An analysis of switching actions in self-excited transistor converter carry out. Formulae are derive for determination of the duration switching action, addition dissipated by the transistor power and real efficiency of the converter. That formulae are nacessary for determination maximal operating frecuency of the self-excited transistor converter and optimization parameters power transformer of the converter.

На основі зображення компонентів електронної потужності взаємодії поліномами шостої степені, здобутими за методом послідовних наближень з використанням примусово гармонізованого розв'язку для кута прольоту електронів, проаналізовано стаціонарні режими генерації приладів типу оротрон з однорідним розподілом амплітуди поля. Виявлено, що залежно від величини відносного кута прольоту електонів у оротроні може бути реалізовано м'який або жорсткий режими збудження коливань. Одержано аналітичні співвідношення для вихідних характеристик генератора, що описують явища електронного гістерезису за прискорюючою напругою та струмом. Доведено, що природа електронного гістерезису обумовлена особливостями нелінійної динаміки пролітних частинок, а безпосередньою причиною гістерезису є зміна середньої (за сукупністю електронів) швидкості в просторі взаємодії.

Експериментально досліджено генератор Гана з частково екранованим півдисковим квазіоптичним діелектричним резонатором (КДР), відкритим з боку однієї плоскої бокової основи. Розглянуто характеристики генерації коливань напівпровідниковим діодом у даному резонаторі за різних положень активного елемента генератора вздовж радіальної координати півдискового КДР. Проведено порівняння характеристик генератора з досліджуваним резонатором з характеристиками генератора на основі відкритого КДР.

Описана поперечно-планарная конструкция волноводного транзисторного автогенератора. Предложена методика его расчета. Приведены результаты экспериментальных исследований.

Рассмотрена возможность использования сильно нелинейных процессов при управляемом лавинном пробое для умножения частоты с большой кратностью и малыми потерями на умножение. Приведены результаты исследований в диапазоне частот 100-360 ГГц.

Рассмотрены конструкции широкодиапазонных электрически перестраиваемых интегральных генераторных модулей КВЧ диапазона, обладающих повышенной температурной стабильностью частоты в широком интервале температур. Приведены результаты расчетов температурной чувствительности их частоты.

Індекс рубрикатора НБУВ: З848-041.3

Рубрики:

Радіопередавальні пристрої (радіопередавачі)

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описан каскадный импульсный когерентный полупроводниковый генератор для спектрометра 8-мм диапазона длин волн с уровнем мощности 15 Вт, синхронизированный непрерывным, стабилизированным по частоте сигналом; режим работы генератора-пачечный с числом импульсов в пачке 2-3, с длительностью импульса 20-100 нс и скважностью THETA >= 2; дополнительный фазовый набег от импульса к импульсу и в пределах импульса не превышает 20°; подавление сигнала в паузе между импульсами более 110 дБ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З848-041

Рубрики:

Радіопередавальні пристрої (радіопередавачі)

Шифр НБУВ: Ж27665 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З848-041.7

Рубрики:

Радіопередавальні пристрої (радіопередавачі)

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З848-041

Рубрики:

Радіопередавальні пристрої (радіопередавачі)

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: температурная стабилизация, полупроводниковый СВЧ-генератор, термоэлектрический охладитель, эффект Пельтье, температурный коэффициент частоты.
Індекс рубрикатора НБУВ: З848-041.2

Рубрики:

Радіопередавальні пристрої (радіопередавачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Определены условия, при которых генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов не чувствительны к изменению механической нагрузки на преобразователь. Показано, что генераторы с пьезопреобразователями на аналогах негатронов с N-образной ВАХ и генераторы с магнитострикционными и электромагнитными преобразователями на аналогах негатронов с S-образной ВАХ допускают компенсацию паразитных параметров преобразователей простейшим способом. Приведены эквивалентные схемы генераторов, проанализированы условия их работы на резонансных частотах преобразователей.

Рассчитан и экспериментально исследован автогенератор с выходной мощностью 1 Вт и КПД 86 % на частоте 800 кГц. Указано, сто особенностью автогенератора является низкое напряжение питания и слабая зависимость частоты генерации от напряжения питания. Автогенератор продемонстрировал основные особенности функционирования усилителя класса Е и может использоваться для построения высокоэффективных преобразователей энергии.

Розглянуто основні властивості аналогових підсилювальних пристроїв, а також підсилювальні пристрої на біполярних та польових транзисторах, операційні підсилювачі, перетворювачі аналогових сигналів на операційних підсилювачах, генератори гармонічних коливань, пристрої порівняння аналогових сигналів. Описано ключовий режим роботи напівпровідникових приладів та імпульсних пристроїв.

Рассмотрены основные свойства аналоговых усилителей, а также на биполярных и полевых транзисторах, операционные усилители, преобразователи аналоговых сигналов на операционных усилителях, генераторы гармонических колебаний, приборы сравнения аналоговых сигналов. Описан ключевой режим работы полупроводниковых и импульсных приборов.

Приведены результаты разработки гибридно-интегрального умножителя частоты в диапазоне частот 35 - 40 ГГц, предназначенного для применения в источниках с электрической перестройкой частот.

The results of development of hybrid IC 35-40 Ghz frequency multiplier for application in supplies with electric frequency realignment.

Разработаны полупроводниковые измерители магнитных полей СВЧ-диапазона на основе широкодиапазонного автогенератора с магнитной перестройкой, генерируемый сигнал которого линейно связан с величиной магнитного поля. В качестве магнитоуправляемого колебательного контура в первом варианте использован сферический резонатор из железо-иттриевого граната, размещенный внутри двух ортогональных витков, во втором варианте магниточувствительный элемент (ферритовая пластинка) резонансной цепи автогенератора размещен в объеме волноводного призматического резонатора.

The semiconductive meters of magnetic fields of a superhigh-frequency (SHF) range are development on a basis of the wide-range oscillator with magnetic rearrangement, generated which signal is linearly connected to size of a magnetic field. As magnetic-tuning oscillatory circuit in the first alternative the spherical resonator from an iron-yttric granatum placed inside two orthogonal loops is used, in the second alternative a magnetic sensitive element (ferrite plate) of resonator circuit of the autogenerator is placed in volume of waveguide prismatic resonator.

Предложена электродинамически обоснованная модель балансного усилителя мощности УВЧ-диапазона. Анализ усилителя выполнен на основе системного применения декомпозиции сложной конструкции и вычислений на основе аналогии плоско- и сферопараллельных полей что позволяет учесть электромагнитные помехи коммуникатора в виде зависимых источников электрической энергии. Их мaкромодели разработаны в программной среде MicroCap, что дало возможность провести сравнительную оценку АЧХ.

The proved model balance of the amplifier of capacity UHF of a range is offered. The analysis of the amplifier is executed on the basis of a system principle of decomposition of a complex design and calculations on the basis of analogy plainly- and sferoparallel of fields, that has allowed to take into account electromagnetic noise of a communicator as dependent sources of electrical energy. Their macro-models are developed in program environment MicroCap, that has enabled to carry out a comparative rating AFC.

Досліджено добротності власних коливань аксіально шаруватої структури, що складається з шару діелектрика, розташованого паралельно торцевій поверхні частково екранованого напівдискового діелектричного резонатора. Встановлено, що внесення в поле резонатора паралельно його бічній поверхні на деякій прицільній відстані досліджуваного зразка діелектрика призводить до зміни власних частот резонатора і його добротності тим більше, чим вище значення дійсної та уявної частин діелектричної проникності досліджуваного матеріалу. Досліджено вплив типу діелектрика, його товщини та прицільної відстані на частоту і добротність резонансу для різних типів коливань. Одержано залежності зміни частоти та крутості електронної перебудови автогенератора на основі діода Ганна, стабілізованого аксіально шаруватою структурою, від товщини і типу діелектрика.

Исследованы добротности собственных колебаний аксиально слоистой структуры, состоящей из слоя диэлектрика, расположенного параллельно торцевой поверхности частично экранированного полудискового диэлектрического резонатора. Установлено, что внесение в поле резонатора параллельно его боковой поверхности на некотором прицельном расстоянии исследуемого образца диэлектрика приводит к изменению собственных частот резонатора и его добротности тем больше, чем выше значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости исследуемого материала. Исследовано влияние типа диэлектрика, его толщины и прицельного расстояния на частоту и добротность резонанса для различных типов колебаний. Получены зависимости изменения частоты и крутизны электронной перестройки автогенератора на основе диода Ганна, стабилизированного аксиально слоистой структурой, от толщины и типа диэлектрика.

The Q-factors of eigenoscillations of axial-flaky structure consist of dielectric layer is parallel to faceplate of partially shielded half-disk dielectric resonator are investigated. Established that at carrying in the resonator field parallel to its side surface at the some sighting distance the investigated sample of dielectric leads to resonator frequency and its Q-factor change the more the values of imagine and real parts of investigated material permittivity higher. The influence of dielectric type its thickness and sighting distance on frequency and resonant Q-factor for the different oscillation types are investigated. The dependences of frequency and steepness of electron tuning of self-excited oscillator on basis of Gunn-effect diode that stabilized of axial-flaky structure change on dielectric type and thickness are obtained.

Побудовано строгі повнохвильові моделі для дисперсійного аналізу тривимірних періодичних сповільнювальних систем з використанням даних про S-матриці окремих елементів. Останні одержано на базі узагальненого методу часткових областей з попереднім пошуком повних хвилевідних базисів для окремих фрагментів сповільнювальної системи. Досліджено характеристики алгоритмів і наведено приклади розрахунку гребінчастих структур, що використовуються у клинотронах.

Построены строгие полноволновые модели для дисперсионного анализа трехмерных периодических замедляющих систем с использованием данных об S-матрицах отдельных элементов. Последние получены на основе обобщенного метода частичных областей с предварительным поиском полных волноводных базисов для отдельных фрагментов замедляющей системы. Исследованы характеристики алгоритмов и даны примеры расчета гребенчатых структур, используемых в клинотронах.

Full-wave models for dispersion analysis of three-dimensional periodic slow-wave structures with use of data about S-matrixes of single elements are built. The latter are obtained on basis of generalized mode matching technique with prior search of the complete waveguide bases for separate fragments of a slow-wave structure. Characteristics of the algorithms are investigated, and examples of calculation of comb structures used in klynotrons are given.