Досліджено вплив ангармонізму коливань кристалічної гратки та наявності вакансій на теплофізичні характеристики і параметр Грюнайзена в кристалах тригональної сингонії (на прикладі атомарного телуру). Одержано аналітичні вирази, які з достатньою точністю описують температурні залежності коефіцієнта теплового розширення та теплоємності при постійному тиску телуру в області високих температур. Оцінено значення параметрів, які характеризують процес утворення вакансій та явище ангармонізму. Висловлено припущення, що аномальна деформація кристалічної гратки телуру за температур вищих від кімнатної, обумовлена підвищенням внутрішньокристалічного тиску, зокрема, за рахунок утворення вакансій.

Проведено теоретичні дослідження трансформації станів нерівноважної системи біполярних носіїв в залежності від величини керуючого параметра в рамках одновимірної польової моделі ефекту Ганна. Розраховано біфуркаційну діаграму та максимальний показник Ляпунова. Показано, що еволюція системи від коливального стану до хаотичного на початковому етапі відбувається шляхом біфуркацій подвоєння періоду.

Показано, що врахування особливостей зонного спектра носіїв та температурної залежності відношення їх дрейфових рухливостей дозволяє пояснити подвійну температурну інверсію коефіцієнта Холла в телурі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + В379.222

Рубрики:

Електричні властивості

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Для напівпровідника, на який окрім гріючого носії електричного поля (ЕП) діють дві квазімонохроматичні хвилі за умов домішкового поглинання, у моделі одновимірної польової задачі знайдено систему диференціальних рівнянь для коефіцієнтів розкладу концентрації електронів і ЕП у ряд за тригонометричними функціями. За допомогою числових методів досліджено трансформацію динамічних станів системи і описано її в термінах теорії самоорганізації - розмірності Хаусдорфа та показників Ляпунова. Показано, що залежно від ступеня компенсації дрібних домішок та інтенсивності світлової хвилі досліджувана система може знаходитись у двох суттєво різних за стійкістю коливних станах.

Для спінової підсистеми напівпровідника з глибоким домішковим рівнем, що створюється елементом з незаповненою 3d- або 4f-оболонкою, одержано систему часових рівнянь, яка дає змогу розраховувати просторово-часові розподіли концентрацій і степені спінової поляризації зонних електронів і магнітних іонів, а також внутрішнього електричного поля залежно від величин і сукупності керуючих параметрів (інтенсивності та типу поляризації світлової хвилі, хвильового вектора, напруженості зовнішнього електричного поля та часів довготривалої релаксації спінів електронів у зоні провідності та на домішковому рівні). Показано, що фізично коректні результати стосовно величини степені спінової поляризації зонних електронів під дією циркулярно-поляризованого світла за умови домішкового поглинання одержуються за врахування початкового стаціонарного просторово-неоднорідного розподілу фазових змінних у процесі їх розкладу у ряд Фур'є вже у наближенні однієї гармоніки.

Продемонстровано можливості створеного програмного пакета "Solar Cell Simulator" щодо моделювання процесів переносу струму в різних типах напівпровідникових бар'єрних структур залежно від виду, величини та сукупності зовнішніх керуючих параметрів (типу випрямляючої структури, інтенсивності та частотного розподілу світлового опромінення, прикладеної напруги, типу та параметрів напівпровідникового матеріалу, концентрації легуючої домішки тощо).

Досліджено технологічні режими одержання якісних плівок CdO і ZnO за допомогою методу піролізу ацетатів кадмію і цинку. Установлено, що електропровідність одержаних плівок залежить від режимів осадження, термообробки та типу введених у розчин домішок і спеціальних домішок. Показано, що одержані плівки мають низький питомий опірмі високі оптичні властивості, що дозволяє використовувати їх як прозорі електроди фотоперетворювачів у видимій області спектра електромагнітного випромінювання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В379.51

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертацію присвячено встановленню динаміки переходу від коливних до хаотизованих станів біполярної стаціонарної і нестаціонарної системи носіїв у напівпровіднику в умовах дрейфової нестійкості. Виявлено і описано нові типи дивних атракторів в стаціонарній та нестаціонарній напівпровідникових системах з двома типами носіїв. Встановлено, що при наявності ефекту Гана системі електронів в h-GaAs властива властива переміжність хаотичних та впорядкованих станів. Запропоновано новий експрес-метод трасирування траекторій для дослідження топології фазових портретів і їх еволюції, який характеризується наочністю та простотою алгоритмічної реалізації, що обумовлює високу швидкість розрахунків, а також створено програмне забезпечення для комплексного дослідження процесів самоорганізації в складних динамічних системах.

Висвітлено теоретичні аспекти точності обчислювальних процесів. Наведено числові методи розв'язку алгебричних і трансцендентних рівнянь, систем лінійних і нелінійних алгебричних рівнянь. Охарактеризовано методи числового інтегрування, диференціювання та знаходження розв'язку диференціальних рівнянь. Наведено методи обробки експериментальних даних.