Пропонується модель деформаційного формування поверхневого бар'єра у напівпровіднику, розглядається його вплив на властивості контакту "метал - напівпровідник". Висвітлюються питання електропровідності системи квазідвовимірних електронів, наведені термодинамічні величини електронного газу у шаруватих кристалах. Здійснено розрахунок концентрації радіаційних дефектів у багатоатомних сполуках під час каскадоутворюючого опромінення, а також синтез подільника частоти з дробовим коефіцієнтом ділення тощо.

Наведено результати досліджень у галузі матеріалів електронної техніки, зокрема, розглянуто особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію. Проаналізовано питання фізики, технології та виробництва елементів, приладів і систем електронної техніки, у т.ч. стабільність інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги, товстоплівкові конденсатори на ізоляційних пастах, методи підвищення якості зображень у радіолокаційних системах із синтезованою апертурою. Окрему увагу приділено експериментальним і теоретичним дослідженням електронних процесів.

Досліджено процеси конденсації тонких шарів оксидних люмінофорних матеріалів із лазерної плазми, структурні перетворення в тонких плівках оксиду ітрію у процесі високотемпературного відпалу. Наведено оптичні характеристики вимпромінювача з дискретно керованою довжиною випромінювального тіла для фотостимуляційної квантової терапії, методику розробки алгоритмічної бази для мікроелектронних систем аналізу біологічних сигналів. Описано автоматизовану систему для дослідження оптичних та електричних властивостей сегнетоелектричних кристалів, особливості магнітної сприйнятливості та намагніченості пластично деформованих монокристалів кремнію та германію.

Висвітлено особливості та перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією та дискових лазерів, проблеми технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ та способи їх вирішення. Розглянуто питання моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах. Проаналізовано моделі нагромадження радіаційних дефектів в оксидних кристалах. Описано кристалічні структури та фазові перетворення в алюмінатах рідкісноземельних елементів. Наведено результати дослідження радіаційно- та термоіндукованих змін оптичного поглинання кристалів ніобату літію номінально чистих та легованих іонами рідкісноземельних елементів, додатково легованих іонами магнію, а також кристалів, легованих іонами перехідних елементів.

Освещены особенности и перспективы использования микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией и дисковых лазеров, проблемы технологии жидкостно-фазной эпитаксии активных сред и способы их решения. Рассмотрены вопросы моделирования процесса генерации в микрочиповых лазерах. Проанализированы модели накопления радиационных дефектов в оксидных кристаллах. Описаны кристаллические структуры и фазовые преобразования в алюминатах редкоземельных элементов. Приведены результаты исследования радиационно- и термоиндуцированных изменений оптического поглощения кристаллов ниобата лития номинально чистых и легированных ионами редкоземельных элементов, дополнительно легированных ионами магния, а также кристаллов, легированных ионами переходных элементов.

Наведено результати науково-технічних досліджень в галузі електроніки, фізики та техніки напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, приладів та систем сучасної електронної техніки. Висвітлено процеси росту та властивості мікрокристалів арсенідів галію та індію. Проаналізовано вплив параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристики. Наведено характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п'єзорезистивних сенсорів. Описано модель міжатомних взаємодій у вольфраматі кальцію.

Приведены результаты научно-технических исследований в области электроники, физики и техники полупроводников и полупроводникового материаловедения, физики твердого тела, приборов и систем современной электронной техники. Освещены процессы роста и свойства микрокристаллов арсенидов галия и индия. Проанализировано влияние параметров структуры ионно-селективных полевых транзисторов на их характеристики. Представлены характеристики микрокристаллов кремния на упругих элементах для создания пъезорезистивных сенсоров. Описана модель межатомных взаимодействий в вольфрамате кальция.

Наведено результати науково-технічних досліджень в області технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, приладів та систем сучасної електронної техніки. Проаналізовано особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм, особливості переходу аморфного селену в кристалічний стан. Розглянуто питання модифікації властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу. Описано макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії. Розкрито вплив зовнішніх факторів на люмінесцентні властивості вольфрамату кальцію. Наведено перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів за азотних температур.

Приведены результаты научно-технических исследований в области технологических, экспериментальных, теоретических и методологических проблем электроники, физики и техники полупроводников и полупроводникового материаловедения, физики твердого тела, приборов и систем современной электронной техники. Проанализированы особенности технологии выращивания микрокристаллов InSb, легированных эрбием, особенности перехода аморфного селена в кристаллическое состояние. Рассмотрены вопросы модификации свойств приповерхностных слоев мишеней HgCdTe лазерным облучением в режиме удаления материала. Освещены макропористые структуры в кремниевых фотопреобразователях солнечной энергии. Изучено влияние внешних факторов на люминесцентные свойства вольфрамата кальция. Приведены переходные характеристики джозефсоновских криотронов при азотных температурах.

Разработана установка электрохимического профилирования полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотоэлектрохимического травления полупроводника. На примере эпитаксиальных структур GaAs показана высокая точность измерения концентрации носителей заряда на глубину не менее 10 мкм.

The arrangement for electrochemical profiling of GaAs based epitaxial structures, in which the free carriers concentration is obtained from the capacitance-voltage dependence of electrolyte/semiconductor barrier, depth scanning one accomplished by photo-electrochemical etching of semiconductor was elaborated and realized. The efficiency and high accuracy of arrangement free carriers definition on depth about 10 um was shown by profiling of test structure. The results of test structures investigation are brought out.

Уперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Ar у процесі іонно-променевого травлення на електрофізичні властивості епітаксійних шарів pbTe p- та n-типу провідності. Відзначено, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в p-PbTe та зростання концентрації електронів у n-PbTe у разі зменшення їх рухливості. Проаналізовано зміни концентрації донорів та акцепторів у власнодефектному телуриді кадмію-ртуті під час обробки імпульсним лазерним випромінюванням. Запропоновано метод формування бар'єрних структур в (Cd, Hg)Te, який виключає генерацію додаткової концентрації лінійних дефектів структури у модифікованих лазером приповерхневих шарах. Наведено електрофізичні та фотоелектричні характеристики сформованих p-n структур. Проведено моделювання рельєфу поверхні для періодичних структур проплавів на аморфних та кристалічних зразках Si після їх імпульсного лазерного опромінення. Зроблено розрахунок для проплавів, які мають форми з виступами та западинами у центрах утворень. Розглянуто схему виготовлення мікролінз способом фотополімеризації лежачої краплі рідкої композиції. Теоретично визначено основні умови формування крапель сферичною формою поверхні й експериментально підтверджено можливість виготовлення мікролінз зі сферичною формою поверхні. Досліджено залежність між об'ємом рідкої композиції та радіусом кривизни мікролінз.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85я54(4Укр)3

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З8/9 я54(4УКР)3

Рубрики:

Радіоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів за екстремальних умов, елементи нетрадиційної кінетичної теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів. Описано кристалічну та доменну структуру рідкісноземельних галатів та алюмінатів, пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії. Висвітлено апріорні методи розрахунку електронної енергетичної структури напівпровідників та діелектриків. Проаналізовано електрон-фононну взаємодію і термодинамічні функції у шаруватих кристалах. Наведено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Викладено узагальнений підхід до моделювання кінетичних процесів формування газової фази, перенесення складових речовин у полі нерівноважних концентрацій за умов неоднорідного температурного поля.

Рассмотрены сенсоры и приборы для измерения магнитных полей в экстремальных условиях, элементы нетрадиционной кинетической теории термодинамических и кинетических свойств материалов. Описаны кристаллическая и доменная структуры редкоземельных галатов и алюминатов, пористые структуры в кремниевых фотопреобразователях солнечной энергии. Освещены априорные методы расчета электронной энергетической структуры полупроводников и диэлектриков. Проанализированы электронно-фононное взаимодействие и термодинамические функции в слоистых кристаллах. Приведены результаты исследования влияния высокоэнергетических ионизирующих излучений на физические свойства халькогенидных стекловидных полупроводников. Изложен обобщенный подход к моделированию кинетических процессов формирования газовой фазы, перенесения составных веществ в поле неуравновешенных концентраций в условиях неоднородного температурного поля.

Наведено результати науково-технічних досліджень в галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики та техніки напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, приладів та систем сучасної електронної техніки. Проаналізовано вплив товщини фазової голограми на її параметри. Описано особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та межі поділу твердих тіл, магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремнію, електричні властивості структур напівпровідник - ферит. Висвітлено імпульсну лазерну модифікацію приповерхневих шарів телуриду кадмію. Розглянуто метод зменшення опору у відкритому стані потужного транзистора.

Приведены результаты научно-технических исследований в области технологических, экспериментальных, теоретических и методологических проблем электроники, физики и техники полупроводников и полупроводникового материаловедения, физики твердого тела, приборов и систем современной электронной техники. Проанализировано влияние толщины фазовой голограммы на ее параметры. Описаны особенности влияния лазерных ударных волн на приповерхностные слои и границы разделения твердых тел, магнитные свойства нитевидных кристаллов кремния, электрические свойства структур полупроводник - ферит. Освещена импульсная лазерная модификация приповерхностных слоев телурида кадмия. Рассмотрен метод уменьшения сопротивления в открытом состоянии мощного транзистора.

Наведено результати дослідження радіаційної стійкості напівпровідникових мікрокристалів і плівок InSb за екстремальних умов опромінення нейтронами. Охарактеризовано радіаційностійкі інтегровані сенсорні пристрої магнітного поля та температури. Виявлено ефекти екранування в сильно легованих кристалах.

Приведены результаты исследования радиационной устойчивости полупроводниковых микрокристаллов и пленок InSb в экстремальных условиях облучения нейтронами. Охапрактеризованы радиационноустойчивые и интегрированные сенсорные устройства магнитного поля и температуры. Выявлены эффекты экранизации в сильно легированных кристаллах.

Викладено основи сучасних нанотехнологій, підходи до вирощування низькорозмірних квантових структур типу квантових шарів, ниток, ансамблів квантових точок, фулеренів, нанотрубок, наведено їх основні фізичні характеристики, розкрито специфіку властивостей, зумовлених вимірністю систем, проаналізовано спільні ознаки і відмінності, їх природу. Розглянуто складні композиції низькорозмірних структур - надграток, питання формування їх енергетичного спектра, фізичні властивості та перспективи практичного використання.

Изложены основы современных нанотехнологий, подходы к выращиванию низкоразмерных квантовых структур типа квантовых слоев, нитей, ансамблей квантовых точек, фуллеренов, нанотрубок, приведены их основные физические характеристики, раскрыта специфика свойств, обусловленных измеряемостью систем, проанализированы общие свойства и отличия, их природа. Рассмотрены сложные композиции низкоразмерных структур - сверхрешеток, вопросы формирования их энергетического спектра, физические свойства и перспективы практического использования.

Розглянуто актуальні проблеми в галузі електроніки. Проаналізовано можливості підвищення ефективності модуляторів світла на підставі аналізу просторової анізотропії електрооптичного ефекту. Розкрито питання моделювання поля складних періодично-неоднорідних структур нанометрового діапазону хвиль. Охарактеризовано систему вимірювання деформаційних характеристик конструкційних матеріалів. Запропоновано спосіб детектування вихідного сигналу ферозондового перетворювача. Визначено зміни оптичного пропускання кристалів ніобату літію, легованих іонами заліза, під час високотемпературних відпалів. Розглянуто особливості моделювання алгоритмів перетворення даних в електронних системах захисту інформації з використанням засобів об'єктно-орієнтованого програмування.

Рассмотрены актуальные проблемы в области электроники. Проанализированы возможности повышения эффективности модуляторов света на основе анализа пространственной анизотропии элекрооптического эффекта. Раскрыты вопросы моделирования поля сложных периодически-неоднородных структур нанометрового диапазона волн. Охарактеризована система измерения деформационных характеристик конструкционных материалов. Предложен способ детектирования выходного сигнала феррозондового преобразователя. Определены изменения оптического пропуска кристаллов ниобата лития, легированных ионами железа, во время высокотемпературных отпалов. Рассмотрены особенности моделирования алгоритмов преобразования данных в электронных системах защиты информации с использованием средств объектно-ориентированного программирования.

Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.

Висвітлено актуальні проблеми електроніки. Розглянуто автогенераторний метод детектування геліконів, залежність електричної ємності та вмісту золи від впливу активаційної модифікації вуглецевих матеріалів, технологію контролю геометрії оптичних поверхонь зразків із кристалічних матеріалів, хімічні технології макропористої поверхні для фотоелектронних перетворювачів. Розкрито особливості визначення параметрів двоплівкових структур методом обвідних спектрів багатопроменевої інтерференції.

Освещены актуальные проблемы электроники. Рассмотрены автогенераторный метод детектирования геликонов, зависимость электрической емкости и содержания золы от влияния активационной модификации углеродных материалов, технология контроля геометрии оптических поверхностей образцов из кристаллических материалов, химические технологии макропористой поверхности для фотоэлектронных преобразователей. Раскрыты особенности определения параметров двухпленочных структур методом обводных спектров многолучевой интерференции.

Розкрито основи сучасних технологій вирощування тонких плівок, квантово-розмірних шарів, квантових ниток і точок, фулеренів і вуглецевих нанотрубок. Охарактеризовано принципи епітаксії, визначено основні режими гетероепітаксійного росту. Обгрунтовано можливості використання процесів самоорганізації для формування систем квантових ниток і точок. Розглянуто фізичні властивості дво-, одно- і нульвимірних квантових напівпровідників і вуглецевих структур, питання розмірного квантування й умови спостереження квантово-розмірних явищ. Проаналізовано особливості функції густини станів у системах різної вимірності, наведено кінетичні й оптичні характеристики низькорозмірних систем. Описано наноструктури на основі вуглецю - фулеренів і нанотрубок.

Раскрыты основы современных технологий выращивания тонких пленок, квантово-размерных слоев, квантовых ниток и точек, фулеренов и углеродистых нанотрубок. Охарактеризованы принципы эпитаксии, определены основные режимы гетероэпитаксионного роста. Обоснованы возможности использования процессов самоорганизации для формирования систем квантовых точек и ниток. Рассмотрены физические свойства двух-, одно- и нольизмеримых квантовых полупроводников и углеродистых структур, вопросы размерного квантирования и условия наблюдения квантово-размерных явлений. Проанализированы особенности функции плотности состояний в системах различной измеримости, приведены кинетические и оптические характеристики низкоразмерных систем. Описаны наноструктуры на основе углерода - фулеренов и нанотрубок.

Розглянуто питання розробки волоконно-оптичної системи відеоспостереження на полімерному волокні, технологічних методів підвищення ефективності світловипромінювальних діодів на основі органічних матеріалів. Проаналізовано вплив нейтронного опромінення на мікрокристали InAsSb, вирощених з газової фази. Висвітлено науково-прикладні проблеми фізико-математичного моделювання випромінювачів на базі щілинної лінії передачі. Описано особливості просторового розподілу поля періодично-неоднорідної діелектричної пластини з подвійною періодичністю. Розглянуто спектральні методи дослідження електрографічних сигналів, акустичний метод контролю за процесом лазерної зварки скляних циліндричних елементів. Визначено залежність показників заломлення плівок оксидів металів від тиску кисню в процесі електронно-променевого розпилювання.

Рассмотрены вопросы разработки волоконно-оптической системы видеонаблюдения на полимерном волокне, технологических методов повышения эффективности светоизлучающих диодов на основе органических материалов. Проанализировано влияние нейтронного облучения на микрокристаллы InAsSb, выращенных с газовой фазы. Освещены научно-прикладные проблемы физико-математического моделирования излучателей на базе щелевой линии передачи. Описаны особенности пространственного распределения поля периодическо-неоднородной диэлектрической пластины с двойной периодичностью. Рассмотрены спектральные методы исследования электрографических сигналов, акустический метод контроля за процессом лазерной сварки стеклянных цилиндрических элементов. Определена зависимость показателей преломления пленок оксидов металлов от давления кислорода в процессе электронно-лучевого распыления.

Ключ. слова: мікрокристали, сенсори магнітного поля, радіаційні дефекти, опромінення електронами, концентрація носіїв заряду
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З843.3

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ