Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (3)Книжкові видання та компакт-диски (15)
Пошуковий запит: (<.>U=З843.3-06$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 26
Представлено документи з 1 до 20
...
      
Категорія:    
1.

Глинчук К. Д. 
Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 37-48. - Библиогр.: 17 назв. - рус.

Изучены изменения спектров краевой фотолюминесценции (ФЛ) полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs, вызванные их термообработкой при 900 °C в течение 20 - 90 мин. Показано, что указанное термическое воздействие существенно видоизменяет (преобразует) краевой спектр ФЛ исходных кристаллов. Отмеченные явления связаны со стимулированными термообработкой изменениями в примесном составе излучаемых кристаллов.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Любченко А. В. 
Влияние термообработки на электрические, шумовые характеристики структур In/Zn/Ip/i-InAs и In/In/i-InAs / А. В. Любченко, А. В. Сукач, С. А. Сыпко, З. Ф. Ивасив, В. В. Тетеркин, А. Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 149-156. - Библиогр.: 20 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Вовк Я. М. 
Вплив високочастотної плазмової обробки на властивості гетероструктур (a)SiC/Ip/i-Si / Я. М. Вовк, О. М. Назаров, В. С. Лисенко, А. С. Ткаченко, Т. М. Назарова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 109-120. - Бібліогр.: 21 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Бончик А. Ю. 
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n - GaAs:Si / А. Ю. Бончик, И. И. Ижнин, С. Г. Кияк, Г. В. Савицкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 3. - С. 3-4. - Библиогр.: 7 назв. - pyc.


Ключ. слова: GaAs, ионная имплантация, фотонный отжиг, концентрация носителей, активность примеси.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Амбросов С. В. 
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С. В. Амбросов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 1. - С. 38-41. - Библиогр.: 17 назв. - рус.

Предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Рассмотрена схема лазерного фотоионизационного разделения, которая включает на первом этапе возбуждение атомов примесей в образце посредством резонансного лазерного излучения, на втором этапе - перевод атомов в высоковозбужденные ридберговские состояния, а затем ионизацию электрическим полем. Установлено, что разработанный подходпозволяет выбирать как оптимизированные значения ключевых физических параметров схем разделения, так и наиболее оптимальный вариант схемы в целом.

It is proposed and realized a new approach to numerical modeling of optimal schemes for the laser photoionization technologies of control and refinement on atomic level (on example of analysis of the Al admixtures in the Ge sample). The separation laser photoionization scheme includes an excitement of atoms of the admixture in a sample by resonant laser radiation as a first step, a transfer of atoms into high-excited Rydberg states as a second step and then ionization of excited atoms by electric field. Proposed approach allows choosing the optimized values of key physical parameters for the separation scheme and the most optimal variant of a scheme in a whole. It provides an effectiveness and optimality of technology.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
6.

Аснис Е. А. 
Перспективы получения сверхчистых совершенных полупроводниковых материалов методом электронно-лучевой зонной плавки в условиях микрогравитации / Е. А. Аснис // Косм. дослідж. в Україні 2002 - 2004. - 2004. - С. 60-62. - Библиогр.: 2 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж72292 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Гайворонский В. Я. 
Нелинейно-оптический мониторинг фотокаталитической активности пористых слоев наночастиц анатаза / В. Я. Гайворонский, М. С. Бродин, А. В. Галас, Е. В. Шепелявый, П. И. Будник, Н. П. Смирнова, И. С. Петрик, А. М. Еременко, В. Ю. Тимошенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, Вип. 2. - С. 489-501. - Библиогр.: 15 назв. - рус.


Ключ. слова: анатаз, нанокристаллиты, кубическая нелинейность, дефектный уровень, фотокаталитическая активность
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Рогозин И. В. 
Люминесценция слоев ZnO IpD-типа, имплантированных ионами $E bold roman As sup + / И. В. Рогозин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2004. - Вып. 39. - С. 140-143. - Библиогр.: 14 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Тигарев А. М. 
Выбор целевой функции и регулируемых параметров при получении порошковых радиотехнических материалов / А. М. Тигарев // Наук. пр. ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2005. - № 2. - С. 54-59. - Библиогр.: 8 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж70260 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Бончик О. Ю. 
Нерівноважні методи оброблення матеріалів з використанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації / О. Ю. Бончик, А. П. Власов, З. Ю. Готра, С. Г. Кияк, І. А. Могиляк, Г. В. Савицький // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2006. - № 569. - С. 157-164. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-060.1/8

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Томашик З. Ф. 
Хіміко-динамічне полірування GaAs та GaSb травильними сумішами систем HNOVB3D - HCl - розчинник / З. Ф. Томашик, О. С. Чернюк, В. М. Томашик, В. І. Гриців, Н. В. Кусяк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2005. - Вып. 40. - С. 162-166. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Лукіянчук Е. М. 
Взаємодія CdTe, $E{ roman bold Cd} sub x { roman bold Hg} sub {1~-x~ } roman bold Te, GaAs та InAs з водними розчинами $Eroman bold {H sub 2 O sub 2 } - мінеральна кислота - розчинник : автореф. дис... канд. хім. наук / Е. М. Лукіянчук; НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. - К., 2007. - 20 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-27 + З843.3-06

Рубрики:
 Сполуки кадмію з іншими елементами 
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: РА353000 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
13.

Стахіра П. Й. 
Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників : Автореф. дис... д-ра техн. наук / П. Й. Стахіра; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2005. - 30 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: РА341229 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
14.

Шелюк І. О. 
Взаємодія арсенідів і стибідів галію та індію з водними розчинами $Eroman {H sub 2 O sub 2} - $Eroman HBr - розчинник : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / І. О. Шелюк; ДВНЗ "Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника". - Івано-Франківськ, 2011. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-060.14

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: РА385837 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
15.

Окрепка Г. М. 
Взаємодія монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe з травильними композиціями HNO3-HBr-розчинник : автореф. дис ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Г. М. Окрепка; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2009. - 20 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.235-27 + З843.3-060.1/8

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: РА367051 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
16.

Ваків М. М. 
Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія IBpD-Si шарів у складі IBp - i - nD Si високовольтних структур / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2011. - № 708. - С. 50-54. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
17.

Кошевой Н. Д. 
Оптимизация технологических процессов с использованием симплекс-метода / Н. Д. Кошевой, Е. А. Сухобрус // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Техн. науки. - 2012. - № 3. - С. 22-29. - Библиогр.: 5 назв. - рус.

Предложен метод поиска оптимальных планов эксперимента на основе симплекс-метода. Эффективность использования данного метода показана на примерах исследования процесса измерения плотности тока гальванических ванн, оптимизации параметров неравномерности покрытия проводников гальваническими осадками, исследования энергопотребления и точности устройства для контроля качества диэлектрических материалов.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
18.

Басу Р. 
Розробка термоелектричних пристроїв на основі PbTe IBnD-типу / TAGS-85 ((AgSbTeVB2D)VB0,15D(GeTe)VB0,85D) IBpD-типу й сплаву Si - Ge IBn/pD-типу / Р. Басу, С. Бхаттачарія, Р. Бхатт, К. Н. Мешрам, А. Сингх, Д. К. Асваль, С. К. Гупта // Термоелектрика. - 2012. - № 3. - С. 32-38. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.4 + З843.3-06

Рубрики:
 Теплоелектричні генератори. Термопари 
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
19.

Учитель С. А. 
Совершенствование оборудования для рассева дробленого поликристаллического кремния на товарные классы / С. А. Учитель, В. И. Комлач // Металлург. и горноруд. пром-сть. - 2013. - № 3. - С. 114-116. - Библиогр.: 4 назв. - рус.

Рассмотрено оборудование рассева поликристаллического кремния в рамках реализации проекта по его производству на заводе ПАО "Завод полупроводников". Специалистами ООО "КВМШ плюс" разработано и поставлено на завод оборудование для дробления слитков поликристаллического кремния и рассева продукта дробления на фракции по крупности. В соответствии с полученным техническим заданием, дробление слитков осуществляется операторами дробления на дробильных столах, вручную, ударным инструментом, а рассев дробленого продукта осуществляется на вибрационных грохотах.


Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5 + З843.3-06

Рубрики:
 Металургія напівпровідників 
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж28347 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
20.

Tomashik Z. F. 
Chemical etching of CdTe, CdVIxDHgV1-IxDTe, ZnVIxDCdV1-IxDTe and Те in the HNOV3D - HCl-citric acid / Z. F. Tomashik, Ye. O. Bilevych, P. I. Feichuk, V. M. Tomashik // Functional Materials. - 2005. - 12, № 2. - С. 396-400. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-060.7

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського