Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (1)Книжкові видання та компакт-диски (2)
Пошуковий запит: (<.>U=К233.503.4$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3

      
Категорія:    
1.

Сольский И. М. 
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров / И. М. Сольский, Д. Ю. Сугак, В. М. Габа // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5. - С. 55-61. - Библиогр.: 28 назв. - рус.


Ключ. слова: ниобат лития, выращивание кристаллов, метод Чохральского, температурный градиент, оптическая однородность, показатель преломления, двулучепреломление.
Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4 + В379.251.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Лавріненко В. І. 
Вплив кристалографічної орієнтації монокристалів парателуриту та тетраборату літію, отриманих методом витягування з розплаву, на мікрорельєф поверхонь при механічній обробці / В. І. Лавріненко, Л. А. Проц // Сверхтвердые материалы. - 2005. - № 2. - С. 52-59. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.

Розглянуто вплив кристалографічної орієнтації кисневмісних монокристалів парателуриту та тетраборату літію, одержаних за допомогою методу витягування з розплаву, на мікрорельєф поверхонь у разі їх механічної обробки. Показано вплив умов одержання кристалів, їх орієнтації та умов їх механічної обробки на характеристики мікрорельєфу поверхонь.


Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4 + Ж613.7

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Заславський Б. Г. 
Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні : Автореф. дис... д-ра техн. наук / Б. Г. Заславський; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 2005. - 36 c. - укp.

Розроблено принципи нового методу витягування кристалів з розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється у тиглях перемінного за висотою перетину. Розглянуто технологічні засади автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів за новим методом. Уперше уникнуто основний принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає у тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву. Запропоновано новий інформаційний параметр - інтервал часу між дозованими підживленнями, з використанням якого розроблено надійну та просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих розмірів автоматизовано стадію радіального росту. Базуючись на запропонованих принципах, розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних кристалів великих діаметрів, а саме: установки типу "Кристалл" з підживленням розплавленою первинною сировиною; установки типу "Крос" з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною. Зазначено, що швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) - до 5 мм/год, що дозволило у двічі збільшити продуктивність ростового устаткування.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА340861 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського