Пошуковий запит: (<.>U=В379.251$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 213
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.11-14
|
| 2. | Ж26988 Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока [Текст] 45: 1 // Укр. фіз. журн.-С.75-80
|
| 3. | Ж14257 Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра [Текст]: 3 // Пробл. спец. электрометаллургии.-С.38-42
|
| 4. | Ж26988 Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния [Текст] 44: 3 // Укр. фіз. журн.-С.394-398
|
| 5. | Ж29137 Боцула О. В. К расчету переходных процессов в компенсированном арсениде галлия в условиях высокочастотной доменной неустойчивости [Текст] / О. В. Боцула: 513 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.-С.58-61
|
| 6. | Ж70153 Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния [Текст] / Ю. В. Трубицын: Вып. 3 // Металлургия.-С.40-45
|
| 7. | ВА594782 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників [Текст] : Навч. посіб.
|
| 8. | Ж16425 Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.76-79
|
| 9. | Ж60673 Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.216-219
|
| 10. | Ж60673 Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbI2 на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbI2 - Сu [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.78-85
|
| 11. | Ж26988 Джумаев Б. Р. Исследование процесса старения пористого кремния в различных средах [Текст] 45: 3 // Укр. фіз. журн.-С.299-305
|
| 12. | Ж26988 Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hg1 - xCdxTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії [Текст] 44: 9 // Укр. фіз. журн.-С.1128-1132
|
| 13. | Ж14388 Фита И. М. Переход полупроводник-сверхпроводник в NdBaCuO, управляемый внешним давлением через механизм кислородного упорядочения [Текст] 9: 2 // Физика и техника высоких давлений.-С.14-20
|
| 14. | Р111793 Левицький Р. Р. Опис термодинамічних характеристик сегнетоелектрика <$Eroman bold {CsH sub 2 PO sub 4 }> на основі моделі де Жена. Наближення двочасткового кластера [Текст]
|
| 15. | Ж14479 Сольский И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.55-61
|
| 16. | Ж28852/Фіз Gorecki Cz. Kinetics of phase transitions in semiconducting amorphous chalcogenides <$Ebold { roman As sub x roman Se sub {100~-~x } }> as studied by differential thermal analysis and exoelectron emission techniques [Текст]: Вип. 38, ч. 2 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз.-С.399-403
|
| 17. | Ж14388 Поляков П. И. Закономерности расположения критических линий и точек в изменениях фазовых переходов и свойств магнитных полупроводников [Текст] 13: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.150-156
|
| 18. | Ж14063 Мантыцкая О. С. Магнитная фазовая диаграмма манганитов <$E bold {{roman Bi} sub 1-x {roman Sr} sub x roman MnO sub 3}> [Текст] 30: 3 // Физика низ. температур.-С.295-303
|
| 19. | Ж14388 Моллаев А. Ю. Явления переноса и фазовые превращения в диарсениде кадмия-олова при высоком давлении [Текст] 13: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.29-33
|
| 20. | Ж14063 Вальков В. И. Электронный механизм структурных фазовых переходов в арсениде марганца [Текст] 30: 9 // Физика низ. температур.-С.945-957
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка