Пошуковий запит: (<.>U=З854.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 135
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Bogoboyashchiy V. V. Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.62-69
|
| 2. | Ж29221 Антонова В. А. К вопросу о новых конструктивно-технологических решениях при создании высокоэффективных кремниевых фотоприемников большой площади [Текст]: Вып. 109 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.131-138
|
| 3. | Ж60673 Горбань А. П. Оптимизация параметров кремниевых солнечных элементов с n+ - p - p+-структурой. Теоретические соотношения [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.119-128
|
| 4. | Ж14479 Войцеховский А. В. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/<$Eroman bold {SiO sub 2 "/"Si sub 3 N sub 4 }> [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.35-38
|
| 5. | Ж14479 Рюхтин В. В. Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.4548
|
| 6. | Ж14479 Рева В. П. Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.56-60
|
| 7. | Ж14479 Марончук И. Е. Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.42-42
|
| 8. | Ж14479 Викулин И. М. Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.46-49
|
| 9. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.42-44
|
| 10. | Ж69398 Кириченко М. В. Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах [Текст] 12: 1 // Радиофизика и электроника.-С.255-262
|
| 11. | Ж69398 Шуба Л. П. Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p - i - n структурой [Текст] 12: 1 // Радиофизика и электроника.-С.263-267
|
| 12. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p - n - m-структурах [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.40-47
|
| 13. | Ж14479 Бутенко В. К. Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.38-40
|
| 14. | Ж69398 Лукин K. A. Моделирование импульсного фотоумножителя на основе PN-I-PN структуры с лавинными P-N переходами [Текст] 12: 2 // Радиофизика и электроника.-С.444-450
|
| 15. | Ж14479 Бутенко В. К. Новое поколение преобразователей "ток - напряжение" для измерения фотосигналов [Текст] / В. К. Бутенко, В. Г. Юрьев [и др.]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.6-8
|
| 16. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.27-30
|
| 17. | Ж14479 Рева В. П. Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.46-49
|
| 18. | Ж14479 Политанский Л. Ф. Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-С.23-27
|
| 19. | Ж14479 Добровольский Ю. Г. Симметричный двухкоординатный фотодиод [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-С.35-37
|
| 20. | Ж60673 Горбань А. П. Аналіз впливу радіаційного опромінення протонами на кремнієві сонячні елементи [Текст]: Вып. 38 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.78-86
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка