Розглянуто умови формування НВЧ сигналів фотопровідності високоомних напівпровідників у процесі імпульсної та гармонічної фотомодуляцій провідності, які виділяються за допомогою складового циліндричного РВП з Н012 видом коливань. Досліджено особливості вимірювання параметрів напівпровідників за високих рівнів фотозбудження. Доведено, що у більшості випадків фазовий метод вимірювання часу життя в напівпровідниках забезпечує високий ступінь адекватності досліджень.

Рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. Исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. Доказано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований.

Conditions of hidht-ohmic semiconductior photoconductivity microwave signals formation with the pulse and harmonic photomodulation of conductivity, these signals being extract ed with oscillation mode composite cylindrical resonator, are considered. Recularities of seviconductors parameters measurement at high levels of photo excitation are studied. It is shown that the plase method of life-time measurement in semiconductors offer a high degree of the research adequacy in most cases.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-01

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено применение модели инерционного элемента, нелинейность которого задается зависимостью параметров от заряда, для описания процессов, протекающих в лавинно-пролетных диодах, как одном из видов твердотельных приборов СВЧ.

Виявлено, підтверджено та досліджено явище контурного гістерезису в твердотілих мікроелектронних елементах зі структурою приладів міждоменного електронного переносу (МЕП). Теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено математичну модель електронних процесів у системі взаємопов'язаних надвисокочастотних (НВЧ) мікроелементів, що враховує міждоменний характер переносу заряду, на базі якої розроблено апаратурно-технологічні принципи створення нового класу однокристальних інтегрованих НВЧ-пристроїв. Запропоновано нові схемотехнічні та технологічні рішення з питань створення логічних керуючих систем на мікровакуумних і твердотілих НВЧ-мікроелементах, що моделюють за основними показниками функціонування живої клітини та імітують біопольові інформаційні впливи на організм. Розроблено новий тип мікроелектронних резонансних датчиків широкого призначення у вигляді інтегрованих однокристальних твердотілих НВЧ-мікроелементів на основі арсеніду галію, запропоновано технологію їх виготовлення.

Розроблено комплексні методики дослідження фізики формування інтенсивних електронних пучків у надвисокочастотних приладах O-типу. Проведено аналіз і вибір методів досліджень, а саме: методу зарядової щільності та методу Еверхарта - для проведення теоретичних досліджень (числових розрахунків), методу перехідного випромінювання - для експериментального дослідження мікроструктури електронних пучків. Розроблено математичну модель аксіально-симетричної електронно-оптичної системи та визначено оптимальні структури електричних полів для різних прискорюючих потенціалів. Проведено траєкторний аналіз руху електронів, установлено ступінь впливу просторового заряду на розмір і положення кросовера пучка залежно від прискорюючої напруги. Проаналізовано процеси струмоосадження на електродах двох різних конструкцій гармат. Побудовано числові алгоритми для аналізу фізичних полів і траєкторій руху електронів у тривимірних фокусуючих системах. Проведено розрахунок і аналіз структури електричного та магнітного полів діодної системи. За результатами траєкторного аналізу й обчислення мікроструктури стрічкового електронного пучка визначено топологію його формування у внутрішньому просторі діодної гармати та показано визначальну роль анодної щілини у процесі формування стрічкового пучка. Запропоновано загальну методику експериментального дослідження мікроструктури інтенсивних електронних пучків за перехідним випромінюванням. Розроблено програму для числового аналізу зображення сліду світіння електронного пучка. На підставі порівняльного аналізу розподілів щільності струму у поперечних перетинах аксіально-симетричного

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.5-01 с + В381.130.44 в641

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Прискорені системи < Лінійні прискорювачі >

Шифр НБУВ: ДС41746сл Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.5-01 с + В381.130.44 в641

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Прискорені системи < Лінійні прискорювачі >

Шифр НБУВ: ДС41746сл Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.5-01 с + В381.130.44 в641

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Прискорені системи < Лінійні прискорювачі >

Шифр НБУВ: ДС41746сл Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.5-01 с + В381.130.44 в641

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Прискорені системи < Лінійні прискорювачі >

Шифр НБУВ: ДС41746сл Пошук видання у каталогах НБУВ