Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З844.1-03

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка

Шифр НБУВ: ДС44815 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З844.1-03

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка

Шифр НБУВ: ДС44815 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З844.1-03

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка

Шифр НБУВ: ДС44815 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З844.1-03

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка

Шифр НБУВ: ДС44815 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В роботі проведено дослідження фононних та електронних спектрів короткоперіодних напівпровідникових надграток CdTe/HgTe та GaAs/AlAs. Отримано енергії та дисперсії інтерфейсних коливних мод та їхню локалізацію на границях розділу для даних надграток. Досліджено енергію і симетрію локальних коливань у залежності від положення домішкового атома відносно гетерограниці. Знайдено параметри надгратки, при яких відбувається перехід прямозонна-квазіпрямозонна-непрямозонна структура для надграток (GaAs)n/(AlAs)n та перехід напівметал-напівпровідник для надграток (CdxHg1-xTe)m/(CdTe)n. На основі аналізу розрахованих фононних і електронних спектрів та експериментальних даних по фотолюмінесценції короткоперіодних надграток (GaAs)n/(AlAs)n зроблено висновок, який полягає в тому, що процеси фотолюмінесценції в даних структурах відбуваються при участі саме інтерфейсних фононів.

Представлены результаты исследования спектров фототока и закономерностей прохождения темнового тока в поверхностно-барьерных структурах вырожденный полупроводник-селенид кадмия. Применение "сверхтонких" слоев вырожденного сульфида меди, а также промежуточных, встроенных в область пространственного заряда варизонных прослоек позволяет повысить фототоковую и фотовольтовую чувствительность преобразователей. Указанное улучшение свойств известных поверхностно-барьерных структур является результатом использования фотоэффекта горячих носителей и оптимального распределения электрического и квазиэлектрического полей в приповерхностной области фоточувствительной составляющей преобразователя.

Висвітлюються основні характеристики стаціонарної фотопровідності напівпровідників, зроблено визначення параметрів напівпровідникових матеріалів при лінійній рекомбінації. Розглядається фотомагнітоелектрорушійна сила у напівпровідниках, простежується залежність фотомагнітного ефекту від зовнішніх факторів, параметрів матеріалу та розмірів зразка. Особливу увагу приділено фізичним основам напівпровідникових фотогальванічних елементів і квантових генераторів, а також фотоструктурним перетворенням в некристалічних халькогенідах, зокрема, структурним особливостям аморфних халькогенідів та фотоіндукованим змінам оптичних параметрів тонких шарів некристалічних халькогенідів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З852.5-03

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Стисло викладено фізичні основи взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною напівпровідника. Розглянуто головні механізми поглинання світла в напівпровідниках, процеси фотоіонізації та взаємодії фотозбуджених носіїв заряду з кристалічною граткою кристала, що визначають основні параметри фоточутливих матеріалів і приладів, виготовлених на їх основі.

Процеси термалізації у фоточутливих органічних напівпровідниках розглянуто теоретично з точки зору їх основних параметрів: часу термалізації та довжини термалізації. Показано, що ці параметри суттєво залежать від взаємодії екситонних станів з оточенням. Результати теоретичних розрахунків підтверджуються даними експерименту, одержаними для ряду молекулярних напівпровідників.

У плівках полі-N-епоксіпропілкарбазолу, допованих внутрішньоіонними та катіонними барвниками, досліджено особливості утворення та релаксації метастабільних зв'язаних станів катіон-радикала карбазолу і негативно зарядженого фрагмента молекули барвника.Під час опромінення світлом з області поглинання барвника в плівках з внутрішньоіонним барвником ці стани руйнуються, а в плівках з катіонним барвником такі стани світлом не руйнуються. Ці особливості пов'язуються з особливостями будови барвників.

Експериментально вивчено динамічний вплив ультразвуку на електрофізичні та фотоелектричні параметри кремнію та структур на його основі, використання ультразвукових методик для вимірювання параметрів епітаксійних напівпровідникових структур. Виявлено ефект збільшення довжини дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному кремнії під дією ультразвуку. Знайдено ефективний об'єм акусто-дефектної взаємодії. Запропоновано модель бістабільного акустоактивного рекомбінаційного центру. Визначено ряд параметрів електронних рівнів, пов'язаних з комплексами точкових дефектів у епітаксійних структурах арсеніду галію. Встановлено, що за допомогою ультразвуку можна збільшити струм короткого замикання сонячного елемента та впливати на інші його характеристики. Показано, що ультразвук може бути ефективним інструментом впливу на процеси фотоелектричного перетворення.

Проведено виміри спектрів фотопровідності (ФП) та спектрів фотомагнітного ефекту (ФМЕ) зразків монокристалічного кремнію, які зазанали неоднорідної деформації вигину. Така деформація призводить до зменшення спаду спектра ФП у короткохвильовій області за умов освітлення поверхні зразка, яка зазанає деформації розтягу. За тих самих умов деформації форма спектрів ФМЕ зазнає змін лише у довгохвильовій області. Отримані результати пояснюються зменшенням дифузійної довжини внаслідок зменшення коефіцієнта дифузії під дією градієнта напруг.

Проведены измерения спектров фотопроводимости (ФП) и спектров фотомагнитного эффекта (ФМЭ) образцов монокристаллического кремния, которые подвергались неоднородной деформации сгиба. Такая деформация приводит к уменьшению спада спектра ФП в коротковолновой области при освещении поверхности образца, которая испытывает деформацию растяжения. При тех же условиях деформации форма спектров ФМЭ изменяется только в длинноволновой области. Полученные результаты объясняются уменьшением диффузионной длины вследствие уменьшения коэффициента диффузии под действием градиента напряжений.

Measurements of the photoconductivity (PC) and photomagnetic effect (PME) spectra of crystalline silicon were carried out for the sample under the not uniform bend deformation. This deformation causes a decrease of the photoconductivity spectrum fall in the short-wave region in illuminating the stretched surface. Under constant deformation conditions the PME spectrum form is changed only in the long-wave region. The obtained data are explained by diffusion length decreasing in consequence of decreasing the diffusion coefficient under the influence of a strain gradient.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено основні закономірності домішкової фотопровідності та термостимульованої релаксації електропровідності. Висвітлено основні типи та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках. Розглянуто питання впливу поверхневої рекомбінації на об'ємні властивості напівпровідників, зокрема на розподіл не основних носіїв заряду, ефективний час життя, спектральні залежності фоточутливості та фотопровідності.

Досліджено коефіцієнти відбиття від поверхні монокристалів ZnO в ІЧ-області спектра з урахуванням коливань трьох попарно зв'язаних підсистем: електромагнітних хвиль, оптичних коливань гратки та плазмових коливань вільних носіїв зарядів. Показано, що значна анізотропія фононів та незначна анізотропія плазмонів призводять до прояву ряду особливостей у спектрі зв'язаних коливань і в областях прозорості. У випадку THETA != 0,pi / 2 у спектрах відбиття спостережено чотири області повного відбиття та чотири мінімуми. Визначено умови, за яких можливе експериментальне дослідження областей прозорості.

  Скачати повний текст

Досліджено поперечну фотоерс, що генерується в напівпровідникових структурах під час їх освітлення модульованим випромінюванням. Визначено, що складна форма спектральних характеристик ерс, виміряних у зразках гетероструктури Ge-GaAs і контакта Шоткі NbN-GaAs, зумовлена взаємодією фотострумів, що протікають в об'ємі та поблизу межі поділу структур. Додаткове немодульоване підсвічування досліджуваних зразків, проведене під час вимірювання спектральних характеристик фотоерс, змінює характер взаємодії фотострумів, що відбивається на формі цих характеристик. Аналіз спектральних особливостей EPC дозволяє запропонувати моделі взаємодії фотострумів біля меж поділу складних напівпровідникових структур та одержувати дані про їх однорідність.

Запропоновано тривимірну модель фотоперетворення в полікристалічному кремнії, що враховує рекомбінацію в об'ємі зерна та на його межах. Розгляд проведено для зерна у формі паралелепіпеда. Для випадку монохроматичного освітлення отримано спектральні залежності струму короткого замикання та напруги розімкненого кола, усереднені по площі зерна. Показано, що основний вплив рекомбінації на межах зерна можна описати через ефективну довжину дифузії, яка має фізичний зміст характерної довжини затухання надлишкової концентрації електронно-діркових пар у напрямку, паралельному освітленню. Отримано й обговорено її залежності від об'ємної довжини дифузії, розмірів зерна та від величини ефективної швидкості рекомбінації на межах зерна. Одержано теоретичні співвідношення для струму короткого замикання за умов АМО, усереднені по площі полікристалічного сонячного елемента (СЕ). Встановлено критерії, за яких струм короткого замикання в полікристалічному СЕ практично дорівнює струмові короткого замикання в монокристалічному кремнії.