Пошуковий запит: (<.>U=З843.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 808
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж14846 Патон Б. Е. Актуальные задачи получения материалов электронной техники в условиях микрогравитации [Текст] 4: 5/6 // Косм. наука і технологія.-С.95-98
|
| 2. | Ж69367 Родионов М. К. Алгоритм оценки оптических и терморадиационных характеристик ультрадисперсных селективных покрытий [Текст] / М. К. Родионов, А. В. Мачулянский, С. В. Кидинов: 11 // Электроника и связь.-С.64-66
|
| 3. | Ж14768 Куцова В. З. Вплив термообробки на властивості пластин напівпровідникового кремнію [Текст]: 3 // Металознавство та оброб. металів.-С.40-43
|
| 4. | Ж29221 Кучер Д. Б. Исследование распространения электромагнитной волны по поверхности сверхпроводящей пленки [Текст]: Вып. 109 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.11-15
|
| 5. | Ж29112 Крюков А. И. Наночастицы CdS в пористых силикатных стеклах: энергетические характеристики, фотокаталитическая активность и влияние допирования ионами серебра [Текст] 34: 6 // Теорет. и эксперим. химия.-С.360-365
|
| 6. | Ж69367 Куликов К. В. Насыщение дрейфовой скорости и упругость рассеяния [Текст] / К. В. Куликов, В. А. Москалюк, Д. С. Ханжиев: 11 // Электроника и связь.-С.100-104
|
| 7. | Ж60673 Дмитрук Н. Л. Определение оптических параметров тонких проводящих пленок и расчет спектра пропускания света в полупроводник солнечного элемента с плоской или текстурированной границей раздела [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.156-165
|
| 8. | Ж60673 Кукла А. Л. Оптимизация и выбор условий для функционирования емкостных сенсорных структур электролит - диэлектрик - кремний [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.16-25
|
| 9. | Ж60673 Хоменкова Л. Ю. Практическое применение пористого кремния [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.14-27
|
| 10. | Ж14161 Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия [Текст] 22: 4 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.42-47
|
| 11. | Ж29112 Белоус А. Г. Физико-химические аспекты создания новых функциональных материалов на основе гетерозамещенных титанатов редкоземельных элементов со структурой перовскита [Текст] 34: 6 // Теорет. и эксперим. химия.-С.331-346
|
| 12. | ВА604470 Різак В. М. Функціональні халькогенідні напівпровідники [Текст]
|
| 13. | ВА594782 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників [Текст] : Навч. посіб.
|
| 14. | Ж60673 Войциховский Д. И. Влияние быстрого термического отжига и gamma-радиации на механизм формирования границы раздела TiB2 - n - n+ - Si [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.134-139
|
| 15. | Ж60673 Глинчук К. Д. Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.37-48
|
| 16. | Ж60673 Любченко А. В. Влияние термообработки на электрические, шумовые характеристики структур In/Zn/p-InAs и In/n-InAs [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.149-156
|
| 17. | Ж60673 Вовк Я. М. Вплив високочастотної плазмової обробки на властивості гетероструктур (a)SiC/p-Si [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.109-120
|
| 18. | Ж16683 Шаповалов В. П. Кластеризация микродефектов в кремнии при термическом окислении [Текст]: 1 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.-С.46-48
|
| 19. | Ж27665/рад. эл. Гончарук Н. М. Контакты для кремниевых микроволновых полупроводниковых приборов [Текст] 43: 5-6, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.53-61
|
| 20. | Ж29109 Дем'ян М. Л. Нові типи тензорезисторів із напівпровідникових ниткуватих кристалів [Текст] 36: 6 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.-С.97-100
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка