Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14

Рубрики:

Когерентна оптика. Лазерна оптика, лазерна поляриметрія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фактор поглощения излучения, дифрактометрия, плавленный кварц, монокристаллический сплав Ni - 11,8% ат.Mo.
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134 + В378.21

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Структурний аналіз монокристалів металів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Зроблено розрахунки ефективного перерізу домішкового розсіяння дірок за наявності резонансних домішкових станів. Залежність перерізу розсіяння від енергії дірки носить резонансний характер. Збільшення одноосьового тиску (ОТ), має наслідком як зменшення перерізу розсіяння, так і загасання резонансних піків. Резонанси відсутні в разі розсіяння паралельно напрямку ОТ і найбільш чітко виявляються в перпендикулярному напрямку. Анізотропію перерізу розсіяння в імпульсному (координатному) просторі пояснено характером анізотропії збурення, внесеного потенціалом домішкового центра у хвильову функцію вільного стану.

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.6 + В371.35

Рубрики:

Розсіяння світла

Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фотолюминесценция, рамановское рассеяние, дифрактометрия, электронное облучение, дозы облучения, легирование медью, фуллерены
Індекс рубрикатора НБУВ: В372 + В374

Рубрики:

Структура твердих тіл

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372

Рубрики:

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Предложен полуаналитический самосогласованный метод расчета полупроводниковой гетероструктуры, содержащей одиночную квантовую яму с однородно легированными барьерами. В методе использованы приближения, которые позволили заменить численное решение уравнения Пуассона аналитическим и добиться быстрой сходимости процедуры счета. Предложенный подход позволяет получить вид энергетического профиля структуры, энергию уровней размерного квантования, положение уровня Ферми, концентрацию носителей заряда в яме, а также длину слоя обедненного заряда в барьерах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3 + В377.3

Рубрики:

Квантова теорія

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены перспективы использования суперконденсаторов в качестве элементов спутниковой системы энергообеспечения. Проведена серия лабораторных экспериментов по влиянию гамма- и электронного облучения на характеристики суперконденсаторов. Установлено, что суммарная эквивалентная доза радиации, способная ухудшить основные технические характеристики источника энергии, может быть накоплена на околоземных орбитах за время, которое значительно превышает время жизни самого спутника. Показано, что наиболее чувствительным к действию ионизирующей радиации элементом конструкции суперконденсаторов является электролит.

Исследовано влияние разогрева носителей тока импульсным электрическим полем на проводимость и магнитосопротивление композиционных углеродных резисторов (марки ТВО) в диапазоне температур жидкого гелия. Установлено, что разогрев носителей в полях до 60 В/см при T = 4,2 K приводит к уменьшению магнитосопротивления примерно в 4 раза при сохранении достаточно высокой температурной зависимости сопротивления. В полях более 400 В/см в диапазоне 4 - 20 K сопротивление ТВО резистора перестает зависеть от температуры. Результаты объясняются в рамках модели прыжковой проводимости между хаотично сгруппированными углеродными нанозернами. Показана возможность уменьшения погрешности в измерении температуры ТВО резисторами в магнитном поле.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.206 + Л424.52

Рубрики:

Властивості наноматеріалів

Електровугільні та графітові вироби

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В широкому інтервалі температур (300 - 1,8 К) досліджено електричну провідність вуглецевих нанокомпозитних ТВО резисторів, що використовуються як температурні сенсори. Встановлено, що при температурах нижче 77 К, де провідність має стрибковий характер, вид її температурної залежності для резисторів, що мають різний опір при кімнатній температурі, різний. Вимірювання спектрів комбінаційного розсіювання показали, що резистори відрізняються розміром наночастинок вуглецю в композитному матеріалі області, що проводить, та його дисперсією вздовж напрямку протікання струму. Із виміряних залежностей провідності від температури та величини прикладеного електричного поля, в умовах розігріву носіїв струму полем, визначено довжини локалізації носіїв, які майже на два порядки перевищують розміри вуглецевих наночастинок. Особливості провідності, що спостерігаються, пояснюються неоднорідністю розподілу вуглецю в композиті з утворенням скупчень наночастинок з квазіметалевою провідністю, в той час як між скупченнями провідність має стрибковий характер.

Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами.

В широкому інтервалі температур (300 - 1,8 К) досліджено електричну провідність вуглецевих нанокомпозитних ТВО резисторів, що використовуються як температурні сенсори. Встановлено, що при температурах нижче 77 К, де провідність має стрибковий характер, вид її температурної залежності для резисторів, що мають різний опір при кімнатній температурі, різний. Вимірювання спектрів комбінаційного розсіювання показали, що резистори відрізняються розміром наночастинок вуглецю в композитному матеріалі області, що проводить, та його дисперсією вздовж напрямку протікання струму. Із виміряних залежностей провідності від температури та величини прикладеного електричного поля, в умовах розігріву носіїв струму полем, визначено довжини локалізації носіїв, які майже на два порядки перевищують розміри вуглецевих наночастинок. Особливості провідності, що спостерігаються, пояснюються неоднорідністю розподілу вуглецю в композиті з утворенням скупчень наночастинок з квазіметалевою провідністю, в той час як між скупченнями провідність має стрибковий характер.

Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами.