Пошуковий запит: (<.>U=В379.222$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 624
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж14388 Prudnikov A. Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions [Текст] 11: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.117-121
|
| 2. | Ж16425 Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.25-30
|
| 3. | Ж16425 Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit [Текст] / N. I. Kashirina, V. V. Kislyuk, M. K. Sheinkman 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.41-44
|
| 4. | Ж69027 Гутніченко О. А. Визначення критичної концентрації провідної фази в зернистих гетерогенних системах [Текст]: 9 // Вісн. Житомир. інж.-технол. ін-ту. Техн. науки.-С.47-55
|
| 5. | Ж29109 Бончик О. Ю. Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію [Текст] 36: 3 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.-С.21-26
|
| 6. | Ж60673 Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.58-63
|
| 7. | Ж14161 Макара В. А. Лазерное управление процессами подвижности дислокаций в кристаллах кремния [Текст] 22: 10 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.56-62
|
| 8. | Ж14161 Раранский Н. Д. Маятниковые полосы в искаженных кристаллах [Текст] 22: 9 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.39-45
|
| 9. | Ж26988 Таланін В. І. Механізм утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію [Текст] 46: 3 // Укр. фіз. журн.-С.333-336
|
| 10. | Ж14163 Величко О. И. Моделирование нелинейных процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах [Текст] 22: 4 // Электрон. моделирование.-С.115-123
|
| 11. | Ж26988 Манжара В. С. Оптичні та електричні властивості монокристалів сульфіду кадмію, опромінених електронами [Текст] 44: 1-2 // Укр. фіз. журн.-С.263-269
|
| 12. | Ж26988 Прокопьев Е. П. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния [Текст] 45: 7 // Укр. фіз. журн.-С.879-882
|
| 13. | Ж60673 Глинчук К. Д. Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.166-169
|
| 14. | Ж28347 Куцова В. З. Температурная зависимость относительного удлинения монокристаллического кремния, легированного металлами [Текст]: 4 // Металлург. и горноруд. пром-сть.-С.72-74
|
| 15. | Ж26988 Корець М. С. Технологічні неоднорідності монокристалів дифосфіду кадмію [Текст] 44: 6 // Укр. фіз. журн.-С.738-740
|
| 16. | Ж26988 Таланін В. І. Трансформація мікродефектів у процесі технологічних впливів [Текст] 46: 1 // Укр. фіз. журн.-С.74-76
|
| 17. | Ж16425 Indutnyi I. Z. Relaxation of photodarkening in SiO - As2(S,Se)3 composite layers [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.59-62
|
| 18. | Ж16425 Serdega B. K Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.153-156
|
| 19. | Ж14063 Филь Д. В. Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs - GaAs - AlGaAs [Текст] 25: 6 // Физика низ. температур.-С.625-632
|
| 20. | Ж26988 Тарбаєв М. І. Визначення щільності сходинок на гвинтових дислокаціях у напівпровідниках A2B6 з вимірювань оптичного поглинання [Текст] 44: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1421-1423
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка