Викладено загальний підхід до застосування комплексних змінних у класичних задачах кінематики, динаміки, електромагнетизму й оптики, що описують процеси періодичного характеру. Розглянуто кінематику процесів, які змінюються у часі синусоїдно, динаміку руху тіла в силовому полі, а також оптичні процеси в кристалах.

Викладено основні підходи до моделювання деяких фізичних процесів у кристалах. Розглянуто взаємодію електромагнітного випромінювання інфрачервоного та видимого діапазонів довжин хвиль (оптичні відбиття та дисперсію у резонансній області), теплові властивості гратки, електронні та дифузійні процеси, вплив власних і радіаційних дефектів, зумовлених дією лазерного випромінювання, на електронні властивості матеріалів.

Изложены основные подходы к моделированию некоторых физических процессов в кристаллах. Рассмотрено взаимодействие электромагнитного излучения инфракрасного и видимого диапазонов длин волн (оптические отражения и дисперсия в резонансной области), тепловые свойства решетки, электронные и диффузионные процессы, влияние собственных и радиационных дефектов, обусловленных действием лазерного излучения, на электронные свойства материалов.

Описано елементи квантової фізики, а також фізики твердого тіла. Висвітлено основні закони рівноважного випромінювання. Проаналізовано явище фотоефекту та його основні закономірності. Розглянуто основні положення фізики про будову атома, властивості напівпровідників. Викладено основні методи контролю параметрів напівпровідникових матеріалів. Охарактеризовано типові процеси планарної технології напівпровідникових інтегральних схем та основні алгоритми їх моделювання.

Викладено основи методології моделювання змінних у часі процесів, які проходять в системах з одним ступенем вільності. Закономірності досліджено із застосуванням аналізу фазової траєкторії, рівняння балансу енергій. Комп'ютерне моделювання динамічних процесів виконано у програмному середовищі MathCAD.

Изложены основы методологии моделирования переменных во времени процессов, проходящих в системах с одной степенью свободы. Закономерности исследованы с применением анализа фазовой траектории, уравнения баланса энергий. Компьютерное моделирование динамических процессов исполнено в программной среде MathCAD.

Викладено фізичні основи моделювання електромагнітних процесів у хвильовій оптиці. Розглянуто класичні явища, зумовлені взаємодією електромагнітного випромінювання оптичного діапазону довжин хвиль із діелектричним середовищем (дисперсії, заломлення та відбиття). Здійснено моделювання основних закономірностей багатопроменевої інтерференції, наведено апаратні характеристики інтерферометрів Фабрі - Перо.

Изложены физические основы моделирования электромагнитных процессов в волновой оптике. Рассмотрены классические явления, обусловленные взаимодействием электромагнитного излучения оптического диапазона длины волн с дилектрической средой (дисперсией, преломлением и отражением). Осуществлено моделирование основных закономерностей многолучевой интерференции, приведены аппаратные характеристики интерферометров Фабри - Перо.

За допомогою методу комп'ютерного моделювання проаналізовано закономірності формування спектрів похилого відбиття світла прозорою одноплівковою структурою. Показано, що під кутом Брюстера для одинарної межі обвідні спектрів Фабрі - Перо дотикаються між собою, тоді як під кутом, що відповідає псевдобрюстерівській умові, модулі амплітуд коефіцієнтів Френеля відбиття світла протилежними поверхнями плівки рівні між собою.

Досліджено процес енергетичного обміну між зарядом, що гармонічно коливається в електромагнітному колі під дією примусової сили, середовищем із омічним опором і джерелом зовнішньої дії, та встановлено кореляцію цих процесів з характером формування спектрів вимушених коливань.

Узагальнено алгоритм визначення параметрів прозорої плоскопаралельної одношарової структури на поверхні підкладки шляхом аналізу закономірностей формування обвідних амплітудно-фазових спектрів Фабрі-Перо в довільній геометрії досліду і стану поляризації плоскої електромагнітної хвилі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.54 + В372.6

Рубрики:

Еліпсометрія

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На базі матричного методу послідовного підсумовування багатопроменевої інтерференції в одношарових структурах обгрунтовано принцип одержання аналітичних виразів обвідних системи багатьох плівок за довільного кута падіння, поляризації хвилі та рівня поглинання й узагальнено основні їх закономірності.

Подано обгрунтування вперше розробленого методу математичного та комп'ютерного моделювання в пакеті прикладних програм MathCAD обвідних екстремумів амплітудно-фазових спектрів багатопроменевої інтерференції Фабрі - Перо плоских електромагнітних та акустичних хвиль плоскими багатошаровими структурами в області прозорості та резонансного поглинання за нормального та похилого падіння променя на межу поділу.

Розглянуто основні способи генерування псевдовипадкових чисел та критерії перевірки їх якості, що важливо для прикладного статистичного моделювання. Викладено теоретичні основи статистичного дослідження вибірки генеральної сукупності. Висвітлено статистичне моделювання фізичних систем, ентропійний зміст статистичної вибірки, статистичне моделювання випадковими комплексними змінними та застосування статистичного моделювання у сучасних технологіях мікро- і наноелектромеханічних систем. Проаналізовано загальні основи імітаційного моделювання випадкових процесів у фізико-технічних системах, марковських процесів та простих потоків масового обслуговування.

Розглянуто та проаналізовано модуляційний режим під час сканування поверхні атомно-силовим мікроскопом на базі кантелівера механічного типу. Розвинено метод розрахунку сил Ван-дер-Ваальса для конфігурування взаємодії тіл.

Досліджено фізичні процеси в макро-, мікро- та наносистемах, корпускулярно-хвильові процеси в квантових системах. Викладено базові методи математики моделювання макро-, мікро- та наносистем та наведено фізичні та математичні моделі функціонування мікро- і наносистемної техніки. Проведено статистичний аналіз флуктуацій в мікро- і наносистемній техніці. Розвинуто підхід до оптимізації мікросистемної техніки, сформульовано критерії оптимальності. Охарактеризовано оптимізацію систем кантилеверного типу, пружних деформацій мембран, тензосенсорів і плівкових покрить.

Індекс рубрикатора НБУВ: В3 в647

Рубрики:

Фізика

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В171.3

Рубрики:

Розподіл ймовірностей і характеристичні функції

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На підставі аналізу літературних джерел синтезовано базові ймовірнісні і принципи формування нормального розподілу випадкових розсіянь значень фізичних величин за умов незалежних випадкових дій на фізичну систему. Зроблений наголос на комплексному підході ймовірнісно-статистичного аналізу вибірки результатів експериментальних вимірювань.

Викладено базові фізичні принципи функціонування, моделювання та проектування явищ, матеріалів та елементів мікросистемної техніки (МСТ) із застосуванням пакетів прикладних програм MathCAD і Matlab. Увагу приділено оптимізації базових знань із фізичних основ МСТ і статистичних методів аналізу. Здійснено компонентний аналіз МСТ, розглянуто базові технології матеріалів та операції для МСТ. Описано базові принципи системного автоматизованого проектування (САПР), основні програмні засоби проектування МСТ та інтелектуальні вбудовані системи на їх основі. Окреслено сучасні тенденції проектування інтелектуальних високотехнологічних наносистем. Наведено практикум комп'ютерного моделювання базових явищ і процесів мікро- та наносистемної техніки.

Показано, що трикутник Фібоначчі утворюється з елементів степеневих перетворень квадратичного тричлена. Він є двійковим, структурований доменами рядків однакової довжини, в яких сума чисел формує послідовність чисел. Ця послідовність збігається з перетвореною бісекцією класичної послідовності чисел Фібоначчі. Обгрунтовано правило Паскаля для обчислення елементів у рядках трикутника Фібоначчі.