В диапазоне температур 0,4 - 4,2 K проведены исследования теплового сопротивления германиевых термометров сопротивления разной конструкции. Чувствительные элементы термометров изготовлены из нейтронно-трансмутационно легированного германия. Показано влияние условий теплообмена (конструкции) на температурную зависимость теплового сопротивления, и определены предельно допустимые мощности рассеяния при измерениях температуры.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372

Рубрики:

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3 + В377.3

Рубрики:

Квантова теорія

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен расчет энергетического спектра электронов в широкой квантовой яме с различным количеством узких барьеров в области ямы. Показано, что уровни размерного квантования поднимаются по энергии при введении таких барьеров. При максимальном заполнении квантовой ямы узкими барьерами и образовании фрагмента короткопериодной сверхрешетки огибающие волновых функций электронов на уровнях размерного квантования близки по форме к огибающим для обычной квантовой ямы. При этом значительно увеличивается рассеяние на шероховатостях интерфейсов гетерограниц. Экспериментально исследована низкотемпературная латеральная проводимость по квантовой яме, туннельно-связанной с десятиямной короткопериодной сверхрешеткой, и отдельно по сверхрешетке. Полученные результаты хорошо согласуются с модельными расчетами и демонстрируют новую возможность создания параллельных каналов проводимости с различающейся подвижностью электронов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 в641,022 + В379.271.2 в641,022

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Електропровідність

Шифр НБУВ: РА412182 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние разогрева носителей тока импульсным электрическим полем на проводимость и магнитосопротивление композиционных углеродных резисторов (марки ТВО) в диапазоне температур жидкого гелия. Установлено, что разогрев носителей в полях до 60 В/см при T = 4,2 K приводит к уменьшению магнитосопротивления примерно в 4 раза при сохранении достаточно высокой температурной зависимости сопротивления. В полях более 400 В/см в диапазоне 4 - 20 K сопротивление ТВО резистора перестает зависеть от температуры. Результаты объясняются в рамках модели прыжковой проводимости между хаотично сгруппированными углеродными нанозернами. Показана возможность уменьшения погрешности в измерении температуры ТВО резисторами в магнитном поле.

В широкому інтервалі температур (300 - 1,8 К) досліджено електричну провідність вуглецевих нанокомпозитних ТВО резисторів, що використовуються як температурні сенсори. Встановлено, що при температурах нижче 77 К, де провідність має стрибковий характер, вид її температурної залежності для резисторів, що мають різний опір при кімнатній температурі, різний. Вимірювання спектрів комбінаційного розсіювання показали, що резистори відрізняються розміром наночастинок вуглецю в композитному матеріалі області, що проводить, та його дисперсією вздовж напрямку протікання струму. Із виміряних залежностей провідності від температури та величини прикладеного електричного поля, в умовах розігріву носіїв струму полем, визначено довжини локалізації носіїв, які майже на два порядки перевищують розміри вуглецевих наночастинок. Особливості провідності, що спостерігаються, пояснюються неоднорідністю розподілу вуглецю в композиті з утворенням скупчень наночастинок з квазіметалевою провідністю, в той час як між скупченнями провідність має стрибковий характер.

Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами.

В широкому інтервалі температур (300 - 1,8 К) досліджено електричну провідність вуглецевих нанокомпозитних ТВО резисторів, що використовуються як температурні сенсори. Встановлено, що при температурах нижче 77 К, де провідність має стрибковий характер, вид її температурної залежності для резисторів, що мають різний опір при кімнатній температурі, різний. Вимірювання спектрів комбінаційного розсіювання показали, що резистори відрізняються розміром наночастинок вуглецю в композитному матеріалі області, що проводить, та його дисперсією вздовж напрямку протікання струму. Із виміряних залежностей провідності від температури та величини прикладеного електричного поля, в умовах розігріву носіїв струму полем, визначено довжини локалізації носіїв, які майже на два порядки перевищують розміри вуглецевих наночастинок. Особливості провідності, що спостерігаються, пояснюються неоднорідністю розподілу вуглецю в композиті з утворенням скупчень наночастинок з квазіметалевою провідністю, в той час як між скупченнями провідність має стрибковий характер.

Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами.