Розвинуто мікроскопічну теорію електронного стану кристалів з дислокаціями. З урахуванням електрон-деформаційної взаємодії в межах цієї моделі розраховано заповнення електронних станів кристала з поодинокою краєвою прямолінійною дислокацією і зі стінкою дислокацій.

Обговорено осциляції, породжені класичним рухом блохівського електрона в просторово періодичній структурі, період якої значно перевищує міжатомну відстань: 1) так звані блохівські коливання, тобто коливальний рух електрона у постійному однорідному електричному полі; 2) осциляційна залежність магнітоопору металу від постійного магнітного поля, пов'язана з геометричним резонансом, при цьому діаметр орбіти електрона в магнітному полі є сумірним із періодом надгратки.

Стверджується, що електрон може опинитися в стані, локалізованому на міжкристалітній, двійниковій межі, дефекті пакування, незалежно від конкретної структури перехідної області. Суттєвою є лише неперіодичність "у цілому" кристала, що вміщує таку межу. Розглянуто одновимірну модель (дві зістиковані решітки Кроніга - Пенні), для якої визначено спектр локалізованих станів. У спектрі складним чином чергуються зони, що вміщують один або два дискретних рівні.

За допомогою методів диференційного термічного аналізу та політермічної поляризаційної мікроскопії досліджено фазові рівноваги в інтервалі температур від 20 до 400 oC і визначено концентраційно-температурні інтервали існування рідких кристалів у бінарних системах ізобутиратів лужних металів з ізобутиратом талію.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.2

Рубрики:

Електронна теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.2

Рубрики:

Електронна теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Охарактеризовано процеси агрегатування одиничних іонів свинцю, які відбуваються в кристалічних матрицях зі структурою типу CsCl (CsCl, CsBr, CsI). Описано випадок сильного і слабого квантово-розмірного ефекту на прикладі нанокристалів CdS і CuCl, вбудованих у кристалічні та скляні матриці. Наведено спектрально-люмінесцентні і люмінесцентно-кінетичні характеристики свинцевовмісних нанокристалів, вбудованих в галоїдні матриці.

Охарактеризованы процессы агрегатирования единичных ионов свинца, происходящие в кристаллических матрицах со структурой CsCL (CsCl, CsBr, CsI). Описан случай сильного и слабого квантово-размерного эффекта на примере нанокристаллов CdS, встроенных в кристаллические и стеклянные матрицы. Приведены спектрально-люминесцентные и люминесцентно-кинетические характеристики свинцовосодержащих нанокристаллов, встроенных в галлоидные матрицы.

Представлены результаты разработки и исследовния наноэлектронных устройств для регистрации и калибровки электромагнитных сигналов на основе джозефсоновских гетероструктур. Рассмотрено влияние электрического поля и механических напряжений на диффузию димеров Bi на грани (001) кремния и формирование оксидов на этой поверхности в присутствии субмоноатомных покрытий. Разработаны зондовые методы нанолокальной модификации электрических свойств полупроводниковых приборных структур. Усовершенствован метод молекулярно-лучевой эпитаксии и технологии получения наноразмерных слоев и наноструктур GeSi. Обоснована необходимость применения нанометрологии в промышленности для контроля качества новых материалов. Исследованы возможности получения генерации, усиления и умножения электромагнитных колебаний на гипервысоких частотах в структурах на основе матричных острийных катодов с резонансным многослойным алмазоподобным покрытием и с управлением лавинным пробоем. Проведены теоретические и экспериментальные исследования мезоскопических сверхпроводниковых структур с магнитными слоями. Установлено влияние внутренних и поверхностных состояний на спектры излучения квантовых точек CdS, синтезированных в боросиликатном стекле золь-гель-методом. Проанализированы особенности электрон-решетчатого энергообмена в металлических наночастицах.

Досліджено спінову фільтрацію електронного струму у наноструктурі на основі напівмагнітних напівпровідників типу ZnMnSe. Показано, товщини шарів наноструктури та концентрація Mn у шарах можуть бути вибрані у такий спосіб, що спінова поляризація електронного струму може досягати дуже великих значень у порівняно малих зовнішніх постійних магнітних полях. Знайдено, що величину та знак спінової поляризації електронного струму можна змінювати за допомогою напруги зміщення на напівмагнітній наноструктурі. Виявлено, що зміна знаку спінової поляризації електронного струму пов'язана з резонансним тунелюванням електронів зі спіном вгору через двобар'єрний енергетичний потенціал, який формується у наноструктурі завдяки підбору складу напівмагнітних шарів.

Исследована спиновая фильтрация электронного тока в наноструктурах на основе полумагнитных полупроводников типа ZnMnSe. Показано, что толщины слоев наноструктуры и концентрация Mn в слоях могут быть выбраны таким образом, что спиновая поляризация электронного тока может достигать очень больших значений в сравнительно малых внешних постоянных магнитных полях. Найдено, что степень и знак спиновой поляризации электронного тока можно изменять с помощью напряжения смещения на полумагнитной наноструктуре. Обнаружено, что изменение знака спиновой поляризации электронного тока связано с резонансным туннелированием электронов со спином вверх через двухбаръерный энергетический потенциал, сформированный в наноструктуре за счет выбора состава полумагнитных слоев.

Spin-filtering electron currents has been studied in the nanostructures based on ZnMnSe-semimagnetic semiconductors. It is shown that the thicknesses of nanostructure layers and the Mn-concentrations in the layers can be chosen in such a way that the spin polarization of the electron current can reach very large values in relatively low external constant magnetic fields. It has been found that the degree and sign of the spin polarization of the electron current can be changed with the help of the bias voltage applied to the semimagnetic nanostructure. It has been determined that the change of sign of the spin polarization of the electron current is concerned with the resonance tunneling of spin-up electrons through the double-barrier energy potential formed in the nanostructure at the expense of choosing the composition of semimagnetic layers

Індекс рубрикатора НБУВ: В372,022 + В371.236,022

Рубрики:

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: ВА658590 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изложены физические основы формирования материалов с нетрадиционными структурами: фрактальных агрегатов, фуллеренов и фуллеритов, эндоэдральных структур, нанотрубок, кластеров и кластерных систем, наноразмерных частиц, аморфных и нанокристаллических материалов. Приведены современные представления о структуре рассматриваемых веществ, информация о влиянии размерного фактора и параметров неупорядоченности на физические свойства. Описаны возможности использования данных материалов в современной технике.

Рассмотрены вопросы современного материаловедения нанокристаллических материалов, технологий и процессов их получения, изучения структуры и свойств. Проанализированы особенности получения поликристаллических наноструктурных материалов в результате консолидации нанокристаллических порошков и пластической деформации металлических сплавов. Освещены некоторые новые аспекты получения тонких пленок различными технологическими приемами. Охарактеризованы механизмы коалесценции, рассмотрены примеры структурообразования, контролируемого коалесценцией по Оствальду, при синтезе и спекании высокодисперсных порошков неметаллических соединений. Определено влияние давления и исходного размера частиц на фазовый состав композитов при компактировании порошков диоксида циркония.

Викладено фізичні основи квантових низькорозмірних систем, описано їх властивості та методи одержання. Розглянуто оптичні, електрооптичні властивості напівпровідникових наноструктур, магнітні властивості гранульованих нанокомпозитів з гігантським магнітоопором. Висвітлено основи цілочислового та дробового квантових ефектів Холла. Наведено приклади застосування низькорозмірних систем в електроніці та сучасних технологіях.

Изложены физические основы квантовых низкоразмерных систем, описаны их свойства и методы получения. Рассмотрены оптические, электрооптические свойства полупроводниковых наноструктур, магнитные свойства гранулированных нанокомпозитов с гигантским магнитосопротивлением. Освещены основы целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла. Приведены примеры применения низкоразмерных систем в электронике и современных технологиях.

Розглянуто основні типи магнітних структур у неупорядкованих матеріалах різної природи. Викладено фізичні засади методів вимірювання інтегральних і локальних магнітних параметрів. Описано особливості доменної структури, процесів перемагнічування в аморфних і нанокристалічних сплавах на основі металів групи заліза. Визначено вплив зовнішніх чинників і технології одержання на магнітні характеристики аморфних і нанокристалічних феромагнетиків, а також швидкогартованих сплавів системи Fe - Nd - B.

Рассмотрены основные типы магнитных структур в неупорядоченных материалах разной природы. Изложены физические основы методов измерения интегральных и локальных магнитных параметров. Изучены особенности доменной структуры, процессов перемагничивания в аморфных и нанокристаллических сплавах на основе металлов группы железа. Определено влияние внешних факторов и технологии получения на магнитные характеристики аморфных и нанокристаллических феромагнетиков, а также быстрозакаляющихся сплавов системы Fe - Nd - B.

Висвітлено теоретичні методи дослідження спектрів квазічастинок (електронів, дірок, екситонів, фононів) та їх взаємодії у наногетеросистемах (квантових точках і дротах). Викладено основи традиційної діаграмної техніки Фейнмана у методі функцій Гріна, проведено модифікацію техніки у випадку систем з багатозонним (багаторівневим) спектром, що є невід'ємним атрибутом квазічастинок, які взаємодіють з квантовими фононними полями у наногетеросистемах.

Освещены теоретические методы исследования спектров квазичастиц (электронов, дырок, экситонов, фононов) и их взаимодействие в наногетеросистемах (квантовых точках и проволоках). Изложены основы традиционной диаграммной техники Фейнмана в методе функций Грина, проведена модификация техники в случае систем с многозонным (многоуровневым) спектром, являющимся атрибутом квазичастиц, которые взаимодействуют с квантовыми фононными полями в наногетеросистемах.

Рассмотрены современные тенденции и особенности становления прогрессивных нанотехнологических разработок и исследований в мире и на постсоветском пространстве, в частности, Украине, России и Белорусии. Освещена история открытия наномира, изложены фундаментальные основы нанотехнологий, охарактеризованы инструменты нанонауки, раскрыта сущность нанофилософии и нанополитики. Раскрыты перспективы развити наноиндустрии, даны сведения о новейших разработках и возможностях применения интеллектуальных материалов и биотехнологий. Охарактеризована институциональная среда формирования экономического менталитета в Европе и России, проанализировано состояние развития инновационных технологий и проблемы подготовки менеджеров. Освещены новейшие достижения в сферах нано- и нейроэкономики, а также перспективы формирования эффективного менеджмента внедрения прогрессивных нанотехнологических разработок.

Приведены результаты экспериментальных исследований в области полупроводниковой наноэлектроники в Институте физики полупроводников СО РАН. Описаны квантовые точки в приборных кремниевых структурах, фотонные кристаллы. Освещены особенности квантования фотонов и быстродействия СВЧ транзисторов, проявления когерентных свойств теплового излучения полупроводниковых плоскопараллельных структур, излучательной рекомбинации пористых и эпитаксиальных слоев InP, подвергнутых магнитно-полевой и микроволновой обработкам, фасетирования границ зерен в поликремниевых пленках с равноосной структурой. Показано место фуллеренов и углеродных нанотрубок в кристаллических структурах. Внимание уделено парамагнитному резонансу взаимодействующих спинов в полупроводниках. Осуществлено моделирование распределения наноразмерных фотохромных центров в стационарном градиентном световом поле. Определены технологические факторы поверхностной морфологии и оптического поглощения наноструктурированных слоев двуокиси олова.

Рассмотрен один из самых обширных классов наноструктурных систем - консолидированные материалы, а также методы их получения и многочисленные приложения. Приведены данные о строении материалов, размер структурных элементов которых (зерен, пор, доменов, сегрегаций) составляет менее 100 нм. Описаны основные методы консолидации наноструктурных материалов с позиции конкуренции между уплотнением и ростом зерен. Освещены особенности проявления размерных эффектов в физических, химических, механических и других свойствах наноструктурных материалов, раскрыты потенциальные возможности их использования в технике, электронике, медицине.

Для тривимірної моделі невзаємодіючих магнітних наночастинок досліджено вплив випадкової орієнтації осей найлегшого намагнічення та полідисперсності у розмірах феромагнітних наночастинок на термодинамічні властивості системи. Проведено порівняння результатів дослідження з результатами класичної моделі Стонера - Вольфарта. Показано, що максимум, який спостерігається у залежності намагніченості системи від температури, розмивається у разі збільшення області, у якій орієнтовані осі найлегшого намагнічення та ширини розподілу частинок за розміром. У випадку однорідного розподілу, що описує напрямки орієнтації осей найлегшого намагнічення, спостерігається парамагнітна поведінка, яка у таких системах відповідає явищу супермагнетизму.

Для трехмерной модели невзаимодействующих магнитных наночастиц исследовано влияние случайной ориентации осей наилегчайшего намагничивания и полидисперности в размерах ферромагнитных наночастиц на термодинамические свойства системы. Проведено сравнение результатов исследования с результатами классической модели Стонера - Вольфарта. Показано что максимум, кооторый наблюдается в зависимости намагниченности системы от температуры, размывается при увеличении области, в которой ориентированы оси наилегчайшего намагничивания, и ширины распределения частиц по размеру. В случае однородного распределения, которое описывает направления ориентации осей наилегчайшего намагничивания, наблюдается парамагнитное поведение, которое в таких системах соответствует явлению супермагнетизма.