Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Генкін О$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
||||
| 1. | Генкін О. М. Особливості спектрів випромінювання окремих мікроплазм у кубічному карбіді кремнію / О. М. Генкін, В. К. Генкіна, Л. П. Гермаш // Наук. вісті НТУУ "КПІ". - 2005. - № 1. - С. 124-129. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж16492 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Генкін О. М. Вплив температури на випромінювальні процеси, що супроводжують електричний пробій IBp-nD-структур на карбіді кремнію / О. М. Генкін, В. К. Генкіна, Л. П. Гермаш // Наук. вісті НТУУ "КПІ". - 2007. - № 1. - С. 141-149. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж16492 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Генкін О. М. Широкосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремнію / О. М. Генкін, В. К. Генкіна, М. Д. Гераїмчук, Л. П. Гермаш, П. В. Неводовський // Наук. вісті НТУУ "КПІ". - 2008. - № 4. - С. 20-26. - Бібліогр.: 7 назв. - укp. Досліджено вплив мікроплазмової структури, робочої напруги, температури на ультрафіолетову компоненту спектрального розподілу квантового виходу світлодіодів на основі SiC-6H і SiC-15R, що працюють у режимі електричного пробою. Виявлено закономірний зв'язок характеристик зразків із властивостями вихідних кристалів та мікроплазмовою структурою пробою. Одержані результати свідчать про можливість розширення діапазону стабільної роботи приладів в ультрафіолетову область до 250 нм. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16492 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Генкін О.М. Еталонні джерела оптичного випромінювання на основі явища електричного пробою у i P-N/i-структурах на карбіді кремнію : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / О.М. Генкін; Нац. техн. ун- т України "Київ. політехн. ін-т". - К., 2010. - 17 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + З852.27 Рубрики: Шифр НБУВ: РА375881 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Генкін О. М. Поляризаційні характеристики електролюмінесценції, що супроводжує електричний пробій p - n-структур на карбіді кремнію / О. М. Генкін, В. К. Генкіна, Л. П. Гермаш // Наук. вісті НТУУ "КПІ". - 2014. - № 1. - С. 71-78. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж16492 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Аушев Є. В. Стабільні формувачі імпульсного струму для живлення світлодіодів / Є. В. Аушев, С. О. Воронов, О. М. Генкін, В. К. Генкіна, В. М. Родіонов // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Приладобудування. - 2016. - Вип. 52. - С. 59-65. - Бібліогр.: 12 назв. - укp. Зазначено, що стабільні генератори світлових імпульсів нано- та субнаносекундної тривалості можуть знайти широке використання у експериментальній техніці, приладобудуванні. Як джерело світла в таких генераторах перспективно використовувати стабільні, широкосмугові, швидкі світлодіоди на основі карбіду кремнію, що працюють у режимі електричного пробою. Існує необхідність створення стабільних формувачів імпульсного струму для їх живлення. Мета роботи - створення таких формувачів на основі лавинних та швидкісних польових транзисторів. Випробувана значна кількість типів та екземплярів недорогих епітаксіальних транзисторів, що працюють у лавинному режимі. Експериментально визначено оптимальний інтервал напруг пробою колекторного переходу. Досліджено часову нестабільність формувачів на лавинних транзисторах. Виявлено закономірності їх старіння. Відпрацьовано схему формувача на польовому транзисторі, яка працює під керівництвом лавинного, що дозволяє формувати субнаносекундні імпульси струму через світлодіоди амплітудою до 1 А. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж29126/прилад. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського