Пошуковий запит: (<.>U=З843.395$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 117
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж69367 Родионов М. К. Алгоритм оценки оптических и терморадиационных характеристик ультрадисперсных селективных покрытий [Текст] / М. К. Родионов, А. В. Мачулянский, С. В. Кидинов: 11 // Электроника и связь.-С.64-66
|
| 2. | Ж29221 Кучер Д. Б. Исследование распространения электромагнитной волны по поверхности сверхпроводящей пленки [Текст]: Вып. 109 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.11-15
|
| 3. | Ж60673 Дмитрук Н. Л. Определение оптических параметров тонких проводящих пленок и расчет спектра пропускания света в полупроводник солнечного элемента с плоской или текстурированной границей раздела [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.156-165
|
| 4. | Ж14479 Курмашев Ш. Д. Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "<$Eroman bold {RuO sub 2 }>-стекло" [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.62-64
|
| 5. | Ж14479 Панфилов Ю. В. Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.49-52
|
| 6. | Ж14479 Белянин А. Ф. Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.46-54
|
| 7. | Ж14479 Стерхова А. В. Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.63-64
|
| 8. | Ж14479 Шпотюк О. И. Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Со, Мn, Си)304 для толстопленочных терморезисторов [Текст]: 4-5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.55-57
|
| 9. | Ж14479 Невлюдов И. Ш. Методика автоматизированного проектирования технологических процессов [Текст]: 4-5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.29-33
|
| 10. | Ж14479 Казаков А. И. Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO2-Nd2O3 [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.52-54
|
| 11. | Ж14479 Лебедева Т. С. Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.42-46
|
| 12. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений <$Eroman bold {А sup 3 В sup 5 }> [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.56-58
|
| 13. | ВА685105 Сукач Г. О. Підкладки для епітаксійного росту нітридів ІІІ групи [Текст] : Моногр.
|
| 14. | ВА687801 Власкина С. И. Пленки карбида кремния [Текст] : моногр.
|
| 15. | Ж14479 Самойлович М. И. Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок <$Eroman bold {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 } { roman O } sub y> [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.48-60
|
| 16. | Ж14479 Макара В. А. Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.40-46
|
| 17. | Ж14479 Хомич И. Н. Светофильтры с тонкопленочным прозрачным нагревателем [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.22-23
|
| 18. | Ж14479 Готра З. Ю. Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электроники [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-С.54-57
|
| 19. | Ж28502 Паустовский А. В. Влияние импульсного лазерного излучения на свойства резистивных толстых плёнок на основе боридов никеля и бария [Текст]: 1-2 // Порошковая металлургия.-С.107-112
|
| 20. | Ж69231 Забіла Є. О. Особливості тензочутливості в плівкових матеріалах при великих статистичних і динамічних деформаціях [Текст] 56: 10 // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка.-С.63-70
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка