Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=К235.230.21$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| | | | |
1. |
Молодкин В. Б. Диагностика дефектной структуры сильно поглощающих монокристаллов методом полной интегральной отражательной способности / В. Б. Молодкин, А. И. Низкова, С. И. Олиховский, В. Ф. Мазанко, Е. И. Богданов, С. Е. Богданов, А. И. Гранкина, С. В. Дмитриев, Т. Е. Корочкова, М. Т. Когут, Ю. Н. Прасолов, И. И. Рудницкая // Металлофизика и новейшие технологии. - 2002. - 24, № 8. - С. 1089-1101. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Обгрунтовано й апробовано на зразку монокристала германія можливість застосування комбінованого методу повної інтегральної відбивної здатності для діагностики сильно поглинаючих монокристалічних зразків, що містять порушений поверхневий шар та одночасно декілька визначальних типів мікродефектів. Ключ. слова: дифрактометрия дефектов, брэгговская и диффузная интегральные отражательные способности монокристаллов, динамическое рассеяние, рентгеновские лучи Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Надточій В. О. Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs) : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук / В. О. Надточій; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2006. - 36 c. - укp. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА345143 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Nadtochy V. Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam / V. Nadtochy, M. Golodenko, D. Moskal // Functional Materials. - 2004. - 11, № 1. - С. 40-43. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Виконано порівняльний аналіз зображень дислокацій у монокристалічному Ge, одержаних за допомогою методів оптичної та сканувальної електронної мікроскопії. Результати обох методів добре узгоджуються між собою. За відсутності домішкової атмосфери ямка травлення або пляма зображення на дислокації мають діаметр ~1 мкм. Шляхом утворення електричного поля на поверхні можна досягти поляризації області просторового заряду навколо дислокації, а під час сканування цієї області електронним пучком - появи контрасту. Останнє дає можливість виділити дислокації за низькотемпературної деформації серед нейтральних домішкових включень у кристалі. Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Луньов С. В. Вплив інверсії типу ($E bold {roman L sub 1~-~DELTA sub 1}) абсолютного мінімуму на енергію іонізації основного стану мілких донорів в монокристалах n-Ge / С. В. Луньов // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2014. - № 5/5. - С. 18-21. - Бібліогр.: 15 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|