Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (2) | Книжкові видання та компакт-диски (15) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.21$<.>) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 59 Представлено документи з 1 до 20 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1. | Твердотільна електроніка: Електронні процеси в p - n-переходах : Навч. посіб. / уклад.: Я. І. Радевич, В. М. Фрасуняк; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці : Рута, 1999. - 84 c. - Бібліогр.: 10 назв. - укp. Подано основні відомості з фізики напівпровідників; описано і проілюстровано на схемах основні фізичні процеси, які відбуваються у p - n-переходах напівпровідникових структур, що зумовлені зовнішніми факторами. Розглянуто пробій p - n-переходу, у т.ч. лавинний, тунельний, тепловий, поверхневий і вторинний, а також генерацію і рекомбінацію носіїв в області об'ємного заряду. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 я73 + з85 я73 Рубрики: Шифр НБУВ: ВА594806 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2. | Надточий В. А. Исследование электрических свойств Ge и Si, деформированных при низких температурах / В. А. Надточий, Н. К. Нечволод, Д. Г. Сущенко // Физика и техника высоких давлений. - 2001. - 11, № 1. - С. 104-110. - Библиогр.: 16 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3. | Андриевский В. В. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в ip/i-Si/SiGe гетеропереходах / В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, Ю. Ф. Комник, О. А. Миронов, Т. Е. Волл // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 12. - С. 1202-1206. - Библиогр.: 35 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4. | Плаксий В. Т. Вольтваттная чувствительность контактов металл - полуметалл BiSb с учетом смещения по постоянному току / В. Т. Плаксий, О. Н. Сухоручко, Б. П. Ефимов, А. П. Касьяненко // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка. - 2002. - № 5-6. - С. 29-33. - Библиогр.: 4 назв. - рус. Приведен расчет распределения температуры кристаллической решетки в объеме кристалла, устанавливающейся при воздействии на контакт металл - полуметалл BiSb СВЧ сигнала определенной мощности и при подаче постоянного тока смещения. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5. | Ларкин С. Ю. Несимметричные двухбарьерные туннельные переходы на основе нитрида ниобия / С. Ю. Ларкин, В. Е. Шатерник // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2005. - 48, № 5-6, [ч. 2]. - С. 20-25. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Показано, что созданные туннельные переходы NbN - I - Pb являются существенно несимметричными двухбарьерными переходами. Проанализировано образование в таких переходах связанного Андреевского состояния. Індекс рубрикатора НБУВ: З973-043.22 + В379.271.21 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6. | Арапов Ю. Г. Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур $E bold {p- roman {Ge "/" Ge} sub 1-x {roman Si} sub x} в области перехода металл - диэлектрик / Ю. Г. Арапов, В. Н. Неверов, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, О. А. Кузнецов, Л. Пономаренко, А. де Виссер // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 11. - С. 1157-1161. - Библиогр.: 28 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7. | Ковалюк З. Д. Створення та дослідження Ip - nD-переходів на IpD-InSeCd імпульсним лазерним опроміненням / З. Д. Ковалюк, О. А. Політанська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 1. - С. 146-148. - Бібліогр.: 6 назв. - укp. Наведено модель стрибкоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з амфотерними дефектами. Показано, що збільшення концентрації дефектів викликає зменшення періоду життя носіїв струму, що призводить до переходу зони провідності до стрибкоподібної провідності. Перехідний критерій - це, коли період життя і значення часу релаксації прямують один до одного. Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору в Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, зумовлених енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур. Проаналізовано особливості перетворення неелектричної величини в електричний сигнал у мікроелектронних структурах. Наведено фізичне обгрунтування ефективності використання електричних і фотоелектричних властивостей кремнієвих p-n переходів у мікроелектронних вимірювальних перетворювачах неелектричних величин. Увагу приділено конструкторсько-технологічній реалізації багатосенсорної мікроелектронної структури та малогабаритних діодних сенсорів. Досліджено магнітофононні осциляції магнітоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах (НК) Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал - діелектрик, в інтервалі температур 4,2 - 70 K у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 і 35 Тл відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнітофононні осциляції поперечного та поздовжнього магнітоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких і легких електронів в НК n-Ge. Запропоновано НК германію для створення на їх основі низькотемпературних сенсорів деформації-температури, працездатних у сильних магнітних полях. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського