр.: 18 назв. - рус.

Электрохимическим осаждением из диметилсульфоксидных электролитов проведено равномерное и сплошное заполнение регулярной структуры пор анодного оксида алюминия наночастицами PbSe и CdSe в виде нитевидных структур с диаметром 60 - 80 нм и длиной около 2 мкм.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.63

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Козицкий А. В. 
Влияние метода формирования пленочных наногетероструктур ZnO/CdS и TiOVB2D/CdS на их фотоэлектрохимические свойства / А. В. Козицкий, А. Л. Строюк, С. Я. Кучмий, Е. А. Стрельцов, Н. А. Скорик, В. О. Москалюк // Теорет. и эксперим. химия. - 2013. - 49, № 3. - С. 153-158. - Библиогр.: 16 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г552.7 + Г582.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Анискевич Е. Н. 
Определение электрохимически активной площади поверхности пленок PbSe и BiVB2DTeVB3D с использованием процесса осаждения атомов свинца / Е. Н. Анискевич, Н. В. Малащенок, А. С. Боковец, Г. А. Рагойша, Е. А. Стрельцов // Теорет. и эксперим. химия. - 2019. - 55, № 1. - С. 60-66. - Библиогр.: 26 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.63

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 


 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського