Рассмотрена физическая модель для расчета полескоростной характеристики основных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs), основанная на уравнениях сохранения импульса и энергии, расчете времен релаксации импульса. Показано влияние на степень насыщения упругости рассеяния на оптических фононах.

За допомогою аналітичних виразів для часу релаксації енергії за різних механізмах розсіювання для кубічного нітриду галію розраховані поле-швидкісна й поле-температурна характеристики, а також функція заселеності долин у сильному електричному полі. На основі розрахунку високочастотної провідності проведена оцінка граничних частотних можливостей нітриду галію.

С помощью аналитических выражений для расчета времени релаксационных процессов при различных механизмах рассеяния для кубического нитрида галлия рассчитаны поле-скоростная и поле-температурная характеристики, а также функция заселенности долин в сильном электрическом поле. На основе расчета высокочастотной проводимости проведена оценка предельных частотных возможностей нитрида галлия.

Using the analytical expressions for relaxation times of different scattering mechanisms field-velocity and field-temperature characteristics were calculated as well as the valleysТ occupation function for gallium nitride in the strong electric field. The estimation of the limit frequency abilities of gallium nitride was carried out on the basis of the high-frequency conductivity calculations.