2. |
Заславський Б. Г. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні : Автореф. дис... д-ра техн. наук / Б. Г. Заславський; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 2005. - 36 c. - укp.Розроблено принципи нового методу витягування кристалів з розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється у тиглях перемінного за висотою перетину. Розглянуто технологічні засади автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів за новим методом. Уперше уникнуто основний принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає у тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву. Запропоновано новий інформаційний параметр - інтервал часу між дозованими підживленнями, з використанням якого розроблено надійну та просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих розмірів автоматизовано стадію радіального росту. Базуючись на запропонованих принципах, розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних кристалів великих діаметрів, а саме: установки типу "Кристалл" з підживленням розплавленою первинною сировиною; установки типу "Крос" з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною. Зазначено, що швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) - до 5 мм/год, що дозволило у двічі збільшити продуктивність ростового устаткування. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА340861 Пошук видання у каталогах НБУВ
|