Крюковський С. Гетерофотоелементи IpDAlGaAs/InDGaAs підвищеної ефективності з шаром GaAs, комплексно легованим Al ТaYb / С. Крюковський, Б. Коман, Н. Струхляк // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 2. - С. 276-283. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.