Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто політологію як науку та навчальну дисципліну. Визначено її функції, показано місце політичної науки в системі соціально-гуманітарних знань. Наведено суспільно-політичні уявлення стародавнього світу, античності та епохи середньовіччя. Проаналізовано особливості зародження та розвитку політичної думки в Україні (Х - початок ХХ ст.). Розкрито суть понять політики, політичних партій, виборів, політичної влади, легітимності.

Рассмотрена политология как наука и учебная дисциплина. Определены ее функции, показано место политической науки в системе социально-гуманитарных знаний. Приведены общественно-политические представления древнего мира, античности и эпохи средневековья. Проанализированы особенности зарождения и развития политической мысли в Украине (Х - начало ХХ ст.). Раскрыта сущность понятий политики, политических партий, выборов, политической власти, легитимности.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным "встроенным" зарядом оксида отрицательного заряда "медленных" поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния.

Обнаружено одновременное проявление двух поверхностных фотоэффектов в макропористом кремнии (МПК): отрицательной фотопроводимости (ФП) и поверхностно-барьерного фотодиодного (ПБФД) эффекта. Отрицательная ФП МПК проявлялась в том, что при освещении образца МПК его проводимость уменьшалась до значения меньшего, чем темновое. ПБФД эффект проявлял себя тем, что кривые люкс-амперных характеристик - зависимости ФП от интенсивности освещения - не совпадали при прямом и обратном направлениях тока, и с увеличением интенсивности освещения это расхождение увеличивалось. Полученные экспериментальные результаты объясняются образованием на поверхности полупроводника (МПК) инверсионного изгиба зон из-за прилипания на так называемых "медленных" поверхностных уровнях основных носителей заряда, что вызывает отрицательную ФП. С другой стороны, инверсионный p-слой, образующийся при этом, с объемом кремния n-типа создают индуцированный p-n-переход с весьма малой глубиной залегания (0,05 - 0,1 мкм), т.е. поверхностно-барьерный фотодиод.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследована фотопроводимость (ФП) в структурах макропористого кремния в фиолетовом диапазоне длин волн 360 - 460 нм. Большое время релаксации ФП (примерно 4 мин), которое наблюдается в эксперименте, объясняется наличием "медленных" поверхностных уровней. Особенностью наблюдаемой медленной релаксации ФП в фиолетовом диапазоне по сравнению с релаксацией ФП в сине-зеленом диапазоне видимого света является то, что она состоит из двух компонент: быстрой (примерно 1 - 2 с), во время которой проявляется приблизительно 80 % ФП, и медленной (4 мин), во время которой ФП достигает максимального значения.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-106 + В379.42

Рубрики:

Кремній

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.42

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ