Предложен полуаналитический самосогласованный метод расчета полупроводниковой гетероструктуры, содержащей одиночную квантовую яму с однородно легированными барьерами. В методе использованы приближения, которые позволили заменить численное решение уравнения Пуассона аналитическим и добиться быстрой сходимости процедуры счета. Предложенный подход позволяет получить вид энергетического профиля структуры, энергию уровней размерного квантования, положение уровня Ферми, концентрацию носителей заряда в яме, а также длину слоя обедненного заряда в барьерах.