Представлено результати аналізу, які пояснюють загальну тенденцію в особливостях процесу поширення тепла в напівпровідникових структурах на основі Si з модифікованими властивостями приповерхневого шару у разі опромінення їх коротким лазерним імпульсом. Показано, що наявність структурної неоднорідності (модифікованого шару) та врахування впливу нелінійної залежності коефіцієнта температуропровідності призводить до суттєвої трансформації області (її зменшення), локалізації теплової енергії та збільшення температури в приповерхневому шарі матеріалу.