Дисертацію присвячено побудові динамічної моделі формування продуктивності та якості врожаю топінамбуру. Досліджено вплив факторів навколишнього середовища на продуктивність та якість врожаю топінамбуру. На підставі багаторічних експериментальних даних побудована модель формування продуктивності топінамбуру "Клімат - врожай (топінамбур)", яка враховує особливості вегетативного та репродуктивного розвитку рослин і реалізується на основі багаторічних, кліматичних та агрометеорологічних показників. Динамічна модель формування продуктивності топінамбуру використана для встановлення просторового розподілення агроекологічних категорій та оцінок врожайності топінамбуру по областях України, а також для оцінки агрокліматичних ресурсів України стосовно вирощування цієї культури.

Досліджено теоретико-методологічні та практичні питання статистичного аналізу формування структури та динаміки валового внутрішнього продукту (ВВП). Визначено напрями дослідження динаміки ВВП та його структурних елементів на стадіях виробництва, утворення, розподілу доходів і кінцевого використання в аспекті формування продукту за участі інституційних секторів економіки й окремих видів економічної діяльності. Обгрунтовано можливості використання ВВП як об'єкта статистичного дослідження у контексті ідеології системи національних рахунків. Виокремлено компоненти ВВП, на базі яких доцільно здійснювати статистичний аналіз. Сформульовано теоретичні засади аналізу ВВП за інституційними секторами економіки. Теоретично обгрунтовано та здійснено розрахунки горизонтально-вертикальної структури ВВП. Розкрито методологічні засади міжнародних зіставлень ВВП та його компонентів, визначених за методом кінцевого використання, розроблено трендові моделі для визначення тенденцій розвитку ВВП з застосуванням методики оцінки впливу сезонних коливань на квартальні показники ВВП та використанням системи індексів для оцінки впливу окремих факторів на обсяг ВВП. Побудовано модель впливу ВВП на рівень життя населення.

Розглянуто принципи побудови існуючих систем керування літальними апаратами і запропоновано квазіпредметний спосіб керування та навчання пілотів.

Отмечено, что источники СВЧ-шума в сантиметровом и миллиметровом диапазонах с высоким уровнем спектральной плотности мощности шума имеют целый ряд важных применений, среди которых системы связи, автомобильной локации и радиометрии. Однако, на сегодняшний день выбор эффективных твердотельных генераторов шума на частотах более 40 ГГц ограничен. Одним из вариантов активного элемента для шумовой генерации являются предлагаемые приборы – диоды с катодным статическим доменом на основе гетероструктуры. В работе исследованы статические, импедансные и шумовые характеристики структур GaAs-AlGaAs и AlGaAs-GaAs, в которых за счет профиля легирования на гетеропереходе формируется статический домен сильного поля. Характеристики рассматриваемых диодов сравниваются с характеристиками аналогичных приборов на основе GaAs. Исследование показало существование в диодах участков с отрицательным сопротивлением на частотах, близких к 50 ГГц, а наилучшими характеристиками, с точки зрения генерации шума в диапазоне частот 25 - 75 ГГц, обладает гетероструктура GaAs-AlGaAs. Результаты исследования позволили определить основные свойства предложенных диодных элементов и являются ориентиром для дальнейшего детального анализа физических процессов в них и практической реализации.

Зазначено, що джерела НВЧ-шуму в сантиметровому та міліметровому діапазонах з високим рівнем спектральної густини потужності шуму мають низку важливих застосувань, серед яких системи зв'язку, автомобільної локації та радіометрії. Однак, на цей час вибір ефективних твердотільних генераторів шуму на частотах понад 40 ГГц обмежений. Одним із варіантів активного елемента для генерації шуму є запропоновані прилади - діоди з катодним статичним доменом на основі гетероструктури. У роботі досліджено статичні, імпедансні та шумові характеристики структур GaAs-AlGaAs і AlGaAs-GaAs, в яких за рахунок профілю легування на гетеропереході формується статичний домен сильного поля. Характеристики розглядуваних діодів порівнюються з характеристиками аналогічних приладів на основі GaAs. Дослідження показало існування в діодах ділянок з відємним опором на частотах, близьких до 50 ГГц, а найкращі характеристики, з точки зору генерації шуму в діапазоні частот 25 - 75 ГГц, має гетероструктура GaAs-AlGaAs. Результати дослідження дозволили визначити основні властивості запропонованих діодних елементів і є орієнтиром для подальшого детального аналізу фізичних процесів у них та практичної реалізації.

The sources of noise in the microwave and mm-cm bands with high noise power spectral density have a number of important applications, including communications, automotive location and radiomeasurement. However, there is not many efficient solid-state generators of noise at frequencies above 40 GHz. The proposed active element for noise generating (heterostructure-based diodes with the cathode static domain) may be one of them. In these paper the static, impedance and noise characteristics of the GaAs-AlGaAs and AlGaAs-GaAs-based structures were investigated. In this structures the static domain of the strong field is formed due to doping profile at the heterojunction. The characteristics of considered diodes are compared to those of similar GaAs-based devices. The existence of regions in diodes with negative resistance at frequencies close to 50 GHz was shown. The GaAs-AlGaAs-based heterostructure has the best performance for a noise generation in the frequency range of 25 - 75 GHz. The main properties of proposed structures are determined and can be used for further detailed analysis of physical processes of the structures and manufacturing.

Рассмотрены короткие диоды, в которых формируются катодные статические домены и возникает ударная ионизация. Особенностью рассматриваемых диодов является наличие гетероперехода на катодном контакте и области варизонного полупроводника. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло. Исследовано влияние профиля легирования на вольтамперные характеристики диодов. Получены распределения концентрации носителей и электрического поля, определены зависимости параметров катодного статического домена от структуры диода и напряжения смещения. Показано, что определяющее влияние на параметры домена и вольтамперные характеристики оказывает ширина обедненной области на катоде. Продемонстрировано роль ударной ионизации, как механизма релаксации энергии электронов.

Рассмотрена работа диодов на основе соединений AlGaN и InGaN в режиме с ограничением накопления объемного заряда. Проанализирована эффективность генерации диодов с учетом возможности возникновения ударной ионизации. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло в приближении локальной зависимости скорости ударной ионизации от электрического поля. Определены максимальные эффективности генерации диодов на заданной частоте и частотный диапазон их работы. Получены энергетические характеристики диодов с различной длиной и составом материала. Молярная доля алюминия и индия менялась от 0 до 0,4. Показано, что ударная ионизация оказывает наибольшее влияние на работу InGaN - диодов и приводит к уменьшению эффективности их генерации.

Рассмотрены кинетические процессы в тройном полупроводниковом соединение GazIn1-zAs в условиях возникновения инициированной электронами ударной ионизации. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло с учетом зависимости всех параметров полупроводника от координаты. Определены параметры ударной ионизации в однородных соединениях GazIn1-zAs в зависимости от содержания Ga и неоднородных структурах с различным законом его пространственного распределения и произведен их сравнительный анализ. Показано, что промежутки времени задержки развития ударной ионизации соответствуют частотам терагерцового диапазона, а ударную ионизацию в варизонных полупроводниках возможно использовать для получения генерации в этом диапазоне.

Подано результати статистичних досліджень соціально-економічних і демографічних процесів, що відбуваються в Україні та сусідніх державах. Наведено інформацію про основні концепції методології статистичного оцінювання якості життя. Увагу приділено оцінюванню перспектив відтворення українського населення у контексті другого демографічного переходу, проблемам нерівності в українському суспільстві, особливостям використання статистичних класифікацій та групувань ринку нерухомості для структурно-динамічного аналізу. Охарактеризовано статистичні методи індикативного оцінювання можливих фінансових махінацій. Зазначено, що сформульовані в монографії висновки та положення дозволяють визначити напрями, методи та механізми подальших статистичних досліджень суспільних процесів на макро- та мезорівнях.

Досліджено можливості підвищення граничних частот роботи напівпровідникових приладів для використання їх для генерації електромагнітних коливань та шуму в терагерцовому та субтерагерцовому діапазонах. Розроблено математичну модель транспорту носіїв заряду, що враховує ударну іонізацію та неоднорідний розподіл складу. Досліджено початкову стадію ударної іонізації в напівпровідникових сполуках InGaAs, InGaN та InAlN. Досліджено генерацію шуму в коротких діодах з катодним статичним доменом, що містив варізонний шар на катоді. Вперше досліджено можливість отримання надвисокочастотної генерації та визначено енергетичні та частотні характеристики структур GaAs – варізонний шар GazIn1-zAs, що працюють в умовах ударної іонізації у варізонному анодному шарі. Запропоновано та досліджено планарну структуру з бічною n+-границею на основі варізонного GaInAs напівпровідника. Частотна межа генерації структури перевищує 300 ГГц на основній частоті. Отримані результати дозволять удосконалити існуючі джерела терагерцового діапазону та створити нові. Отримані шумові характеристики ДКСД свідчать про можливість їх використання у радіометричних системах в якості опорних джерел шуму.