Детально розглянуто теоретичні засади вакуумної техніки, фізико-хімічні явища за низьких тисків, сучасні методи одержання високого та надвисокого вакууму, фізико-технічні принципи роботи вакуумних насосів. Наведено характеристики механічних, адсорбційних, термічних, електричних, виморожувальних уловлювачів.

Подробно рассмотрены теоретические основы вакуумной техники, физико-химические явления при низких давлениях, современные методы получения высокого и сверхвысокого вакуума, физико-технические принципы работы вакуумных насосов. Приведены характеристики механических, адсорбционных, термических, электрических, вымораживающих уловителей.

Розглянуто результати дослідження впливу електричного поля на емісійні властивості скандатних металевопористих емітерів з реній-вольфрамовою матрицею. Показано, що зростання напруженості прикладеного до емітера електричного поля призводить до зміни хімічного складу його емісійно-активної речовини, і, як результат, до зменшення автоелектронної складової загального анодного струму. Збільшення температури емітера за сталого значення напруженості електричного поля призводить до відновлення складу його емісійно-активної речовини та до відновлення термоавтоемісійного характеру його емісії.

Комплексно досліджено вплив ренію та окису скандію на механізм емісії імпрегнованих вольфрамових термоемітерів. Показано, що емісійна здатність скандій-барієвих, реній-вольфрамових і вольфрамових емітерів та її залежність від напруженості електричного поля не визначається матеріалом матриці, а пов'язана з наявністю в їх емісійно-активній речовині окису скандію. Проте процеси формування емітувальної поверхні емітерів із різним матеріалом матриці є істотно різними. Під час використання вольфрамової матриці вплив окису скандію полягає в збільшенні кількості та зміні форми кристалітів на емітувальній поверхні емітера, що призводить до формування умов термо-автоелектронної емісії, а реній-вольфрамової матриці - наявність окису скандію поряд зі збільшенням розмірів кристалітів активної речовини призводить до змін складу емітувального шару емітера, що супроводжується тим же термо-автоелектронним ефектом.

Експериментально вивчено адсорбцію продуктів випаровування металевопористих емітерів на підкладку з оксиду скандію. Показано, що за одночасного напорошення на оксид скандію продуктів випаровування з МПЕ, якими є Ba, BaO та Ca, адсорбція має складний характер. Аналіз одержаних результатів дозволив запропонувати фізичну модель утворення кристалічної структури за адсорбції активної речовини МПЕ на оксид скандію.

Теоретично вивчено вплив електричного поля на фізико-хімічні та емісійні властивості металевопористих емітерів. Результати проведених числових оцінок демонструють різний ступінь якісного та кількісного узгодження із експериментальними даними для емітерів із різним матеріалом матриці та різним складом емісійно-активної речовини, що є доказом на користь висновків про те, що процеси формування робочої поверхні емітерів з різним матеріалом матриці та механізм впливу електричного поля на їх параметри істотно різні.

Викладено фізичні основи термо- та автоелектронної, а також вторинної електрон-електронної емісій. Докладно розглянуто процес адсорбції газів і металів на поверхні твердих тіл. Розглянуто види адсорбції, природу адсорбційних сил, вплив адсорбції на електронні властивості матеріалу. Розкрито поняття адсорбційної рівноваги, описано метод вивчення процесу адсорбції за зміною роботи виходу. Увагу приділено методу контактної різниці потенціалів (КРП) для вивчення адсорбції моноатомних шарів на металах.

Проведено огляд наукових робіт, присвячених найбільш ефективним сучасним термоелектронним катодам, а саме: оксидним катодам (ОК) та металево-пористим катодам (МПК). Увагу приділено аналізу механізмів емісії цих джерел електронів. Розглянуто зв'язок емісійної здатності МПК з їх фізико-технічними параметрами. Обговорено вплив технології виготовлення на експлуатаційні характеристики катодів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ