Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=К233.503.4$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Сольский И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров / И. М. Сольский, Д. Ю. Сугак, В. М. Габа // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5. - С. 55-61. - Библиогр.: 28 назв. - рус. Ключ. слова: ниобат лития, выращивание кристаллов, метод Чохральского, температурный градиент, оптическая однородность, показатель преломления, двулучепреломление. Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4 + В379.251.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Лавріненко В. І. Вплив кристалографічної орієнтації монокристалів парателуриту та тетраборату літію, отриманих методом витягування з розплаву, на мікрорельєф поверхонь при механічній обробці / В. І. Лавріненко, Л. А. Проц // Сверхтвердые материалы. - 2005. - № 2. - С. 52-59. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Розглянуто вплив кристалографічної орієнтації кисневмісних монокристалів парателуриту та тетраборату літію, одержаних за допомогою методу витягування з розплаву, на мікрорельєф поверхонь у разі їх механічної обробки. Показано вплив умов одержання кристалів, їх орієнтації та умов їх механічної обробки на характеристики мікрорельєфу поверхонь. Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4 + Ж613.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Заславський Б. Г. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні : Автореф. дис... д-ра техн. наук / Б. Г. Заславський; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 2005. - 36 c. - укp.Розроблено принципи нового методу витягування кристалів з розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється у тиглях перемінного за висотою перетину. Розглянуто технологічні засади автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів за новим методом. Уперше уникнуто основний принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає у тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву. Запропоновано новий інформаційний параметр - інтервал часу між дозованими підживленнями, з використанням якого розроблено надійну та просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих розмірів автоматизовано стадію радіального росту. Базуючись на запропонованих принципах, розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних кристалів великих діаметрів, а саме: установки типу "Кристалл" з підживленням розплавленою первинною сировиною; установки типу "Крос" з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною. Зазначено, що швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) - до 5 мм/год, що дозволило у двічі збільшити продуктивність ростового устаткування. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА340861 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|