Проведена оптимизация расчета сигнала отклика сенсорной емкостной структуры типа электролит - диэлектрик - полупроводник (ЭДП) с ионочувствительным слоем нитрида кремния, работающей по принципу измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик такой структуры. Проанализированы физические ограничения, возникающие при построении интегральных сенсорных ЭДП-массивов на основе единой кремниевой подложки. Показано, что оптимальный выбор как конструктивных, так и электрических параметров сенсорного массива позволяет получить независимые выходные сигналы для всех сенсорных каналов массива, обеспечивая его корректную работу.

Описано применение пористого кремния (ПК) в различных областях полупроводниковой микроэлектроники. Рассмотрено использование ПК для создания фильтров и газовых сенсоров, для формирования высокопроводящих слоев, контактов и соединительных элементов ИС, резисторов, фотоэлектродов, волноводов, тонких пленок нитрида, оксида или карбида кремния, а также для формирования светоизлучающих структур, антиотражающих покрытий, фотоприемников и солнечных элементов, преобразователей излучения. Проанализированы механизмы электролюминесценции и проблемы, стоящие перед разработчиками оптоэлектронных приборов и возможные пути их решения.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312-06

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты исследований реактивных свойств элементов на основе локально выращенных пленок поликристаллического кремния, описано их поведение под воздействием освещения. Показано, что вблизи порогового напряжения переключения характер реактивной проводимости пленок меняется с емкостного на индуктивный. При переключении пленок в низкоомное состояние в исследованном частотном диапазоне (0,465 - 10МГц) реактивная составляющая проводимости имела индуктивный характер.

Методами металлографии, электронографии и электронной микроскопии исследована поверхность ионнолегированного слоя кремния и граница раздела легированной и нелегированной областей. Изучена зависимость рельефа образующихся электронно-дырочных переходов и концентрации примеси (бор) от дозы в интервале 1014 - 1018 ион?см-2. Исследовано влияние отжига при температуре 700 - 900°С на структуру легированного слоя, в значительной степени определяющего эксплуатационные характеристики кремниевых приборов.

The surface of the ion-doped silicon layer and the boundary betveen of the doped and undoped areas were investigated by the methods and equipment of the metallography, electronography and electronic microscopy. The dependence of a contour of formed electronic-hole transitions and concentration of impurity (boron) from a doze in an interval 1014...1018 ions·cm-2 is investigated. The influence of annealing at the temperature of 700...900°С on doped structure of layer, which largely defines the operating performance of silicon gears in the concrete electronic circuits, is investigated.

Изложены теоретические основы и рассмотрены вопросы практической реализации технологии полупроводникового кремния. Описаны методы выращивания монокристаллов и получения изделий из кремния, а также эпитаксиальных его слоев. Значительное внимание уделено фазовым переходам в полупроводниках и тонкой структуре монокристаллов кремния. Проанализированы влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния, а также способы его получения с заранее заданными свойствами.

Розглянуто особливості точного визначення координат мінімально іонізуючих і короткопробіжних заряджених частинок за допомогою кремнієвих стрип-детекторів, а також збирання зарядів на сусідніх смужках детектора. Показано, що координати даних частинок можна визначити з точністю до декількох мікронів.

Рассмотрены особенности точности определения координат минимально ионизирующих и короткопробежных заряженных частиц с помощью кремниевых стрип-детекторов, а также сбора зарядов на соседних линиях детектора. Показано, что координаты данных частиц можно определить с точностью до нескольких микрон.

Наведено результати багаторічних досліджень опроміненого високоенергетичними частинками кремнію, які проводились у відділі радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень НАН України. Проведено огляд літературних даних, які стосуються впливу ядерного опромінення на спектри інфрачервоного поглинання кремнію. Подано відомості про характер утворюваних порушень у гратці кремнію.

Приведены результаты многолетних исследований облученного высокоэнергетическими частицами кремния, которые проводились в отделе радиационной физики Института ядерных исследований НАН Украины. Проведен обзор литературных данных, касающихся влияния ядерного облучения на спектры инфракрасного поглощения кремния. Изложены сведения о характере образующихся нарушений в решетке кремния.

Вперше систематизовано результати досліджень модуляції випромінювання монокристалічного кремнію у спектральному діапазоні внутрішньозонних електронних переходів. Проаналізовано механізм впливу випромінювання з області фундаментального поглинання напівпровідника на його теплове випромінювання в широкому діапазоні температур. Розкрито залежності ефективності такого "перетворення світла" від параметрів зовнішніх впливів і параметрів кристалів монокристалічного кремнію. Запропоновано нові типи фотонних інфрачервоних випромінювачів і безконтактні оптичні методи вимірювання рекомбінаційних параметрів у напівпровідниках.

Впервые систематизированы результаты исследований модуляции излучения монокристаллического кремния в спектральном диапазоне внутриозонных электронных переходов. Проанализирован механизм влияния излучения из области фундаментального поглощения полупроводника на его тепловое излучение в широком спектре температур. Раскрыты зависимости эффективности такого "преобразования света" от параметров внешних влияний и параметров кристаллов монокристаллического кремния. Предложены новые типы фотонных инфракрасных излучателей и безконтактные оптические методы излучения рекомбинационных параметров в полупроводниках.

С помощью современных методов исследована сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах "кремний-диоксид кремния". Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. Показано влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния.

The near-surface silicon layers in silicon Ц dioxide silicon systems with modern methods of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. It is shown the influence of initial defects on mechanical stress and deformation distribution in oxidized silicon.

Проаналізовано вплив рідкісноземельних елементів на люмінесцентні властивості халькогенідних сцинтиляторів. Проведено розрахунок оптимальних конструкцій детекторів на основі сцинтиляторів ZnSe(X) методом Монте-Карло. Висвітлено сучасні тенденції розвитку промисловості полікристалічного напівпровідникового кремнію. Розглянуто питання про одержання великогабаритних кремнієвих пластин методом лиття за допомогою відкритих графітових ливарних форм. Описано хімічні технології для мультипористої поверхні фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, алгоритм фільтрації просторових зображень сонячного вітру, методику дослідження структур на основі монокристалів йодиду свинцю. Наведено експериментальне визначення початкової концентрації кисню в розплаві кремнію.

Проанализировано влияние редкостноземельных элементов на люминесцентные свойства халькогенидных сцинтиляторов. Проведен расчёт оптимальных конструкций детекторов на основе сцинтиляторов ZnSe(X) методом Монте-Карло. Освещены современные тенденции развития промышленности поликристаллического полупроводникового кремния. Рассмотрен вопрос о получении крупногабаритных кремниевых пластин методом литья с помощью открытых графитовых литейных форм. Описаны химические технологии для мультипористой поверхности фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, алгоритм фильтрации пространственных изображений солнечного ветра, методика исследования структур на основе монокристаллов йодида свинца. Приведено экспериментальное определение начальной концентрации кислорода в расплавлении кремния.

Наведено результати експериментальних досліджень композита з нітриду алюмінію й карбіду кремнію. Коефіцієнт поглинання електромагнітної енергії в досліджених зразках доходить до 65 дБ/см у діапазоні частот 9,5 - 10,5 ГГЦ при 50 % змісті карбіду кремнію в композиті й розмірі його часток в 1 мкм. Для композитів різного складу й з різними розмірами часток карбіду кремнію наведені значення діелектричної проникності й тангенса кута діелектричних втрат, виміряних у діапазоні частот 3,13 - 3,35 ГГц.

Представлены результаты экспериментальных исследований композита из нитрида алюминия и карбида кремния. Коэффициент поглощения электромагнитной энергии в исследуемых образцах доходит до 65 дБ/см в диапазоне частот 9,5 - 10,5 ГГц при 50 % содержании карбида кремния в композите и размере его частиц в 1 мкм. Для композитов разного состава и с различными размерами частиц карбида кремния приведены значения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, измеренных в диапазоне частот 3,13 - 3,35 ГГц.

The results of experimental researches of aluminium nitride and silicium carbide composites are presented. The absorbance factor of electromagnetic energy in the probed compos comes to 65 dB/cm in the frequency range of 9,5Ч10,5 GHz in 50% silicium carbide content in a composite and at the 1,0 m particle size. Values of ? and tg? measured in frequency range of 3,13Ч3,35 GHz for composites of different contents and with different particle sizes of silicium carbide are resulted.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

By employing the Method of computer modeling Monte-Carlo, the spatial construction of clusters from 10 or 12 atoms of silicon has been revealed. Five atomic flat rings are presented in this structure.