Получены теоретические и практические данные по чувствительности и быстродействию двухэнергетической интроскопической системы с детекторами на основе фотодиодов и сцинтилляторов ZnSe(Te) и CsI(T1); ZnSe(Te) как сцинтиллятора для низкоэнергетических детекторов, а CsI(T1)- для высокоэнергетических детекторов в рентгеновской интроскопии. Приведены характеристики и получаемые изображения контролируемых объектов для двухэнергетической инспекционной системы. Обсуждены способы увеличения пространственного разрешения этих систем, а именно, применение метода геометрической оптики и уменьшение шага детекторов.

Розглянуто сучасні проблеми сцинтиляційного матеріалознавства та передових технологій створення компактних і мініатюрних сцинтиляційних детектуючих систем для широкої галузі радіаційного приладобудування. Висвітлено основні науково-технічні аспекти синтезу сировини та вирощування сцинтиляційних кристалів, результати дослідження їх фізичних і радіаційних параметрів. Визначено критерії вибору сцинтилятора та фотоприймача, принципи побудови і конструктивні особливості радіаційних детекторів різноманітного призначення. Подано відомості про характеристики наднизькофонових спектрометричних блоків детектування нового покоління типу "сцинтилятор-ФЕП" на основі "важких" оксидних сцинтиляторів. Розкрито властивості нового типу інтегральних детекторів "сцинтилятор - фотодіод" на основі кристала ZnSe(Te). Наведено ряд прикладів практичного використання сцинтиляторів і сцинтиелектронних детекторів (СЕЛДІ) в медичних, митних і промислових інтроскопах, мініатюрних побутових, професійних багатофункціональних та аварійних дозиметрах, а також у радіометричних і спектрометричних системах.

Ключ. слова: кристаллы AIIBVI соединений, сцинтилляционные характеристики, центры люминесценции, детекторы ионизирующих излучений
Індекс рубрикатора НБУВ: К967.2

Рубрики:

Технологія виробництва апаратів та приладів ядерної фізики

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что ХС обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффективного атомного номера (Zэфф=26 - 33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8 - 3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения

Розглянуто особливості отримання халькогенідних сцинтиляторів (ХС) на основі сульфіду та селеніду цинку. Дослідження показали, що ХС мають високий світловиход, низьке післясвітіння, малий термін висвічування, низьке значення ефективногоатомного номеру (Zэфф=26 - 33), велику ширину забороненої зони (Eg=2,8 - 3,6 эВ), высоку термостабільність вихідних параметрів. Показано перспективність їх використання у різних приладах сучасного радіаційного приладобудування.

The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26 - 33), large band gap (Eg=2,8 - 3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown.