Пошуковий запит: (<.>U=З843.312$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 112
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж60673 Кукла А. Л. Оптимизация и выбор условий для функционирования емкостных сенсорных структур электролит - диэлектрик - кремний [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.16-25
|
| 2. | Ж60673 Хоменкова Л. Ю. Практическое применение пористого кремния [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.14-27
|
| 3. | Ж60673 Войциховский Д. И. Влияние быстрого термического отжига и gamma-радиации на механизм формирования границы раздела TiB2 - n - n+ - Si [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.134-139
|
| 4. | Ж16683 Шаповалов В. П. Кластеризация микродефектов в кремнии при термическом окислении [Текст]: 1 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.-С.46-48
|
| 5. | Ж27665/рад. эл. Гончарук Н. М. Контакты для кремниевых микроволновых полупроводниковых приборов [Текст] 43: 5-6, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.53-61
|
| 6. | Ж14479 Касимов Ф. Д. Негатронные элементы на основе локальных пленок поликристаллического кремния [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.53-56
|
| 7. | Ж14479 Викулин И. М. Микронеоднородности поверхности ионнолегированного слоя кремния [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.55-58
|
| 8. | ВА653322 Таран Ю. Н. Полупроводниковый кремний: теория и технология производства [Текст]
|
| 9. | ІР7405 Anokhin I. E.Nat. Acad. of Science of Ukraine. Inst. for Nuclear Research. Coordinate Determination of High Energy Charged Particles by Silicon Strip Detectors [Текст]
|
| 10. | ВА679118 Гроза А. А.Ін-т ядер. дослідж. НАН України. Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію [Текст] : Моногр.
|
| 11. | ВА701727 Чирчик С. В. Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного кремнію на його теплове випромінювання. Теорія і експеримент [Текст] : монографія
|
| 12. | Ж14479 Кулинич О. А. Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-С.62-64
|
| 13. | Ж72551 Нові технології [Текст]
|
| 14. | Ж100091 Часнык В. И. Объемный поглотитель СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия и карбида кремния [Текст]: 2 // Техника и приборы СВЧ.-С.45-47
|
| 15. | Ж60673 Венгер Є. Ф. Дослідження електронної зонної структури поруватого кремнію методом електровідбиття [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.199-211
|
| 16. | Ж23042 Шафранюк В. П. Дослідження полів деформацій в термоелектричних матеріалах при лазерному опроміненні [Текст]: 1 // Термоелектрика.-С.44-49
|
| 17. | Ж60673 Романюк Б. Н. Механизмы аморфизации кремния при ультразвуковом воздействии в процессе ионной имплантации [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.193-198
|
| 18. | Ж60673 Горбань А. П. О температурных зависимостях равновесных и неравновесных характеристик в кремнии [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.161-165
|
| 19. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.49-56
|
| 20. | Ж67522 Balabay R. M. Computer simulation of the spatial construction for silicon nanostructures [Текст]: Вып. 14 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.53
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка