Викладено математичні основи криптографії, розглянуто питання множин та відношень, багаточленів та їх коренів, полів Галуа. Описано теорію чисел, висвітлено основи класичної криптографії та криптографічні алгоритми теорії чисел.

Изложены математические основы криптографии, рассмотрены вопросы множеств и отношений, многочленов и их корней, полей Галуа. Описана теория чисел, освещены основы классической криптографии и криптографические алгоритмы теории чисел.

Наведено тлумачення (українською та російською мовами) понад 1 500 термінів та визначень з питань технічного захисту інформації й інформаційної безпеки. Розкрито сутність таких понять, як активні радіозавади, верифікатор, відкритий розподіл ключів, захищений канал, однобічна хеш-функція, програмна закладка, стеганографічний аналіз.

Приведено толкование (на украинском и русском языках) более 1 500 терминов и определений по вопросам технической защиты информации и информационной безопасности. Раскрыта сущность таких понятий, как радиопомехи, верификатор, открытое распределение ключей, защищенный канал, одосторонняя хеш-функция, программная закладка, стеганографический анализ.

Описан автоматизированный спектрометр для исследования параметров примесных и дефектных центров в полупроводниках и полупроводниковых структурах методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Разработка набора программ для управления и обработки данных позволяет автоматизировать процессы измерения и увеличить точность полученных результатов.

The automatіc spectrometer for investigation parameters of deep levels related to impurities and defects in semiconductors and semiconducting structures by deep level transіent spectroscopy method has been presented. Application of computer for control and data processing allows to automate measurements and to increase accuracy.

Досліджено інформаційні аспекти кровообігу. Отримано модель кровообігу з використанням кінематичних рівнянь потоку крові.

Описаны результаты внедрения системы электромагнитного контроля процесса термоупрочнения арматурного проката с использованием микропроцессорного индикатора магнитной фазы на стане 250-5 комбината "Криворожсталь" в условиях массового производства профилей N 25, 28, 32 класса А500.

The effect of the superconducting transition in the metal upon the transport of charge carriers through a superconductor - semiconductor contact with an intermediate tunnel - transparent insulating layer has been analyzed. The superconducting transition of the metal decreases the direct current and increases the reverse current of thermionic emission in the contact. On operation of the tunnel mechanism of transport of charge carriers, the decrease in the thickness of the intermediate insulating layer and in the degree of the doping of the semiconductor causes an increase in the non-linearity parameter of the current - voltage characteristic.

Індекс рубрикатора НБУВ: З312

Рубрики:

Теплопередача (теплообмін)

Шифр НБУВ: Ж14162 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено математичне моделювання нестаціонарного процесу конвективно-кондуктивного теплопереносу в системі теплоенергоспоживання. Одержано типові поля основних термогідродинамічних величин для різних інтервалів часу, а також проведено порівняння одержаних температурних полів з експериментальними даними.

Наведено математичне моделювання нестаціонарних теплофізичних процесів, що перебігають у складних технічних системах з інтенсивно працюючою радіоелектронною апаратурою. Як приклад розглянуто тепловий макет типового модуля негерметичного відсіку для приладів сучасного космічного апарата, обладнаного системою забезпечення теплового режиму на базі гнотових теплових труб. Змодульовано робочі умови перебігу теплофізичних процесів у процесі наземних випробувань космічного апарата. Реалізовано спряжену постановку задачі, в якій процеси переносу тепла та маси у тепловій трубі розглядаються разом з процесами тепловиділення, теплопереносу в елементах конструкції відсіку для приладів і теплообміну з довкіллям.

Математически смоделирована смешанная конвекция вязкой несжимаемой жидкости в прямоугольной полости с источниками ввода и отвода массы в сопряженной постановке. Получены пространственные распределения гидродинамических параметров и температур, характеризующие основные закономерности исследуемого процесса. Выделены циркуляционные течения и проанализированы распределения температуры в зонах области решения при различных расположениях участков ввода и оттока массы.

Численно решена трехмерная нестационарная задача теплопроводности в корпусе силового биполярного транзистора с восемью источниками тепловыделения общей мощностью 60 Вт с учетом конструктивных особенностей таких полупроводниковых приборов. Установлено, что пространственное моделирование температурных полей в таком сложном объекте позволяет существенно повысить степень детализации распределений температур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З325-5

Рубрики:

Вимірювання швидкості потоку

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Численно решена задача о нестационарном температурном поле для трехслойного цилиндра "стенка трубы - слой изоляции - слой воды". На границе "теплоизоляция - вода" учтено наличие испарения. Установлено, что затопление теплотрубопровода приводит в типичных условиях работы магистральных теплосетей к увеличению тепловых потерь (ТП) более чем в 5,5 раз. При этом доля ТП, связанных с испарением, составляет от 2,4 до 11,1 %, а рост влагосодержания изоляции ведет к соответствующему росту интенсивности теплоотвода с внешней поверхности трубопровода.

Решена двухмерная задача тепломассопереноса в двухслойной пластине (газ - металл) при воздействии лазерного излучения на границу раздела сред. Исследовано влияние плотности теплового потока и продолжительности времени нагрева на глубину упрочняемого слоя и характер распределения азота в зоне лазерного воздействия. Выделены диапазоны изменения параметров теплового воздействия, соответствующие регламентным режимам лазерного легирования.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 + В379.222

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано методику контролю типу та розподілу структурно-домішкових дефектів у поверхневому шарі кремнію за допомогою методу декорування. Концентрація поверхневих дефектів суттєво залежить від кристалічної орієнтації кремнію, що визначає відмінності за умов формування реакційних шарів.

Обгрунтовано концепцію оптимального керування нелінійними технологічними процесами рудопідготовки з використанням інтелектуального прогнозування стану об'єкта керування, яка забезпечує синтез і реалізацію оптимального керування у реальному масштабі часу.

З'ясовано процеси утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу високотемпературних надпровідних (ВНП) купратних оксидів, визначено домінуючі механізми електропровідності в таких фазах. З використанням теоретичної моделі контакту метал - напівпровідник проаналізовано вплив надпровідності одного з електродів (металу або напівпровідника) на процеси переносу носіїв заряду. Одержано аналітичні вирази для надбар'єрної та тунельної компонент струму через контакт з урахуванням ролі проміжного діелектричного шару. Установлено основні закономірності між структурно-хімічними та електрофізичними властивостями контактних структур ВТНП - метал, ВТНП - напівпровідник. Досліджено процеси твердофазного синтезу та визначено електричні параметри діелектричних (силікатних) та металічних (силіцидних) буферних антидифузійних шарів на кремнії. Експериментально визначено механізми впливу адсорбції на електрофізичні характеристики контактів метал - кремній з проміжним шаром купратного оксиду. Показано, що визначальними для газової чутливості є зміни провідності та діелектричної сталої проміжного оксидного шару, висоти потенціального бар'єру, перерозподілу падіння напруги в структурі.

Розглянуто базові питання криптоаналізу і його математичний апарат. Висвітлено проблеми сучасних симетричних і асиметричних криптосистем. Визначено основні параметри шифрів, джерела відкритого тексту. Увагу приділено криптоаналізу класичних шифроалгоритмів, блокових і потокових шифрів, систем шифрування з відкритим ключем, а також криптоаналізу атак за побічними каналами та новітнім технологіям криптоаналізу.

Розкрито історичні аспекти розвитку клінічної та лабораторної імунології. всебічно розглянуто структуру та принципи функціонування імунної системи, охарактеризовано імунологічні методи досліджень. Значну увагу приділено молекулярній діагностиці алергій за допомогою рекомбінантних алергенів, подано інформацію про імунне запалення та інфекційні хвороби. Охарактеризовано основні принципи призначення імунотропної терапії, питання імунопрофілактики, імунореабілітації та поліхроматичної світлотерапії. Подано детальну інформацію про природжені імунодефіцитні захворювання та придбані імунодефіцитні стани, про синдром хронічної втоми. Висвітлено основи трансплантаційного імунітету, акцентовано на імунології репродукції, імунозалежих формах безпліддя. Розглянуто сучасні клініко-імунологічні аспекти інфекцій дихальних шляхів, спричинених внутрішньоклітинними збудниками. Викладено загальні питання алергологічної діагностики, алерготерапії та алергологічної профілактики, акцентовано на алергічних (не атопічних) захворюваннях.