Показано, что напряжение отсечки ионно-имплантированного полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) на GaAs с хорошей точностью соответствует напряжению, при котором на вольт-фарадной характеристике появляется точка перегиба. Предложен метод прогнозирования напряжения отсечки ионно-имплантированных ПТШ с помощью вольт-фарадных измерений до нанесения контактов.

It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistor corresponds with a good accuracy to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance-voltage characteristic. A method for predicting the threshold voltage of ion-implanted field-effect transistors using capacitance-voltage measurements prior to contact formation is proposed.

Показано, что в случае полевых транзисторов с барьером Шоттки на трехслойных структурах GaAs (пленка - буферный слой - подложка) разброс параметров транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров по пластине, можно определить по одной величине, а именно, по эффективной концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка - буферный слой", которая характеризует интегральное влияние глубоких центров в буферном слое и подложке на токоперенос в пленке и может быть определена из низкочастотной вольт-фарадной характеристики.

Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольт-фарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата.

A noniterative numerical method is proposed to calculate the barrier capacitance of GaAs ion- implanted structures as a function of the Schottky barrier bias. The features of the low- and high- frequency capacitance-voltage characteristics of these structures which are due to the presence of deep traps are elucidated.

На основе анализа формы измерительного сигнала, промоделированного для интерференционного метода измерения параметров вибрации (амплитуды виброперемещения) предложена методика ее измерения, позволяющая исключить многозначность обратных тригонометрических функций, которые используются при обработке информационного сигнала, и тем самым расширить верхний предел измеряемых значений амплитуды виброперемещения. Экспериментально подтверждено, что предложенная методика, суть которой состоит в использовании скачкообразного изменения первой производной кажущегося виброперемещения при переходе информационного сигнала через точки экстремума, позволяет расширить верхний предел измеряемых значений амплитуды виброперемещения в несколько раз по сравнению с интерференционным методом в его общепринятой форме.

Предложена методика измерения перемещения элементов механических систем интерференционным методом при произвольном соотношении между длиной волны электромагнитного излучения и амплитудой перемещения. Данная методика позволяет исключить неоднозначность определения перемещения движущегося объекта из тригонометрического уравнения, связывающего расстояние от объекта до детектора и измеренный ток детектора. Методика проверена экспериментально путем измерения относительного перемещения металлического диска, приводимого в возвратно-поступательное движение кривошипно-шатунным механизмом. Показано, что предложенная реализация интерференционного метода позволяет измерять перемещение при колебательном движении с хорошей точностью даже в случае, когда размах колебаний в несколько раз превышает длину волны электромагнитного излучения, используемого при измерениях.

Проанализированы и обобщены результаты работ по исследованию особенностей токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия, проведенных в отделе функциональных элементов систем управления Института технической механики НАН Украины и НКА Украины в течение последних 10 лет.

Предложена и проверена экспериментально методика измерения перемещения элементов механических систем интерференционным методом с использованием двух зондов. Методика позволяет определять как величину, так и направление перемещения при колебательном движении, сводит к минимуму влияние погрешности установки зондов и обеспечивает достаточную точность измерения перемещения даже в случае, когда размах колебаний в несколько раз превышает длину волны электромагнитного излучения, используемого при измерениях.

Показано, что вольт-фарадные характеристики, имеющие участки крутого падения, в частности вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур GaAs, могут быть измерены при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100амВ) за счет проведения измерения на двух различных амплитудах. Данный вывод подтвержден результатами численного расчета кажущейся емкости эпитаксиальных структур GaAs.

Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні за помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100амВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.

It is shown that capacitance-voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring ac voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.

Проведен численный расчет зависимости определяемой при измерениях кажущейся барьерной емкости гетероструктур AlGaAs/GaAs с селективным легированием от амплитуды измерительного переменного напряжения. Получено соотношение, выражающее измеренную кажущуюся емкость через фактическую емкость и эту амплитуду. С использованием этого соотношения и результатов упомянутого численного расчета показано, что имеющие участки крутого падения вольт-фарадные характеристики гетероструктур AlGaAs/GaAs с селективным легированием могут быть измерены при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100 мВ) за счет проведения измерений на двух различных амплитудах.

Получено соотношение, выражающее измеренную кажущуюся емкость полупроводниковой структуры через фактическую емкость и амплитуду измерительного переменного напряжения. С использованием этого соотношения показано, что вольт-фарадные характеристики, имеющие участки крутого падения, в частности вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур GaAs, можно измерять при умеренно малых амплитудах переменного напряжения (порядка 100 мВ) за счет проведения измерений на двух различных амплитудах. Данный вывод подтвержден результатами численного расчета кажущейся емкости ионно-имплантированных структур GaAs.

Проведены исследования резонансных свойств круглого цилиндрического и биконического СВЧ-резонаторов в зависимости от свойств диэлектрических жидкостей, проходящих по диэлектрической трубке, установленной вдоль их оси. Для ряда геометрических размеров кварцевой трубки, установленной в биконическом резонаторе и заполненной диэлектрической жидкостью, методом конечных элементов рассчитаны значения резонансных частот резонатора.

Предложен двухзондовый интерференционный метод измерения как величины, так и направления перемещения элементов механических систем. Дифференцирование токов соединенных с зондами полупроводниковых детекторов позволяет исключить неизвестный коэффициент отражения. Устранение неопределенности в определении перемещения производится без использования промежуточной частоты, что упрощает аппаратную реализацию метода. Экспериментальная проверка показала достаточную точность измерения для перемещений, в несколько раз превышающих длину волны зондирующего электромагнитного излучения.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж107.1 с

Рубрики:

Вимірювання лінійних розмірів

Шифр НБУВ: Ж16745 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З95 + В213.1

Рубрики:

Радіолокація

Математичні основи динаміки

Шифр НБУВ: Ж16745 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.7

Рубрики:

Хвилевідні лінії передачі. Хвилеводи та об'ємні резонатори

Шифр НБУВ: Ж16745 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Измерения комплексного коэффициента отражения широко применяются для контроля различных параметров материалов. Цель - разработка метода измерения комплексного коэффициента отражения с использованием электрических зондов. Для случая трех зондов, установленных на произвольном расстоянии друг от друга, получено биквадратное уравнение, связывающее модуль комплексного коэффициента отражения с токами полупроводниковых детекторов, соединенных с зондами. Показано, что в силу того, что модуль коэффициента отражения не превышает единицу, он однозначно определяется из этого уравнения как его меньший положительный корень. Фаза комплексного коэффициента отражения определяется из двух квадратурных сигналов, которые легко находятся из токов полупроводниковых детекторов при известном модуле коэффициента отражения. Для проведения измерений комплексного коэффициента отражения в диапазоне частот межзондовое расстояние удобно выбрать равным одной восьмой длины волны электромагнитного излучения в волноводе при максимальной частоте. Предложенный метод позволяет исключить амплитуду напряженности электрического поля падающей электромагнитной волны, что дает возможность значительно смягчить требования к стабильности выходной мощности генератора. Отличительной особенностью предложенного метода является простота его аппаратной реализации, что открывает путь к разработке нового класса измерителей комплексного коэффициента отражения.

Отмечено, что измерения комплексного коэффициента отражения широко применяются для контроля различных параметров материалов. Цель работы - разработка методики измерения комплексного коэффициента отражения с использованием двух электрических зондов. Получено биквадратное уравнение, связывающее модуль комплексного коэффициента отражения с токами соединенных с зондами полупроводниковых детекторов. Показано, что в случае, когда найденная из измеренных токов детекторов неразвернутая фаза лежит в первом, втором или четвертом квадранте, модуль комплексного коэффициента отражения однозначно определяется из этого уравнения как его меньший положительный корень. Фаза комплексного коэффициента отражения определяется из двух квадратурных сигналов, которые легко находятся из токов полупроводниковых детекторов при известном модуле коэффициента отражения. Для проведения измерений комплексного коэффициента отражения в диапазоне частот межзондовое расстояние удобно выбрать равным одной восьмой длины волны электромагнитного излучения в волноводе при максимальной частоте. Показано, что для минимизации погрешности определения модуля и фазы комплексного коэффициента отражения, связанной с погрешностью установки межзондового расстояния, измерения следует проводить в положении образца, соответствующем маскимуму тока детектора, соединенным с ближним к образцу зондом. По сравнению с трехзондовыми измерениями предложенная методика позволяет упростить конструкцию измерительной волноводной секции, упростить процесс ее изготовления и ослабить паразитный эффект переотражений между зондами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В655.3 в7

Рубрики:

Метеори. Боліди

Шифр НБУВ: Ж14846 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ряд особенностей биконических резонаторов делает их привлекательными для различных применений. Выражения для вычисления собственных частот биконического резонатора с большими углами раскрыва конуса могут быть получены с использованием метода разделения перекрывающихся областей в сочетании с методом коллокации; однако выражения, приведенные в литературе, включают только одну пару точек коллокации, что не дает возможности оценить точность определения собственной частоты. Цель работы - вычисление собственных частот биконического резонатора для произвольного числа пар точек коллокации. Выведено уравнение для собственных частот биконического резонатора для азимутально-симметричного поперечного электрического поля при произвольном числе пар точек коллокации. Уравнение сводится к двум уравнениям, решение которых требует гораздо меньших вычислительных затрат по сравнению с исходным уравнением. В решениях одного из двух уравнений допускаются моды, симметричные относительно плоскости симметрии резонатора, а решения другого допускают антисимметричные моды. Вычисленные собственные частоты быстро сходятся с увеличением числа пар коллокационных точек, тогда как использование только одной пары точек коллокации может внести заметную ошибку. Предлагаемый метод может быть использован при разработке компонентов и узлов на основе биконических резонаторов.

Рассмотрена задача экспериментальной проверки недавно предложенного двухзондового метода измерения перемещения на основе сверхвысокочастотной интерферометрии. Цель работы - разработка методики, позволяющей провести проверку этого метода путем сравнения измеренной и фактической временной зависимости перемещения движущегося объекта без использования сложного оборудования для фоторегистрации. Данная цель достигается тем, что объект приводится в движение с помощью кривошипно-шатунного механизма, так что фактическое перемещение объекта можно рассчитать по радиусу и длине плеча кривошипа, периоду вращения кривошипа и углу поворота кривошипа в начальный момент времени. Описанные в данной работе эксперименты продемонстрировали на практике работоспособность вышеуказанного двухзондового метода измерения перемещения, тем самым подтвердив, что для измерения перемещения при неизвестном коэффициенте отражения достаточно двух зондов. При длине волны зондирующего электромагнитного излучения 3 см, размахе колебаний объекта 10 см и 15 см и частоте колебаний объекта около 2 Гц этот метод позволяет определить мгновенное значение перемещения объекта с максимальной погрешностью около 3 мм и средней погрешностью около 1 мм без какой-либо предварительной обработки данных измерений, такой как фильтрация, сглаживание и т.п. По сравнению с общепринятыми трехзондовыми измерениями уменьшение количества зондов позволяет упросить конструкцию и изготовление волноводной секции и ослабить паразитный эффект переотражений между зондами. Простота аппаратной реализации метода позволяет использовать его при разработке бортовых датчиков для измерения перемещения объектов космического мусора относительно космического аппарата для удаления комического мусора.