Описано результати досліджень методами електронної мікроскопії, спектроскопії поглинання і комбінаційного розсіяння світла нанокристалів CdSSe, синтезованих у скляній матриці. Отримані дані використано для визначення середніх розмірів і компонентного складу нанокристалів. Проведено порівняння можливостей методів.

Для розв'язання інтегрального рівняння Ліпмана- Швінгера, що описує розсіювання частинок на сферично-симетричному потенціалі, використано компактні елементарні хвилі Добеш'є. Обговорено структуру зображення фізичних операторів елементарними хвилями. Показано, що для потенціалів зі швидким розпадом елементарні хвилі дають змогу апроксимувати ядро рівняння Ліпмана- Швінгера. Виведено обмеження для таких потенціалів.

Развит метод решения обратных задач рассеяния электромагнитных волн в анизотропных средах, базирующийся на основе принципа максимума Понтрягина. Решение основной физической задачи - восстановление неизвестного распределения диэлектрической проницаемости в теле - сведено к минимизации некоторого сглаживающего функционала. Для получения последнего использовано борновское приближение. Далее минимизация проведена с использованием принципа максимума Понтрягина, а не с помощью методов вариационного исчисления, использующих уравнения Эйлера, как это делалось ранее.

Запропоновано методику наближеного розрахунку розсіяння плоскої електромагнітної хвилі на ідеально провідному об'єкті великих електричних розмірів, вкритому (повністю або частково) радіопоглинальним матеріалом. Методика базується на визначенні еквівалентних густин електричного та магнітного струму на поверхні розсіювача у наближенні фізичної оптики та наступному застосуванні спеціальних кубатурних формул для розрахунку інтегралів, які описують розсіяне об'єктом поле. Наведено результати розрахунків полів, розсіяних об'єктом складної форми з радіопоглинальним покриттям.

Розглянуто двовимірну функцію Вейєрштраса для моделювання фрактальних поверхонь. Проведено комп'ютерне моделювання реальних шорстких поверхонь за допомогою цієї функції. На основі скалярної теорії Кірхгофа розраховано індикатрису розсіяння електромагнітних хвиль для конкретних фрактальних поверхонь.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.25

Рубрики:

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 + В374.25

Рубрики:

Дефекти

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.25 + В368.2

Рубрики:

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фрактали, розсіювання, електромагнетизм, чисельні методи, моделювання
Індекс рубрикатора НБУВ: В374.25

Рубрики:

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3в641.0,0 + В374.25в641.0,0

Шифр НБУВ: Р112959 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено профілі інтенсивності ліній Косселя від площин (111)-форми монокристалів, природного діаманта, монокристалів вирощених у системі росту Ni - Mn - C, Ni - Mn - C + бор, діамантів, отриманих методом температурного градієнта. Показано, що півширина ліній {111}-форми найчистіших монокристалів природного діаманта 1а-типу є мінімальною та дорівнює 0,02 градусів. Для діамантів, одержаних у системі росту Ni - Mn - C, півширина ліній зростає до 0,05 градусів. Збільшення півширини ліній пов'язується зі зміною визначених структурних характеристик діамантів.

Ключ. слова: метод Косселя, монокристаллы алмаза, низкие температуры
Індекс рубрикатора НБУВ: В374.25

Рубрики:

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.25

Рубрики:

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, що у пружно зігнутому кристалі зростання асиметрії розсіяння може призводити до зменшення інтегральної інтенсивності діфрагованої хвилі. Це явище названо "розгладжуванням" деформації. Установлено, що скорочення області когерентності, і отже, "квазімозаїчний" режим розсіяння рентгенівських променів призводять до явища "розгладжування" деформації, проаналізованого у випадках динамічно "товстого" та "тонкого" кристалів.

Получено векторное уравнение для описания диффузного рассеяния излучения случайной плотноупакованной средой одинаковых сферических частиц. Среда предполагается в виде статистически однородного плоскопараллельного слоя, освещенного плоской наклонно падающей электромагнитной волной. При усреднении по ансамблю соотношений для элементов матрицы отраженного излучения применяется квазикристаллическое приближение. В полученном уравнении полностью учитываются неоднородности волн вблизи рассеивателей. В предельном случае разреженных сред уравнение превращается в классическое векторное уравнение переноса излучения.

На основе единой методики рассмотрены три варианта метода малых возмущений в решении задачи рассеяния волн статистически неровной поверхностью: борновское разложение, приближение Бурре и приближение Крейчнана. Установлена взаимосвязь в виде предельных переходов между указанными приближениями в определенных областях значений физических параметров.

Розглянуто фізичні особливості спектрів комбінаційного розсіяння, що впливають на формування нелінійної сприятливості у нецентросиметричному кристалі ніобіту літію у порівнянні з аморфною сполукою кварцового скла, яке є основою сучасних оптичних волокон.

Рассмотрена задача рассеяния плоской скалярной волны реактивно нагруженной сферой. Теория основана на свойстве локальности коротковолнового рассеяния и дает в явном виде значение поля на поверхности цели. Она учитывает кривизну поверхности, а также значение поля на ее затененной части. Многочисленные сравнения с точными решениями для сфер различных размеров с постоянными значениями поверхностного импеданса показали, что метод является более точным, чем приближение физической оптики, и требует приблизительно тех же вычислительных затрат. Приведен пример использования развитого подхода в случае сферы с изменяющейся поверхностной нагрузкой.

У дисертації на лабораторному фотометрі-поляриметрі досліджувалося зворотне розсіювання світла у діапазоні фазових кутів 0,2 - 3,5 °. Досліджено фазові залежності кривих опозиційного ефекту яскравості та ступеню поляризації світла від: розміру та форми частинок зразка, щільності упаковки частинок, матеріалу зразка (діелектрик, метал), альбедо поверхні, а також від довжини хвилі світла, що падає. У діелектриків, на відміну від металів, спостерігалася залежність від розмірів часток. Деякі зразки показали немонотонну поведінку показника кольору. У поляризованому світлі вивчено співвідношення між внесками різних механізмів розсіювання в утворення опозиційного піку в залежності від структури та альбедо зразка.

Досліджено пружну взаємодію світла з неоднорідним хіральним анізотропним середовищем на прикладі хіральних рідкокристалічних композицій. Вивчено слабо- та сильнозакручені структури. Розроблено швидкісні методи розрахунку поширення світла в слабозакручених рідкокристалічних середовищах та одержано аналітичний вираз коефіцієнта пропускання світла коміркою, залитою закрученим нематичним рідким кристалом, яка розташована між двома поляризаторами, у випадку похилого падіння світла. Запропоновано моделі, які дозволяють описати процеси пружної взаємодії світла з нематико-холестеричним рідким кристалом. З використанням експериментальних даних розв'язано обернену оптичну задачу та одержано основні характеристики запропонованої моделі, що дало змогу розрахунковим шляхом знаходити просторовий та спектральний розподіли розсіяного нематико-холестеричним рідким кристалом світла за довільних умов освітлення. Запропоновано методи знаходження оптимальних умов освітлення та спостереження холестеричних рідкокристалічних дисплеїв. Досліджено розсіяння світла гібридноорієнтованими холестеричними рідкими кристалами, наведено метод знаходження їх матриці розсіяння, а також метод одночасного знаходження товщини холестеричної рідкокристалічної комірки та середнє значення показника заломлення рідкого кристала, даний метод базується на аналізі спектральних положень особливостей в спектрі дзеркально відбитого від комірки світла за різних кутів падіння.