Обгрунтовано можливість виділення внеску резонансних процесів із сумарного перерізу непружного розсіяння електронів на мішенях і розкладу цього внеску на елементарні компоненти. Таким шляхом уперше проаналізовано структуру в прецизійно дослідженій енергетичній залежності ефективного перерізу збудження повільними електронами сумарної емісії резонансних ліній іона цинку. Спостережену структуру пов'язано з конкретними групами автоіонізаційних станів системи електрон+іон.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В333.212.3

Рубрики:

Іонізація атомів і молекул

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

14 липня 2018 р. виповнюється 80 років відомому українському вченому в галузі фізики електронних і атомних зіткнень, одному із засновників фізичної школи з атомної фізики в Україні, почесному директору і раднику при дирекції Інституту електронної фізики НАН України, заслуженому діячу науки і техніки України (1994), лауреату Державної премії України в галузі науки і техніки (1995) та премії ім. І. П. Пулюя НАН України (2003), доктору фізико-математичних наук, професору, академіку НАН України Отто Бартоломійовичу Шпенику.

7 липня 2018 р. виповнюється 75 років від дня народження відомого вченого, визначного фахівця у галузі ядерної фізики, Лауреата державної премії України у галузі науки і техніки, доктора фізико-математичних наук, головного наукового співробітника Інституту електронної фізики НАН України Володимира Михайловича Мазура.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.61

Рубрики:

Метод ядерного магнітного резонансу (ЯМР) в ядерних дослідженнях

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Спектроскопічним методом за умов пучків моноенергетичних електронів та іонів, що перетинаються, досліджено резонансні й автоіонізаційні явища у процесах взаємодії електронів з багатоелектронними іонами Zn{\up\fs8 +}, Cd{\up\fs8 +}, Іn{\up\fs8 +} і Тl{\up\fs8 +} (збудженні, рекомбінації та іонізації зі збудженням) від порогів процесів до 100 - 300 еВ. Однозначно встановлено, що резонансне збудження іона надає суттєвий внесок (~30 - 50 %) у переріз збудження не тільки у біляпороговій області енергій електронів, де воно пов'язане переважно з автоіонізаційними станами, які розпадаються у процесі Костера-Кроніга, але й у всьому досліджуваному енергетичному діапазоні внаслідок розпаду автоіонізаційних станів, що утворюються, переважно, під час збудження субвалентної d{\up\fs8 10} оболонки або одночасно субвалентної та валентної s (або s{\up\fs8 2}) оболонок. Встановлено, що ефективний переріз (~10{\up\fs8 -16} см{\up\fs8 2}) як діелектронної, так і триелектронної рекомбінації, є результатом прояву кореляційної взаємодії у багатоелектронних атомних системах, що призводить до суттєвого збільшення ймовірності радіаційного розпаду автоіонізаційних станів. Знайдено, що абсолютні величини перерізів s- і \i d \i0-іонізації іона Іn{\up\fs8 +} електронним ударом становлять ~10{\up\fs8 -17} см{\up\fs8 2} за порядком величини, що свідчить про високу ефективність процесу іонізації з одночасним збудженням іона. Це є наслідком суттєвого внеску у прямий процес іонізації зі збудженням непрямого процесу іонізації - збудження-автоіонізації. Встановлено, що у механізмах перебігу процесів збудження, іонізації та рекомбінації багатоелектронних іонів важливу роль відіграють кореляційні ефекти, пов'язані з конкуренцією \i d \i0 і \i s \i0 електронів, причому вплив субвалентної \i d \i0{\up\fs8 10} оболонки зростає зі збільшенням порядкового номера елемента.