Рассмотрена деятельность международных автотранспортных организаций как единой системы. Приведены особенности организации международных автомобильных перевозок, а также образцы документов, используемые при этом.

Решена задача многокритериального синтеза спектральной плотности мощности максимально скрытных по критерию максимума условной энтропии сигналов. Показано, что по сравнению с известными, синтезированные сигналы обеспечивают на 10...30% более высокую структурную скрытность при таких же значениях разрешающей способности, неоднозначности и точности оценки времени запаздывания сигнала.

Індекс рубрикатора НБУВ: К621.003-1

Рубрики:

Гаряче прокатування металів

Шифр НБУВ: Ж28347 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто особливості оподаткування громадян. Подано роз'яснення щодо оподаткування їх доходів, сплати прибуткового податку, а також справляння державного мита та інших платежів (плати за землю, митних зборів під час перетину кордону, податків із власників транспортних засобів).

Розроблено та промодельовано інтегральний НВЧ підсилювач потужності класу Е на частоту 2,4 ГГц для виготовлення за стандартною 0,18-мкм КМОН технологією. Внаслідок використання диференціальної топології та каскадної схеми вихідного каскаду, підсилювач має вихідну потужність 0,47 Вт на 50-Ом навантаженні з 60 % к.к.д. за доданою потужністю за напруги живлення 1,2 В.

Разработан и смоделирован интегральный СВЧ усилитель мощности класса Е на частоту 2,4 ГГц для изготовления по стандартной 0,18-мкм КМОП технологии. Используя дифференциальную топологию и каскодную схему выходного каскада, усилитель имеет выходную мощность 0,47 Вт на 50-Ом нагрузке с 60 % к.п.д. по добавленной мощности при напряжении питания 1,2 В.

A 2,4 GHz integrated class-E power amplifier implemented in 0,18-?m CMOS technology was designed and simulated. Using differential topology and cascode output stage the amplifier delivers 0,47 W of output power in 50-Ohm load with PAE of 60% with supply voltage of 1,2 V.

Розглянуто фотоіндуковані зміни густини енергії магнітної анізотропії в (110)-пластинах монокристалів фериту-гранату (ФГ) з фотомагнітними властивостями. Показано, що опромінення фотомагнетика призводить до формування магнітного дефекту - локальноі області з просторово неоднорідним розподілом густини енергії магнітної анізотропії. Зазначений розподіл зумовлений просторовими дисперсіями константи й орієнтації осі симетрії фотоіндукованої одновісної магнітної анізотропії, що з'являються та змінюються в процесі опромінення. Наслідком таких змін є формування в об'ємі магнітного дефекту області з метастабільним станом вихідної магнітної фази.

Індекс рубрикатора НБУВ: В677.7

Рубрики:

Скупчення галактик

Шифр НБУВ: Ж14258 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В677.7

Рубрики:

Скупчення галактик

Шифр НБУВ: Ж14258 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Теоретически и экспериментально исследована периодическая диэлектрическая структура в прямоугольном волноводе 8-мм диапазона, которая является аналогом одномерного фотонного кристалла в оптическом диапазоне длин волн. Экспериментально зафиксирована форма, величина и положение запрещенной зоны, которые соответствуют расчетным данным. Расчет проведен на основе теории связанных волн, модифицированной для учета особенностей волноводного распространения излучения в резонансной структуре СВЧ диапазона.

Використано FDTD метод числового розв'язку рівнянь Максвелла для дослідження проходження електромагнітного випромінювання крізь періодично неоднорідний планарний хвилевід. Одержано спектральні залежності для коефіцієнта пропускання. Результати досліджень порівняно з аналітичними розрахунками. Обговорено основні переваги та недоліки числового розрахунку таких систем.

Проведено теоретическое и экспериментальное исследование широкополосного усилителя класса E на SiC ПТШ в микрополосковом исполнении с учетом сопротивления транзистора в открытом состоянии. Полученные экспериментально зависимости кпд и полосы пропускания находятся в хорошем соответствии с результатами теоретического расчета.

Розглянуто 3 концепції підсилювачів НВЧ із додаванням потужності: класу E/F, із взаємодією на гармоніках і за розширеною резонансною методикою. Наведено результати моделювання та експериментального дослідження таких підсилювачів. Зроблено висновок, що найбільш ефективним і простим у реалізації є підсилювач за розширеною резонансною методикою.

Изложены принципы построения преобразователя частоты с промежуточным звеном высокой частоты для автономной системы электроснабжения. Отличительная особенность принятых решений состоит в модульном принципе построения высокочастотных узлов силовой схемы с рабочими частотами не ниже 100 кГц и применении высокопроизводительных микроконтроллеров и ПЛИС. Работа выполнена по государственному контракту N 13.G36.31.0010 от 22.10.2010 г.

Исследованы электромагнитные процессы в системе генерирования электрической энергии переменного тока переменной частоты, состоящей из синхронного генератора с постоянными магнитами и полупроводникового преобразователя, выполняющего роль реактивной нагрузки и обеспечивающего уменьшение/увеличение эквивалентного потокосцепления в зазоре генератора. Получены соотношения для расчета основных параметров преобразователя и генератора, позволяющие оценить массогабаритные показатели системы. Исследовано влияние параметров генератора на токовую загрузку силовых полупроводниковых приборов. Работа выполнена по государственному контракту N 13.G36.31.0010 от 22.10.2010 г.

Увагу присвячено розвитку методів розрахунку автогенераторів і підсилювачів класу Е та удосконаленню схем, що дозволить розширити межі застосування активних пристроїв класу Е за рахунок отримання потрібних характеристик схеми. Розроблено аналітичний метод розрахунку підсилювача класу Е з паралельним вихідним контуром за умови наявності додаткової послідовної, зазвичай паразитної, реактивності навантаження та встановлено закономірності зміни параметрів вихідного кола в залежності від знаку та величини додаткової реактивності. Розвинуто метод розрахунку підсилювача класу Е з паралельним вихідним контуром із введенням в схему додаткового контуру, що дозволило знизити пікову напругу на транзисторі та отримувати параметри підсилювача в залежності від положення мінімуму напруги. Показано можливість зниження пікової напруги також за рахунок зміни значення коефіцієнта заповнення вхідного сигналу. Встановлено закономірності між додатковими складовими опору транзистора у відкритому стані та параметрами елементів вихідного кола підсилювача класу Е. На прикладі застосування SiC та GaN транзисторів у широкосмугових підсилювачах класу Е проведено уточнення моделей транзисторів для їх використання при моделюванні роботи підсилювача класу Е. Запропоновано нову конструкцію автогенератора класу Е зі зміненим колом зворотного зв'язку, що дозволило отримати більшу стабільність частоти.