Вивчено закономірності впливу глибоких пасток структурного походження, які виникають у композиційних та полікристалічних сцинтиляторах на основі стильбену, антрацену, n-терфенілу та активованого n-терфенілу на їх оптичні і сцинтиляційні характеристики, встановлено їх вплив на механізм формування сцинтиляційного імпульсу. Доведено, що формування глибоких пасток носіїв заряду у полікристалічних сцинтиляторів призводить до зменшення абсолютного світлового виходу та часу висвітлювання в порівнянні з монокристалічними зразками. Наведені значення часу локалізації носіїв заряду на глибоких пастках на кілька порядків перевищують значення часу апаратного формування сцинтиляційного сигналу. На моделі дискретного оптичного середовища для моделювання світлозбору в полікристалічних і монокристалічних сцинтиляторах проведено розрахунки коефіцієнтів світлозбору, які дозволили отримати значення абсолютного світового виходу. Вони близькі для сцинтиляційних матеріалів однакових за своїм хімічними складом. Встановлено закономірності зміни технічного світлового виходу, пов'язані зі збільшенням середньої довжини шляху світла до вихідного вікна детектора, як у випадку переходу від монокристалічного до полікристалічного зразка, так і в разі переходу від об'ємного збудження до локального.