Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен сравнительный анализ химических свойств лузги риса, выращиваемого в Украине и в некоторых других странах. Предложена схема получения кремния "солнечного" класса из рисовой лузги для производства фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), включающая следующие этапы: отмывка лузги, пиролитическое разложение органических соединений, выщелачивание, пиролиз для получения диоксида кремния, изготовление электродов состава SiO2-C (или металл), электродуговое восстановление кремния, очистка кристаллизацией.

The comparative analysis of chemical properties of rice peel, growing in Ukraine and in some foreign countries is carried out. The circuit of reception of silicon of a "solar class" from rice peel for manufacture of photo-electric converters (PEC), including the following stages is offered: washing, burning of organic compounds, using alkali, burning for SiO2 reception, manufacturing of "SiO2-C (or metal)" electrodes, restoration in electric arc, clearing of silicon by crystallization. Precomputations of manufacture volume of silicon from rice peel in Ukraine show that it can make up to 700-1000 tons per year. This volume can supply manufacturing of photo-electric modules with capacity up to 100 МWatt per year.

Ключ. слова: фотопреобразователь, монокристаллы Si, конструкция, технология, параметры
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фотоэлектрические преобразователи, p-i-n структура, КПД
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження впливу текстурування поверхні на електрофізичні характеристики кремнієвих фотоелектричних перетворювачів. Одержані результати можна використовувати під час розробки чи удосконалення технології виробництва кремнієвих фотоперетворювачів для підвищення їх якості та надійності.

Досліджено особливості формування та вплив методів одержання на структурні, фотолюмінесцентні й антивідбивальні властивості шарів поруватого та нанопоруватого кремнію, сформованих на текстурованій поверхні фотоелектричних перетворювачів. Показано, що застосування шарів нанопоруватого кремнію забезпечує зниження коефіцієнта відбиття світла та ефективне перетворення короткохвильової частини спектра завдяки його перевипромінюванню.

Наведено результати досліджень конструктивних дефектів кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (КФЕП) за допомогою методу растрової електронної мікроскопії. Розглянуто модель впливу параметрів технологічного процесу формування антивідбиваючого покриття на інформативні параметри якості та надійності КФЕП. Одержані результати можна використовувати у процесі розробки чи удосконалення технології виробництва КФЕП для підвищення їх якості та надійності.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У досить реальних наближеннях щодо співвідношення між товщиною кремнієвих сонячних елементів (СЕ) та довжиною дифузії в них розвинуто теорію фотоперетворення у разі концентрованого освітлення для тильної та стандартної геометрій струмозбірних контактів. Проведено порівняльний аналіз одержаних результатів для двох указаних геометрій. Показано, що кремнієві СЕ з тильною металізацією, в принципі, можуть мати більшу ефективність фотоперетворювання. Одержано задовільне узгодження розвинутої теорії з експериментом.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты разработки конструкции кремниевого фотодиода, устойчивого к фоновому излучению оптического диапазона. Показано, что при оптимизации конструктивных элементов кристалла фотодиода возможно устранить активное влияние фоновой засветки оптического излучения с длиной волны меньше рабочей на величину полезного сигнала.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Для фотоелектричного перетворювача (ФЕП) сонячної енергії розроблено оптичну систему відбивання фронтальної поверхні у вигляді багатофункціональної мультитекстури на основі поруватого кремнію (ПК). Мультитекстуру з низьким інтегральним коефіцієнтом відбивання створено шляхом переформатування технологічного процесу, об'єднуючи електрохімічні та хімічні методи формування ПК. ФЕП, виготовлені з використанням мультитекстур ПК, показали збільшення ефективності перетворення у порівнянні зі стандартними сонячними елементами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 + З854.225

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено теоретичне моделювання ефективності фотоперетворення та споріднених фотоефектів для випадків, якщо відповідні теорії відсутні або виконані у спрощеному варіанті, з акцентуванням на аналізі розмірних ефектів, які виникають у даному процесі. У науковому дослідженні враховано складну структуру об'ємного часу життя в базовій та емітерній областях і деталізовано розрахунок величин швидкостей поверхневої рекомбінації, яка відбувається на фронтальній і тиловій поверхнях сонячних елементів (СЕ). Зокрема, під час визначення об'ємного часу життя ураховано рекомбінацію Шоклі - Ріда - Хола, міжзонну випромінювальну рекомбінацію, екситонну випромінювальну та безвипромінювальну рекомбінацію та міжзонну Оже-рекомбінацію. Виявлено, що ефективні швидкості поверхневої рекомбінації на фронтальній і тиловій поверхнях СЕ розраховуються самоузгоджено з урахуванням рекомбінації за механізмом Шоклі - Ріда на поверхневих центрах, величин вигинів зон біля фронтальної та тилових поверхонь СЕ, а також таких параметрів емітерної та колекторної областей як час життя неосновних носіїв заряду, рівень легування та товщини цих областей. Ураховано тунельний механізм струмопроходження у ВАХ кремнієвих СЕ за низьких температур, що дозволило одержати узгодження з експериментом. Одержано значення коефіцієнту неідеальності для коротких у порівнянні з довжиною дифузії кремнієвих СЕ залежно від рівня ін'єкції за умов урахування окремих механізмів у базовій області.

Наведено результати досліджень основних характеристик позиційно-чутливих фотоприймачів (ПЧФ) на базі різних напівпровідникових матеріалів: Si, гетероепітаксійних структур у системі AlGaAs - GaAs, GaAs : Si та структур з легованими надгратками на основі арсеніду галію. Розроблено методику формування розділової канавки кремнієвих ПЧФ на поперечному фотоефекті, яка дозволяє значно покращати лінійність їх позиційної характеристики (ПХ). Показано, що викривлення ПХ на краях двокоординатного ПЧФ зумовлено наявністю суцільних контактів, не залежить від питомого опору та товщини n-шару та визначається довжиною контактних смуг. Визначено можливість використання підкладки як робочої поверхні ПЧФ на основі GaAs : Si. Установлено, що застосування легованих надграток GaAs для створення ПЧФ з поздовжнім фотоефектом дозволяє розширити спектр фоточутливості до 1 150 нм. Запропоновано деякі області їх використання.