Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы существующие математические модели полевых транзисторов Шоттки. Проведены исследования зависимости инвариантного коэффициента устойчивости для трех схем включения транзистора, выходного сопротивления схемы с общим стоком при индуктивном и активном сопротивлении, включенном на входе. Разработаны схемы активных СВЧ-фильтров, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы.

The existent mathematical models of the field effect transistors Shottky are analysed. Researches of dependence of invariant stability coefficient for three transistor's circuit of including,output resistance of common source circuit with inductive and active resistance on the input port. The circuit of the active microwave filters that suitable for manufacturing as a hybrid or semiconductor microcircuit are developed.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты исследования процессов насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом. Показано, что при анализе процессов насыщения тока стока в схеме с общим истоком или в режиме автоматического смещения необходимо учитывать различный характер зависимости напряжений, падающих на переходах "сток - затвор" и "затвор - исток", для каждого случая. Полученные результаты представляют интерес для проектирования различных схем на основе полевых транзисторов.

The results of research of processes of saturation of a current of a drain of the field transistor with р-n-junction are given. Is shown, that it is necessary to take into account various character of dependence of voltage falling on drain-gate and gate-source transitions for each case at the analysis of processes of saturation of a drain current in the circuit with a general source or in a mode of automatic displacement. The received results are of interest for designing the various circuits on the basis of field transistors.

Экспериментально показано, что в полевом фототранзисторе с каналом, легированным оловом, участок с высоким динамическим сопротивлением является протяженным, в отличие от транзистора, легированного теллуром, что связано с особенностями процессов запирания канала в каждом случае. Выяснены механизмы фоточувствительности и установлена прямая зависимость процессов внутреннего усиления фототока от крутизны передаточной характеристики и выходного динамического сопротивления. Результаты могут быть использованы при конструировании оптоэлектронных схем на основе полевых фототранзисторов.

Is experimentally shown, that in the field phototransistor with the channel alloyed by tin, the site with high dynamic resistance is extended as against the transistor alloyed by tellurium. It is connected to features of processes of lockout of the channel in each case. The mechanisms of photosensitivity are found out. The direct dependence of processes of internal amplification of a photocurrent on a steepness of the transfer characteristic and target dynamic resistance is established. The results can be used at designing of opto electronic scheme on the basis of field phototransistors.

Показано, что напряжение отсечки ионно-имплантированного полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) на GaAs с хорошей точностью соответствует напряжению, при котором на вольт-фарадной характеристике появляется точка перегиба. Предложен метод прогнозирования напряжения отсечки ионно-имплантированных ПТШ с помощью вольт-фарадных измерений до нанесения контактов.

It is shown that the threshold voltage of a GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistor corresponds with a good accuracy to the voltage at which an inflection point appears in the capacitance-voltage characteristic. A method for predicting the threshold voltage of ion-implanted field-effect transistors using capacitance-voltage measurements prior to contact formation is proposed.

Исследован процесс формирования Т-образного затвора в малошумящих полевых транзисторах миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Предложена технологическая схема формирования Т-образного затвора, основанная на использовании электронно-лучевого экспонирования трехслойной резистивной структуры, состоящей из двух слоев электронного резиста, разделенных тонким слоем металла. Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8 - 1,0 мкм.

Process of formation of the T-shaped gate for low noise field effect transistors of a millimetric and sub-millimetric ranges of wave lengths. The technology of formation of the T-shaped gate is based on use of electron beam exhibiting of the three-layer resistive structure consisting of two layers electronic resists, divided by a thin metal layer. Experimental samples of transistors with T-shaped gates in height 1,1 microns, length of the bottom part 0,15 microns and the top part 0,8-1,0 microns arereceived.

Приведены результаты разработки и исследования контактных устройств для включения дискретных бескорпусных полевых GaAs-транзисторов в стандартный СВЧ-тракт измерительной установки для измерения СВЧ-параметров (коэффициента усиления по мощности и коэффициента шума) транзисторов в диапазоне частот 53,5 - 78,3 ГГц. Разработання установка позволяет измерять параметры бескорпусных транзисторов на фиксированной частоте в указанном диапазоне при различных условиях согласования по входу транзистора, а также выбирать оптимальный режим работы исследуемого транзистора по постоянному току.

Польові транзистори, виготовлені за технологією кремній на ізоляторі, досліджено за умов протікання струму стоку екстремально великої густини. За таких умов плівка кремнію транзистора розігрівалась струмом, що призводило до термічної генерації в ній електронно-діркової плазми. Зі збільшенням струму спостережено загасання відомого жовто-білого світіння плазми, пов'язаного з "гарячими" носіями заряду, а з подальшим зростанням струму виявлено появу червоного випромінювання з кремнієвої плівки. Ділянки плівки, що його випромінюють, мають вигляд плям, регулярно розташованих поблизу стоку. Зростання струму збільшує кількість плям, причому поява кожної нової плями корелює з утворенням S-подібних ділянок вольт-амперної та люкс-амперної характеристик транзистора. Виявлене випромінювання є тепловим. Одержані експериментальні результати пояснено утворенням в плазмі плівки кремнію термодифузійних автосолітонів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложен способ определения параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки, основанный на измерении коэффициента максимального устойчивого усиления транзистора при различных схемах его включения.

Проаналізовано існуючі методики виміру тиску в кристалізаційному термометрі, який застосовують для виміру наднизьких температур. Показано, що для підвищення чутливості та точності вимірів можна застосовувати метод, який базується на вимірі резонансної частоти коливального контуру, що включає ємнісний датчик тиску. Описано низькотемпературний генератор на польовому транзисторі, що дозволяє більш ніж на порядок підвищити чутливість та точність виміру температури в діапазоні 0,9 мК - 1 К.

Ключ. слова: pH-чутливі польові транзистори, біосенсори, напівпровідникові структури, діелектрик
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Апроксимовано характеристики польового транзистора, визначено крутості для генерування, підсилення і перетворення частоти залежно від нормованого опору навантаження.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж16492 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана и исследована математическая модель, описывающая сверхвысокочастотный полевой транзистор как нелинейный инерционный элемент электрической цепи.