Пошуковий запит: (<.>U=В379.221$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 35
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots [Текст] / P. M. Martin, A. E. Belyaev [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.7-12
|
| 2. | Ж14161 Фодчук И. М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах [Текст] 22: 1 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.69-76
|
| 3. | Ж14161 Авраменко С. Ф. Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния [Текст] 22: 3 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.33-39
|
| 4. | Ж26988 Любчак В. О. Метод інжекційної спектроскопії для вивчення глибоких центрів у плівках телуриду кадмію [Текст] 44: 6 // Укр. фіз. журн.-С.741-747
|
| 5. | ВА595237 Бурачек В. Р.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Термостимульована релаксація як метод дослідження широкозонних напівпровідників [Текст] : Навч. посіб.
|
| 6. | Ж16425 Datsenko L. I. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.56-61
|
| 7. | Ж14161 Фодчук И. М. Исследование структурных изменений в кристаллах при ионной имплантации [Текст] 21: 8 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.40-45
|
| 8. | Ж60673 Глинчук К. Д. Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.204-212
|
| 9. | Ж14161 Кладько В. П. Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и высоких уровней поглощения [Текст] 21: 3 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.3-9
|
| 10. | Ж14063 Мамалуй А. А. Сверхструктуры <$E bold {2 sqrt 2} ><$B 0> <$E bold {times ~2 sqrt 2} ><$B 0> и перенос заряда в <$E bold roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {6~+~x} > [Текст] 27: 7 // Физика низ. температур.-С.738-742
|
| 11. | Ж26988 Klad'ko V. P. Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry [Текст] 49: 1 // Укр. фіз. журн.-С.79-84
|
| 12. | Ж26988 Мельник В. Формування прихованих шарів Si3N4 в кремнії під дією гідростатичного тиску [Текст] 52: 1 // Укр. фіз. журн.-С.35-39
|
| 13. | РА306130 Клімов А. О.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07.- URL: /ard/1999/
|
| 14. | РА309463 МихайликНАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si [Текст] : Автореф. дис...канд. фіз.-мат. наук:01.04.07.- URL: /ard/2000/
|
| 15. | РА304119 Фар Раафат СаідХарк. держ. техн. ун-т радіоелектрон. НВЧ діагностика сруктурно упорядкованих областей в аморфних напівпровідниках [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.03
|
| 16. | РА309490 Мельник В. М.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Рентгенодифрактометричні дослідження змін структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію під дією іонного опромінення, відпалу та гідростатичного тиску [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07.- URL: /ard/2000/
|
| 17. | РА306296 Мармус П. Є.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Рентгенодифракційні дослідження структурних змін в кристалах Si, після високоенергетичного електронного опромінення [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07
|
| 18. | РА363778 Хозя П. О.Кременчуц. ун-т економіки, інформ. технологій і упр. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06.- URL: /ard/2009/
|
| 19. | Ж29409/А Сиротюк С. В. Електронний енергетичний спектр кремнію з урахуванням квазічастинкових поправок [Текст]: 734 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.151-156
|
| 20. | Ж26618 Дзундза Б. С. Вплив міжфазних меж на розсіювання носіїв струму у плівках телуриду свинцю та олова [Текст] 13: 2 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.384-388
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка