Одержано неокиснені шари пористого арсеніду галію. На підставі експериментальних вимірювань спектрів фотолюміненсценції та зображень поперечного сколу та зовнішньої поверхні пористих шарів показано, що чинником, який дає внесок у розширення спектральної смуги і, одночасно, її короткохвильовий зсув, є квантово-розмірні ефекти. Оцінено розміри квантових ниток.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.24

Рубрики:

Структура напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложена физико-математическая адсорбционно-десорбционно-кристаллизационная модель роста тонких пленок GaN на подложках GaAs при обработке их в активных радикалах азота. Проанализированы термодинамика, кинетика и два физико-химических механизма роста тонких пленок GaN на поверхности монокристаллических подложек GaAs. Первый квазиэпитаксиальный механизм роста осуществляется, когда родикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, вытягивают из его объема атомы Ga и на поверхности базового кристалла вырастают новые слои GaN, второй - когда активные радикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, диффундируют в объем подложки и эпитаксиальная пленка GaN растет по диффузионному механизму.

Проаналізовано механізму конвертації поверхневих шарів підкладки GaAs у сполуку GaN у результаті нітридизації. Розглянуто вплив технологічних умов нітридизації (температури підкладки GaAs і потоку атомів азоту, що падають на підкладку) на параметри тонких плівок GaN, що формуються на поверхні GaAs. Запропоновано математичну модель, що описує дифузію атомів азоту всередину підкладки GaAs та їх взаємодію з атомами підгратки миш'яку.

Раскрыты проблемы получения и изучения свойств пористого фосфида индия. Развито представление о процессах получения пористых структур, предложена методика определения порогового напряжения начала порообразования. Приведены результаты экспериментальных исследований влияния условий травления на основные характеристические параметры пористого слоя фосфида индия. Раскрыты возможности получения наноструктуры с заданными свойствами, что является важной задачей современных наукоемких технологий.

Исследовано влияние кристаллографической ориентации (КГО) исходной подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен эффективный механизм порообразования, объясняющий зависимость формы пор от ориентации исходной подложки. В случае КГО подложки (100) фосфида индия поры имеют форму, близкую к квадратной. Для образцов InP, полученных на подложках с КГО (111), система пор имеет сложный характер: поры неравномерно разбросаны по поверхности и имеют треугольную форму.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В379.251.4

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлен метод наблюдения полос роста кристаллов InP, легированных серой, заключающийся в электрохимическом травлении образцов. В результате на поверхности исследуемых кристаллов образуется картина концентрических темных колец шириной порядка 100 мкм, которые представляют собой места наиболее плотного скопления пор. Поры прорастают в тех областях, где концентрация серы максимальна. Это свидетельствует в пользу выбранного метода для наблюдения сегрегационных явлений в кристалле, которые проявляются в виде полос роста.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.6

Рубрики:

Конденсатори

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описаны особенности получения пористого слоя на поверхности монокристаллического селенида цинка n-типа. Исследована структура поверхности, представлены микрофотографии пористых слоев обработанного кристалла ZnSe. Рассмотрен процесса образования мозаичной структуры в зависимости от времени травления. Рассчитано значение потенциала плоских зон, в применении к использованному электролиту.

Предложен оригинальный метод получения встроенных нанотрубок оксида индия в пористую поверхность InP. В потоке атомарного кислорода проведен отжиг пористых образцов InP, полученных с помощью метода электрохимического травления. В результате отжига внутренняя поверхность стенок каждой поры покрывалась кислородом по всей ее длине от основания (столбика фосфида индия) до поверхности образца, образуя кислородосодержащие нанотрубки, повторяющие форму пор. При помощи метода энергодисперсионного анализа рентгеновских лучей (EDAX) был изучен химический состав поверхности полученных образцов. Также с помощью метода рентгеновской дифракции изучалась структура полученных образцов.