Теоретично проаналізовано можливість застосування п'єзофоторезистивного ефекту для дослідження параметрів неперервнорозподілених рівнів прилипання у забороненій зоні напівпровідників.

Розглянуто квазістаціонарну дворівневу систему, що зазнає впливу електромагнітного випромінювання. В адіабатичному наближенні отримано аналітичні вирази для ймовірності знаходження такої системи у збудженому стані. Записано кінетичні рівняння та проаналізовано динаміку зміни заселеностей рівнів у часі. Показано, що на відміну від стаціонарної у квазістаціонарній дворівневій системі може реалізуватись інверсна заселеність рівнів.

Висвітлено життєвий і творчий шлях відомого в Україні та за її межами вченого, доктора фізико-математичних наук, професора, завідувача кафедри теоретичної фізики, ректора Львівського національного університету ім. І. Франка - Івана Вакарчука. Наведено основні дати його життя та діяльності, бібліографію друкованих праць вченого, а також літературу про нього. Запропоновано допоміжні покажчики: алфавітний покажчик назв праць науковця та особовий покажчик.

Ключ. слова: селенід галію, окислення, фазовий перехід
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.270.26

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В374.4 + В377

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Інтерференція. Поляризація. Подвійне промінезаломлення

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4в73

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.7

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дослідженно вплив одновісного тиску на структуру шаруватих кристалів. Показано, що одновісний тиск призводить до зміни інтенсивності рентгенівських променів залежно від кута падіння променя та величини тиску. Розсіювання рентгенівських променів спричинено наближенням шарів та їх зсувом.

Проаналізовано зміни у структурі електронних станів шаруватих кристалів, які зумовлені деформацією зсуву шарів, що здійснюється модульованим низькою частотою зовнішнім тиском. Показано, що така деформація призводить до виникнення надструктури, період якої у напрямку, нормальному до площини шарів, є рівним цілому числу товщин шару. Встановлено, що взаємодія електронів з деформаційно збуреним потенціалом призводить до виникнення розривів у дисперсійній залежності енергії від хвильового вектора, які регулярно розміщені по його величині. Показано, що ця взаємодія спричинює перерозподіл електронів по станах у зонах, який реалізується процесами перекидання. Запропоновано рівняння балансу заселеності станів, проаналізовано його динаміку. Проведено оцінку нестаціонарної складової коефіцієнта міжзонного поглинання. Показано, що спектр цієї складової має смугастий характер, а фаза гармоніки модуляційної частоти є зміщеною відносно фази тиску на величину кута, який залежить від енергії кванта світла.

Проаналізовано зміни структури електронних станів шаруватих кристалів, які зумовлені деформацією кристала, що призводить до відносного зсуву шарів. Показано, що така деформація силою, яка має гармонічну складову низької частоти, призводить до дискретної зміни періоду гратки та часткового зняття виродження енергій електронних станів. Просторово-часове деформаційне збурення призводить до зняття виродження енергій, хвильові вектори яких мають компонент, нормальний до площини шарів і рівний компоненту періоду оберненої гратки деформованого кристала у цьому напрямку, і розриву функціональної залежності енергії від такого компоненту. У межах окремого періоду зняття виродження енергії відбувається в різні ексклюзивні моменти часу, в які період гратки у напряму зсуву є кратним величинам зсуву. Енергії цього інтервалу можуть бути ідентифіковані радіотехнічними методами за моментами часу різкої зміни густини електронних станів.