1. |
Мелебаев Д. Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au - IBnD - GaAs / Д. Мелебаев, Г. Д. Мелебаева, Ю. В. Рудь, В. Ю. Рудь // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 3. - С. 33-37. - Библиогр.: 21 назв. - рус. Ключ. слова: структура "металл-полупроводник", химический метод получения, фоточувствительность, высота барьера Шоттки, освещение, фотоэлектрический метод определения Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|