Обобщены имеющиеся сведения о фотохимических и фотокаталитических подходах к формированию полупроводниковых наночастиц, а также бинарных полупроводниковых наноструктур и нанокомпозитов полупроводников с металлами и полимерами. Рассмотрены характер влияния облучения на протекание синтеза и свойства образующихся наноструктур, а также возможности фотохимического управления структурными и спектральными параметрами наноструктурированных полупроводниковых систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.315-27 + Г523.11 + З843.332

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: РА347090 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом.

Вперше зареєстровано ефект залишкового нагромадження молекулярного водню за сорбції з атмосфери, за кімнатної температури, у структурах на основі вільних шарів поруватого кремнію (ПК) і Pd, та відповідну тривалу зміну електрофізичних характеристик. Запропоновано нову модель адсорбції воднеподібних частинок у ПК, яка враховує покриття стінок пор силановими групами й описує кінетику адсорбції у початкові моменти. Проведено порівняння вмісту водню у ПК для різної кількості осадженого Pd у вільних шарах і різної технології виготовлення порошків. Оцінено швидкість виділення водню за рахунок реакції порошків ПК з водою, зв'язаною у твердому тілі.

На основі комплексного кристалохімічного аналізу (закону діючих мас, термодинамічних потенціалів, кристалоквазіхімічних формул) й експериментальних результатів досліджено дефектну структуру бездомішкових сполук CdTe, SnTe, PbTe: уточнено вид домінуючих точкових дефектів, зарядові стани та залежності їх концентрацій від відхилення від стехіометричного складу у межах областей гомогенності. Запропоновано моделі квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів, одержано аналітичні вирази для визначення залежностей концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих власних точкових дефектів від технологічних факторів за реалізації двотемпературного відпалу для кристалів і вирощуванні тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Використовуючи апроксимацію експериментальних значень меж областей гомогенності, уточнено константи рівноваги відповідних квазіхімічних реакцій. Модифіковано метод термодинамічних потенціалів для визначення концентрацій й уточнення енергетичних параметрів утворення точкових дефектів у досліджуваних матеріалах і побудови їх області гомогенності. Зроблено аналіз кристалоквазіхімічних формул, які визначають власні точкові дефекти й їх комплекси у нестехіометричних кристалах.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В368.2

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж69802 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано можливість створення за допомогою інтеркаляційних технологій складних супрамолекулярних комплексів - неорганічний напівпровідник/органічний рецептор. Об'єктами для досліджень слугували шаруваті напівпровідники галій селенід та індій селенід, які використано як тіло "господаря". Як "гостьовий" компонент використано молекули органічного рецептора - родамін C. Наведено результати досліджень одержаних зразків із використанням методу імпедансної спектроскопії, відповідно до яких побудовано еквівалентні електричні схеми. Побудовано та розраховано математичну модель, що відображає процеси струмопротікання в цих зразках.

На основании спектрально-кинетических исследований в интервале температур 295 - 77 K для полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS обнаружена перестройка поверхностного слоя стабилизатора (триоктилфосфин оксида или длинноцепочечных аминов), которая усиливается в нанокомпозитах с участием молекул красителей (порфиринов и перилен-диимидов) и влияет на безызлучательную релаксацию экситонного возбуждения и экситон-фононные взаимодействия. Методами пространственно-разрешенной спектроскопии обосновано, что в одиночных нанокомпозитах присоединение одной или нескольких молекул красителя вызывает перераспределение и/или возникновение поверхностных ловушечных состояний, что проявляется во временной динамике их спектрально-кинетических параметров.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + З843.3

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.415-1 + Г523.11,0

Рубрики:

Сполуки цинку з іншими елементами. Солі цинку

Шифр НБУВ: РА387542 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано особливості використання методу кристалоквазіхімії щодо дослідження дефектної підсистеми кристалів меркурій телуриду з двостороннім відхиленням від стехіометрії. Розраховано концентрацію точкових дефектів і носіїв струму, враховуючи відхилення від стехіометрії та частку іонності зв'язку атомів у кристалах.

С использованием интеркаляционных технологий получены супрамолекулярные комплексы неорганический полупроводник (GaSe, InSe)/органический анионный рецептор (метиловый оранжевый). Использование освещения и постоянного электрического поля при их формировании приводит к колоссальному росту диэлектрической проницаемости при значении тангенса угла электрических потерь меньше единицы и появлению эффекта отрицательной квантовой емкости. Показана возможность оптического управления значением их величины. Модификация полученных структур анионами хлора практически не меняет кинетику переноса заряда, но при этом сильно влияет на поляризационные свойства, в результате чего диэлектрическая проницаемость принимает значения меньше единицы.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В379.223

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Побудовано молекулярні моделі поліморфних модифікацій цинк телуриду. На підставі результатів квантово-хімічних розрахунків просторової будови та властивостей наноструктур визначено ентальпії утворення сфалеритної та вюрцитної модифікацій напівпровідника та зроблено оцінку температури їх фазового переходу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.256 + Г523.1

Рубрики:

Дифузія і самодифузія в напівпровідниках

Хімія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ