Рассмотрены методы получения пористого карбида кремния, его свойства, влияние состава электролита, времени травления и плотности тока на морфологию пористого слоя, а также зависимость структуры пор от легирования подложки. Результаты сопоставлены с данными по пористому кремнию.

The methods of fabricating of the porous SIC, its properties, the etching time and current density dependence on the morphology of the porous layer, as well as the dependence of the doping degree on the pore structure are considered.